SQ4532AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4532AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ4532AEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.3W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SQ4532AEY-T1_GE3 за ціною від 22.84 грн до 70.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ4532AEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4532AEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 24873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4532AEY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4532AEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.3W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 10471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4532AEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |