![TK5P60W5,RVQ TK5P60W5,RVQ](https://www.mouser.com/images/toshibaamericaelectroniccomponentsinc/lrg/dpak.jpg)
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 95.12 грн |
10+ | 76.71 грн |
100+ | 51.8 грн |
500+ | 43.93 грн |
1000+ | 35.85 грн |
2000+ | 33.6 грн |
4000+ | 32.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK5P60W5,RVQ Toshiba
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK5P60W5,RVQ за ціною від 35.19 грн до 88.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK5P60W5,RVQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TK5P60W5,RVQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|