на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 99.87 грн |
10+ | 82.72 грн |
100+ | 55.75 грн |
500+ | 43.95 грн |
1000+ | 35.46 грн |
5000+ | 33.81 грн |
10000+ | 33.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK5R3A06PL,S4X Toshiba
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TK5R3A06PL,S4X за ціною від 61.4 грн до 126.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK5R3A06PL,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|