Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4483EY-T1_GE3
SQ4483EY-T1_GE3

SQ4483EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq4483ey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.12 грн
10+ 80.02 грн
100+ 62.23 грн
500+ 49.5 грн
1000+ 40.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4483EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4483EY-T1_GE3 за ціною від 37.04 грн до 110.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ4483EY-T1_GE3 SQ4483EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4483ey.pdf MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 56307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.7 грн
10+ 89.72 грн
100+ 60.38 грн
500+ 51.24 грн
1000+ 41.68 грн
2500+ 38.38 грн
5000+ 37.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQ4483EY-T1_GE3 SQ4483EY-T1_GE3 Виробник : Vishay sq4483ey.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SQ4483EY-T1_GE3 SQ4483EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4483ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній