SQ4917EY-T1_BE3

SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix


sq4917ey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.2 грн
5000+ 42.81 грн
12500+ 41.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: 0, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 0, Betriebstemperatur, max.: 175°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ4917EY-T1_BE3 за ціною від 41.14 грн до 120.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
158+76.65 грн
165+ 73.22 грн
250+ 70.28 грн
500+ 65.33 грн
1000+ 58.52 грн
2500+ 54.52 грн
Мінімальне замовлення: 158
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
148+81.66 грн
155+ 77.87 грн
174+ 69.47 грн
200+ 64.42 грн
1000+ 54.16 грн
2000+ 50.23 грн
Мінімальне замовлення: 148
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
129+93.74 грн
147+ 82.22 грн
149+ 81.4 грн
219+ 53.3 грн
250+ 48.85 грн
500+ 46.43 грн
1000+ 44.3 грн
Мінімальне замовлення: 129
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4917ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.28 грн
10+ 81.91 грн
100+ 65.23 грн
500+ 51.79 грн
1000+ 43.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+109.3 грн
10+ 87.04 грн
25+ 76.35 грн
50+ 72.88 грн
100+ 45.82 грн
250+ 43.55 грн
500+ 43.12 грн
1000+ 41.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4917ey.pdf MOSFET Dual P-CHANNEL 60 V
на замовлення 41589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.74 грн
10+ 87.94 грн
100+ 60.55 грн
250+ 58.95 грн
500+ 54.02 грн
1000+ 45.33 грн
2500+ 43.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQ4917EY-T1"BE3 SQ4917EY-T1"BE3 Виробник : VISHAY Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+120.88 грн
10+ 99.83 грн
25+ 92.81 грн
50+ 81.11 грн
100+ 68.85 грн
250+ 63.37 грн
Мінімальне замовлення: 7