Продукція > TOSHIBA > TK5A80E,S4X(S
TK5A80E,S4X(S

TK5A80E,S4X(S TOSHIBA


3934732.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.9 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+110.72 грн
11+ 70.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK5A80E,S4X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK5A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.9 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TK5A80E,S4X(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK5A80E,S4X(S Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній