SQ4435EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.76 грн |
| 10+ | 76.55 грн |
| 100+ | 59.56 грн |
| 500+ | 47.37 грн |
| 1000+ | 38.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4435EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SQ4435EY-T1_GE3 за ціною від 34.97 грн до 103.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ4435EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 11401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4435EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SQ4435EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SQ4435EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SQ4435EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQ4435EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQ4435EY-T1_GE3 |
товар відсутній |