Продукція > VISHAY > SQ4961EY-T1_GE3
SQ4961EY-T1_GE3

SQ4961EY-T1_GE3 Vishay

sq4961ey.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
131+92.07 грн
132+ 91.44 грн
158+ 76.3 грн
250+ 73.03 грн
500+ 58.17 грн
1000+ 45.98 грн
Мінімальне замовлення: 131
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4961EY-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції SQ4961EY-T1_GE3 за ціною від 40.41 грн до 125.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ4961EY-T1_GE3 SQ4961EY-T1_GE3 Виробник : Vishay sq4961ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+92.73 грн
10+ 85.49 грн
25+ 84.91 грн
100+ 68.32 грн
250+ 62.79 грн
500+ 51.86 грн
1000+ 42.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ4961EY-T1_GE3 SQ4961EY-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq4961ey.pdf MOSFET Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 38094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.32 грн
10+ 84.87 грн
100+ 59.32 грн
500+ 51.38 грн
1000+ 43.44 грн
2500+ 41.12 грн
5000+ 40.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQ4961EY-T1_GE3 SQ4961EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4961ey.pdf Description: MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.45 грн
10+ 107.77 грн
100+ 84.02 грн
500+ 65.14 грн
1000+ 51.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQ4961EY-T1-GE3 Виробник : VISHAY SQ4961EY-T1-GE3 Multi channel transistors
товар відсутній
SQ4961EY-T1-GE3 SQ4961EY-T1-GE3 Виробник : Vishay sq4961ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive 8-Pin SO T/R
товар відсутній
SQ4961EY-T1_GE3 SQ4961EY-T1_GE3 Виробник : Vishay sq4961ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товар відсутній
SQ4961EY-T1_GE3 SQ4961EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4961ey.pdf Description: MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товар відсутній