Продукція > SQ4

Description: SENSOR FOR STANDARD LIQUID NPN

товар відсутній

SQ4-A21-P

Description: SENSOR FOR STANDARD LIQUID PNP

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4-A22-N

Description: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID NPN
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: NPN
Material - Housing & Prism: PFA

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	18889.16 грн
10+	16535.89 грн

SQ4-A22-P

Panasonic Industrial Automation

Description: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID PNP
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP
Material - Housing & Prism: PFA

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	18696.36 грн
10+	16367.51 грн

SQ4-A22-P

Liquid Level Sensors Safety Luquid Leak Sensor for chemical liquid, PNP output

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	20517.7 грн
10+	18202.38 грн
25+	15124.63 грн

SQ4-C11

Description: CONTROL LIQ LEVEL 24VDC DIN RAIL
Features: Alarm Leak - Audible and Contact and LED Indication, Two Stage
Packaging: Box
Output Type: Solid State
Mounting Type: DIN Rail
Type: Leak Detection
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 24VDC

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	46313.35 грн

SQ4005EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ4005EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 12V

на замовлення 3400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.25 грн
10+	61.41 грн
100+	41.52 грн
500+	35.21 грн
1000+	28.69 грн
2500+	25.58 грн
5000+	25.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4005EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.19 грн
10+	53.66 грн
100+	41.75 грн
500+	33.21 грн
1000+	27.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4005EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.19 грн
10+	53.66 грн
100+	41.75 грн
500+	33.21 грн
1000+	27.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4005EY-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 9730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.25 грн
10+	61.41 грн
100+	41.52 грн
500+	35.21 грн
1000+	28.69 грн
2500+	27.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4005EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4005EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4005EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ400M2R20B5S-1012

Yageo

Cap Aluminum Lytic 2.2uF 400V 20% (10 x 12mm) Radial 5mm Bulk

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4050EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V

на замовлення 6715 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.62 грн
10+	55.91 грн
100+	39.05 грн
500+	34.13 грн
1000+	30 грн
2500+	28.18 грн
5000+	26.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4050EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V

на замовлення 7768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.24 грн
10+	59.17 грн
100+	46 грн
500+	36.59 грн
1000+	29.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4050EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.05 грн
5000+	28.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4050EY-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 19A; Idm: 75A; 6W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 19A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Case: SO8

товар відсутній

SQ4050EY-T1_GE3

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQ4050EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4064EY-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60V

на замовлення 48635 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.37 грн
10+	64.16 грн
100+	43.4 грн
500+	36.81 грн
1000+	30 грн
2500+	28.18 грн
5000+	26.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4064EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.1 грн
10+	57.13 грн
100+	44.45 грн
500+	35.37 грн
1000+	28.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4064EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ4064EY-T1_GE3

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.01 грн
5000+	27.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4064EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4064EY-T1_GE3

на замовлення 9813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.1 грн
10+	57.13 грн
100+	44.45 грн
500+	35.37 грн
1000+	28.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4064EY-T1_GE3

MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.37 грн
10+	64.16 грн
100+	43.4 грн
500+	36.81 грн
1000+	30 грн
2500+	29.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4080EY-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE

товар відсутній

SQ4080EY-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 2388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.54 грн
10+	85.89 грн
100+	67 грн
500+	51.94 грн
1000+	41.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4080EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.48 грн
10+	72.45 грн
100+	56.37 грн
500+	44.84 грн
1000+	36.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4080EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4080EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	110.54 грн
10+	84.53 грн
100+	61.36 грн
500+	48.38 грн
1000+	42.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ4080EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.05 грн
5000+	34.9 грн
12500+	33.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4080EY-T1_GE3

MOSFET N-Channel 150V SO-8

на замовлення 1811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQ4080EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 18A Automotive 8-Pin SOIC N

товар відсутній

SQ40T

на замовлення 14936 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4120-R62MHF

Description: 0.62UH, 0.95MOHM, 23A MAX. FLAT
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 0.95mOhm
Current - Saturation (Isat): 23A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 3-SMD
Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm)
Inductance: 650 nH
Current Rating (Amps): 23 A

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	144.74 грн

Мінімальне замовлення: 250

SQ4120-R82MHF

Description: 0.82UH, 0.95MOHM, 15A MAX. FLAT

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	143.29 грн

Мінімальне замовлення: 250

SQ4120-R90MHF

Description: 0.90UH, 0.95MOHM, 14.5A MAX. FLA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 0.95mOhm
Current - Saturation (Isat): 14.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 3-SMD
Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm)
Inductance: 900 nH
Current Rating (Amps): 23 A

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	142.91 грн

Мінімальне замовлення: 250

SQ4126-1R0MHF

Description: 1UH, 20%, 2.2MOHM, 26AMP MAX. SM

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4126-2R2MHF

Description: FIXED IND 2.2UH 11A 6.731MOHM SM

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

700+	61.67 грн

Мінімальне замовлення: 700

SQ4126-R42MHF

Description: FIXED IND 420NH 26A 1.39MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.406" L x 0.323" W (10.30mm x 8.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 1.39mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 45A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.262" (6.65mm)
Part Status: Active
Inductance: 420 nH
Current Rating (Amps): 26 A

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

700+	61.73 грн

Мінімальне замовлення: 700

SQ4153EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 12V

на замовлення 9594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.26 грн
10+	100.82 грн
100+	68.03 грн
500+	57.6 грн
1000+	46.88 грн
2500+	43.11 грн
5000+	41.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4153EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ4153EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.64 грн
10+	89.51 грн
100+	69.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4153EY-T1_GE3

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.64 грн
10+	89.51 грн
100+	69.59 грн
500+	55.35 грн
1000+	45.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4153EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4153EY-T1_GE3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.97 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4153EY-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 42143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.26 грн
10+	100.82 грн
100+	68.03 грн
500+	57.6 грн
1000+	46.88 грн
2500+	44.12 грн
5000+	41.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4153EY-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 2.3W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -14A
Power dissipation: 2.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 8.32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.98 грн
5+	117.74 грн
11+	84.53 грн
29+	79.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4153EY-T1_GE3

на замовлення 2475 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	166.78 грн
5+	146.72 грн
11+	101.43 грн
29+	95.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ4182EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4182EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4182EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 30V

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.39 грн
10+	129.15 грн
100+	87.67 грн
500+	72.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4182EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	79.2 грн
10+	71.02 грн
25+	70.58 грн
100+	57.15 грн
250+	52.55 грн
500+	45.09 грн
1000+	38.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ4182EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

товар відсутній

SQ4182EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

товар відсутній

SQ4182EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4182EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

товар відсутній

SQ4182EY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7163 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.26 грн
10+	100.82 грн
100+	68.03 грн
500+	57.53 грн
1000+	46.88 грн
2500+	44.12 грн
5000+	41.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4182EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N

товар відсутній

SQ4184EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4184EY-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 33855 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.26 грн
10+	99.99 грн
100+	68.03 грн
500+	57.6 грн
1000+	46.88 грн
2500+	43.62 грн
5000+	41.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4184EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4184EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 29 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 7025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.73 грн
10+	102.41 грн
100+	76.32 грн
500+	60 грн
1000+	49.05 грн
5000+	42.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ41P00001

на замовлення 1843 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4282EY-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 30V

на замовлення 21028 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.11 грн
10+	92.49 грн
100+	62.24 грн
500+	52.82 грн
1000+	42.96 грн
2500+	40.43 грн
5000+	38.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4282EY-T1_BE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SQ4282EY-T1_BE3

товар відсутній

SQ4282EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

на замовлення 2608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.13 грн
10+	102.94 грн
100+	80.23 грн
500+	62.19 грн
1000+	49.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4282EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	54.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4282EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

товар відсутній

SQ4282EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.04 грн
10+	106.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ4282EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4282EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

на замовлення 710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.13 грн
10+	102.94 грн
100+	80.23 грн
500+	62.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4282EY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 13629 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.11 грн
10+	92.49 грн
100+	62.16 грн
500+	52.67 грн
1000+	42.89 грн
2500+	38.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4282EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SO T/R

товар відсутній

SQ4282EY-T1_GE3

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4284EY-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ4284EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, N-CH, 40V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.66 грн
10+	86.97 грн
25+	82.09 грн
50+	72.45 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ4284EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

товар відсутній

SQ4284EY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

товар відсутній

SQ4284EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

товар відсутній

SQ4284EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	62.72 грн
25+	62.09 грн
100+	54.36 грн
250+	49.82 грн
500+	44.49 грн
1000+	40.42 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ4284EY-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 40V

на замовлення 11460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.57 грн
10+	100.82 грн
100+	69.41 грн
250+	64.05 грн
500+	58.18 грн
1000+	49.78 грн
2500+	45.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4284EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116 грн
10+	92.38 грн
100+	73.51 грн
500+	58.37 грн
1000+	49.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4284EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4284EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4284EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

товар відсутній

SQ4284EY-T1_GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.9W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQ4284EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4284EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116 грн
10+	99.85 грн
100+	80.3 грн
500+	61.91 грн
1000+	51.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4284EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4284EY-T1_GE3

MOSFET 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6727 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.57 грн
10+	100.82 грн
100+	69.41 грн
250+	64.05 грн
500+	58.18 грн
1000+	49.78 грн
2500+	47.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4401CEY

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4401CEY

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	47.47 грн
25+	44.13 грн
50+	40.99 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQ4401CEY-T1/GE3

товар відсутній

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.11 грн
500+	45.74 грн
1000+	37.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ4401CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 40V 175C MOSFET 14mO 10V23mO 4.5V

на замовлення 3759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.98 грн
10+	75.07 грн
100+	50.79 грн
500+	43.04 грн
1000+	36.81 грн
2500+	31.23 грн
10000+	31.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ4401CEY-T1_GE3

на замовлення 4882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.04 грн
11+	79.98 грн
100+	58.11 грн
500+	45.74 грн
1000+	37.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.43 грн
10+	67.55 грн
100+	52.52 грн
500+	41.78 грн
1000+	34.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4401DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC

товар відсутній

SQ4401DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 15.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4401EY-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ4401EY-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 17.3A, SOIC
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	235.71 грн
10+	195.88 грн
25+	182.88 грн
50+	156.98 грн
100+	133.76 грн
250+	122.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4401EY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC

товар відсутній

SQ4401EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4401EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ4401EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4401EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	203.78 грн
10+	163.17 грн
100+	129.84 грн
500+	103.11 грн
1000+	87.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ4401EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V

на замовлення 26913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.47 грн
10+	172.48 грн
100+	126.07 грн
250+	115.93 грн
500+	105.78 грн
1000+	90.57 грн
2500+	82.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ4401EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	91.97 грн
5000+	85.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4401EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4401EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	122.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	186.98 грн
79+	156.69 грн
100+	148.33 грн
200+	142.02 грн
500+	119.38 грн
1000+	107.44 грн
2500+	104.75 грн

Мінімальне замовлення: 66

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4401EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V

на замовлення 17252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	203.78 грн
10+	163.17 грн
100+	129.84 грн
500+	103.11 грн
1000+	87.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ4401EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4401EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

на замовлення 25895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	117.04 грн
500+	95.1 грн
1000+	78.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4401EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	91.97 грн
5000+	85.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4401EY-T1_GE3

на замовлення 25895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.18 грн
50+	134.11 грн
100+	117.04 грн
500+	95.1 грн
1000+	78.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ4401EY-T1_GE3

MOSFETs 40V 17.3A 7.14W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 39513 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.47 грн
10+	182.47 грн
100+	112.3 грн
500+	91.29 грн
1000+	86.22 грн
2500+	84.05 грн
5000+	82.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ4410EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

товар відсутній

SQ4410EY-T1-GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4410EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

товар відсутній

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4410EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 30 V

на замовлення 5801 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.8 грн
10+	93.32 грн
100+	62.96 грн
500+	53.33 грн
1000+	43.47 грн
2500+	40.94 грн
5000+	38.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4410EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

товар відсутній

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4410EY-T1_GE3

MOSFET 30V 15A 5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 22201 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.8 грн
10+	93.32 грн
100+	62.96 грн
500+	53.33 грн
1000+	43.47 грн
2500+	42.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4410EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	70.63 грн
500+	55.55 грн
1000+	48.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ4410EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

на замовлення 505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.97 грн
10+	109.28 грн
100+	85.22 грн
500+	66.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4410EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4410EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	125.98 грн
10+	95.91 грн
100+	70.63 грн
500+	55.55 грн
1000+	48.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ4410EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

товар відсутній

SQ4410EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4425EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4425EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4425EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4425EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	120.9 грн
117+	105.77 грн
118+	100.51 грн
142+	77.78 грн
250+	69.84 грн
500+	63.92 грн
1000+	56.17 грн

Мінімальне замовлення: 102

SQ4425EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30 V

на замовлення 17629 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.62 грн
10+	109.15 грн
100+	73.18 грн
250+	70.79 грн
500+	60.93 грн
1000+	57.46 грн
2500+	56.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	112.27 грн
10+	98.21 грн
25+	97.51 грн
50+	93.33 грн
100+	72.22 грн
250+	64.85 грн
500+	59.36 грн
1000+	52.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ4425EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.24 грн
10+	106.19 грн
100+	84.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4425EY-T1_GE3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	59.87 грн
5000+	55.48 грн
12500+	53.64 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4425EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4425EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4425EY-T1_GE3

на замовлення 35617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.24 грн
10+	106.19 грн
100+	84.52 грн
500+	67.12 грн
1000+	56.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4425EY-T1_GE3

TE Connectivity / First Sensor

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 26304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.23 грн
10+	119.98 грн
100+	82.6 грн
250+	76.8 грн
500+	69.41 грн
1000+	59.41 грн
2500+	56.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ443-13110

Optical Sensor Development Tools LDE Evaluation Board

товар відсутній

SQ4431EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R

товар відсутній

SQ4431EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R

товар відсутній

SQ4431EY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC

товар відсутній

SQ4431EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

товар відсутній

SQ4431EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30V

на замовлення 41848 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.85 грн
10+	62.74 грн
100+	42.46 грн
500+	36.01 грн
1000+	29.34 грн
2500+	27.24 грн
5000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4431EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 2493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.67 грн
10+	57.96 грн
100+	45.09 грн
500+	35.87 грн
1000+	29.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4431EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4431EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R

товар відсутній

SQ4431EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4431EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 6W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 124840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.05 грн
500+	41.51 грн
1000+	30.24 грн
2500+	27.31 грн
5000+	26.12 грн
10000+	25.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ4431EY-T1_GE3

MOSFET 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 67043 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.85 грн
10+	62.74 грн
100+	42.46 грн
500+	36.01 грн
1000+	29.34 грн
2500+	27.1 грн
5000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4431EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 7383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.67 грн
10+	63.32 грн
100+	49.39 грн
500+	38.29 грн
1000+	30.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4431EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4431EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 124840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.59 грн
12+	71.52 грн
100+	54.05 грн
500+	41.51 грн
1000+	30.24 грн
2500+	27.31 грн
5000+	26.12 грн
10000+	25.43 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ4435BEY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4435EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4435EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ4435EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4435EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4435EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4435EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30 V

на замовлення 2435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.2 грн
10+	88.32 грн
100+	59.41 грн
500+	50.43 грн
1000+	41.01 грн
2500+	36.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4435EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.89 грн
10+	79.77 грн
100+	62.07 грн
500+	49.37 грн
1000+	40.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4435EY-T1_GE3

на замовлення 2312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.89 грн
10+	79.77 грн
100+	62.07 грн
500+	49.37 грн
1000+	40.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4435EY-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 11401 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.2 грн
10+	88.32 грн
100+	59.41 грн
500+	50.43 грн
1000+	41.01 грн
2500+	36.81 грн
5000+	36.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4435EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4435EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4470EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

товар відсутній

SQ4470EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4470EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive T/R

товар відсутній

SQ4470EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

на замовлення 14503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.26 грн
10+	100.82 грн
100+	68.03 грн
500+	57.6 грн
1000+	46.88 грн
2500+	43.04 грн
5000+	41.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4470EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

товар відсутній

SQ4470EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive T/R

товар відсутній

SQ4470EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

товар відсутній

SQ4470EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.73 грн
10+	102.41 грн
100+	93.47 грн
500+	79.25 грн
1000+	65.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ4470EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO

товар відсутній

SQ4470EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4470EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO

товар відсутній

SQ4470EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 7.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 7.1
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4470EY-T1_GE3

MOSFET 60V 16A 7.1W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 12955 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.1 грн
10+	110.82 грн
100+	75.35 грн
500+	61.8 грн
1000+	48.83 грн
2500+	45.5 грн
5000+	43.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4483BEEY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4483BEEY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4483BEEY-T1-GE3

Automotive AEC-Q101 P-Channel 30 V MOSFET

товар відсутній

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	143.86 грн
10+	109.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 23793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.7 грн
10+	96.3 грн
100+	76.66 грн
500+	60.88 грн
1000+	51.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	54.3 грн
5000+	50.32 грн
12500+	48.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4483BEEY-T1_GE3

Automotive P-Channel 30 V MOSFET

товар відсутній

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4483BEEY-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.87 грн
10+	108.32 грн
100+	75.35 грн
250+	69.41 грн
500+	62.82 грн
1000+	53.76 грн
2500+	51.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4483EEY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 22A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4483EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4483EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30V

на замовлення 3645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.11 грн
10+	92.49 грн
100+	62.24 грн
500+	52.82 грн
1000+	42.96 грн
2500+	40.43 грн
5000+	38.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4483EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.24 грн
10+	82.49 грн
100+	64.15 грн
500+	51.03 грн
1000+	41.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4483EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4483EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ4483EY-T1_GE3

MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 53607 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.11 грн
10+	92.49 грн
100+	62.16 грн
500+	52.75 грн
1000+	42.96 грн
2500+	39.56 грн
5000+	38.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4483EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4483EY-T1_GE3

на замовлення 2458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.24 грн
10+	82.49 грн
100+	64.15 грн
500+	51.03 грн
1000+	41.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4483EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ44PL210

Souriau

Circular MIL Spec Strain Reliefs & Adapters

товар відсутній

SQ4532470JMB

на замовлення 3350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4532470JMB

4532(1812)

на замовлення 6700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4532560JMB

4532(1812)

на замовлення 8400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4532560JMB

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4532561JSB

на замовлення 378 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4532680J9C

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4532681KAB

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4532AEY-T1_BE3

MOSFETs N/P CHANNEL 30V

на замовлення 23958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.79 грн
10+	46.16 грн
100+	30.79 грн
500+	26.08 грн
1000+	23.26 грн
2500+	22.46 грн
5000+	21.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ4532AEY-T1_BE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	45.2 грн
15+	41.2 грн
25+	40.96 грн
100+	34.13 грн
250+	31.24 грн
500+	25.72 грн
1000+	22.07 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4532AEY-T1_BE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.13 грн
10+	47.7 грн
100+	37.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.13 грн
10+	52.08 грн
25+	49.42 грн
100+	38.11 грн
250+	35.62 грн
500+	31.48 грн
1000+	24.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ4532AEY-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4532AEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.3W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 10471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	72.58 грн
15+	57.38 грн
100+	40.64 грн
500+	32.6 грн
1000+	28.01 грн
5000+	25.85 грн

Мінімальне замовлення: 12

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4532AEY-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4532AEY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 15666 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.02 грн
10+	55.91 грн
100+	35.28 грн
500+	31.3 грн
1000+	27.17 грн
2500+	26.52 грн
5000+	24.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ48-5D-500

ASIA

K1-2

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ48-5D500

ASIA

1999

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4840CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 40V 175C MOSFET 9mO 10V, 12mO 4.5V

на замовлення 4506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.05 грн
10+	79.82 грн
100+	53.91 грн
500+	45.72 грн
1000+	38.98 грн
2500+	33.11 грн
10000+	33.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4840EY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4840EY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4840EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

товар відсутній

SQ4840EY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4840EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V

на замовлення 12488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.21 грн
10+	206.64 грн
25+	169.54 грн
100+	145.63 грн
250+	137.66 грн
500+	128.97 грн
1000+	110.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ4840EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

товар відсутній

SQ4840EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4840EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO

на замовлення 1963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	254.72 грн
10+	220.23 грн
100+	180.44 грн
500+	144.15 грн
1000+	121.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ4840EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO

товар відсутній

SQ4840EY-T1_GE3

MOSFET 40V 10A 1.56W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.21 грн
10+	206.64 грн
25+	169.54 грн
100+	145.63 грн
250+	137.66 грн
500+	129.69 грн
1000+	110.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ4850CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 22mO 10V, 31mO 4.5V

на замовлення 3902 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.61 грн
10+	63.66 грн
100+	43.11 грн
500+	36.59 грн
1000+	31.23 грн
2500+	26.45 грн
10000+	26.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4850EY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4850EY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4850EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4850EY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4850EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4850EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4850EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4850EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.83 грн
10+	74.57 грн
100+	57.99 грн
500+	46.13 грн
1000+	37.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4850EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

на замовлення 57843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.97 грн
10+	83.32 грн
100+	56.59 грн
500+	47.96 грн
1000+	39.05 грн
2500+	36.73 грн
5000+	34.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4850EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ4850EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4850EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

295+	41.75 грн
297+	41.5 грн
298+	41.37 грн
316+	37.5 грн
320+	34.38 грн
500+	31.67 грн
1000+	27.02 грн

Мінімальне замовлення: 295

SQ4850EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4850EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 5520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.89 грн
500+	45.89 грн
1000+	33.37 грн
5000+	33.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ4850EY-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.9A; 6.8W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 6.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQ4850EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4850EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	40.75 грн
16+	38.77 грн
25+	38.54 грн
50+	37.05 грн
100+	32.24 грн
250+	30.65 грн
500+	29.41 грн
1000+	25.09 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ4850EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 23781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.83 грн
10+	74.57 грн
100+	57.99 грн
500+	46.13 грн
1000+	37.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4850EY-T1_GE3

на замовлення 5520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.72 грн
11+	76.16 грн
100+	56.89 грн
500+	45.89 грн
1000+	33.37 грн
5000+	33.3 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ4850EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4850EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.14 грн
5000+	35.9 грн
12500+	34.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4850EY-T1_GE3