![SQ4961EY-T1_GE3 SQ4961EY-T1_GE3](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/f7aaf8c5b09ae5a18d726dfbdf893d1dcecab996/so-8.jpg)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
131+ | 92.07 грн |
132+ | 91.44 грн |
158+ | 76.3 грн |
250+ | 73.03 грн |
500+ | 58.17 грн |
1000+ | 45.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4961EY-T1_GE3 Vishay
Description: MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції SQ4961EY-T1_GE3 за ціною від 40.41 грн до 125.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQ4961EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ4961EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 38094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ4961EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 2126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SQ4961EY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY | SQ4961EY-T1-GE3 Multi channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
SQ4961EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SQ4961EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SQ4961EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товар відсутній |