Продукція > VISHAY > SQ4410EY-T1_GE3
SQ4410EY-T1_GE3

SQ4410EY-T1_GE3 VISHAY

sq4410ey.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+68.52 грн
500+ 53.89 грн
1000+ 47.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4410EY-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ4410EY-T1_GE3 за ціною від 41.12 грн до 123.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ4410EY-T1_GE3 SQ4410EY-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq4410ey.pdf MOSFET 30V 15A 5W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 22201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.34 грн
10+ 90.53 грн
100+ 61.08 грн
500+ 51.73 грн
1000+ 42.17 грн
2500+ 41.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQ4410EY-T1_GE3 SQ4410EY-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq4410ey.pdf Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+122.21 грн
10+ 93.04 грн
100+ 68.52 грн
500+ 53.89 грн
1000+ 47.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ4410EY-T1_GE3 SQ4410EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4410ey.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.17 грн
10+ 106.01 грн
100+ 82.67 грн
500+ 64.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQ4410EY-T1-GE3 SQ4410EY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4410ey.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
товар відсутній
SQ4410EY-T1_GE3 SQ4410EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4410ey.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
товар відсутній