Продукція > NVM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVM100015TDK-LambdaModular Power Supplies 180W 12V 15A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17789.08 грн
10+ 16488.22 грн
25+ 13501.89 грн
50+ 12820.11 грн
100+ 12641.59 грн
NVM100015TDK-Lambda Americas IncDescription: AC/DC CONVERTER 12V 180W
товар відсутній
NVM100026TDK-LambdaModular Power Supplies 180W 24V 7.5A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16014.6 грн
10+ 14559.65 грн
100+ 12659.86 грн
500+ 12659.16 грн
NVM100026TDK-Lambda Americas IncDescription: AC/DC CONVERTER 24V 180W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 180W
Features: Adjustable Output, Remote On/Off, Remote Sense
Size / Dimension: 5.00" L x 3.00" W x 1.02" H (127.0mm x 76.0mm x 26.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Type: Open Frame
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE
Efficiency: 90%
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4.5 kV
Current - Output 1: 7.5 A
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17735.57 грн
10+ 16058.89 грн
25+ 15123.85 грн
NVM100026TDK-LambdaAC/DC Power Supply 180W 20-Pin
товар відсутній
NVM3060N/A
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVM3060-12
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMarkingKEC
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
товар відсутній
NVMD3P03R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.05A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NVMD3P03R2GonsemiMOSFET PFET SO8 30V 3A 85 MOHM
товар відсутній
NVMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NVMD4N03R2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 4A 60MOHM
товар відсутній
NVMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.52 грн
10+ 74.09 грн
100+ 57.63 грн
500+ 45.85 грн
1000+ 37.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVMD6N03R2ON SemiconductorMOSFET
товар відсутній
NVMD6N03R2GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 6A 0.032R
товар відсутній
NVMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+20.8 грн
Мінімальне замовлення: 987
NVMD6N03R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMD6N03R2G - NVMD6N03R2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1188+33.59 грн
Мінімальне замовлення: 1188
NVMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMD6N04onsemionsemi NFET SO8 40V 4.6A 0.034R
товар відсутній
NVMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
товар відсутній
NVMD6N04R2GonsemiMOSFET NFET SO8 40V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
товар відсутній
NVMD6N04R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 5.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NVMD6P02R2GonsemiMOSFET PFET SO8 20V 7.8A 33MOHM
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
товар відсутній
NVMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NVMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
на замовлення 9368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 473
NVME-31USBAMicro Connectors, Inc.Description: M.2 NVME SSD USB 3.2 GEN 2X1 ADP
Packaging: Box
Interface: PCI Express
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2812.36 грн
10+ 2561.77 грн
50+ 2415.34 грн
NVME-M.2-1TBSMART Embedded Computing1TB NVME M.2 MEDIA
товар відсутній
NVME-S32USBAMicro Connectors, Inc.Description: M.2 NVMe/SATA SSD - USB 3.2 Adp
Packaging: Bulk
Interface: SATA
Convert From (Adapter End): M.2 NVMe, SATA SSD
Convert To (Adapter End): USB - A 3.2 Male
Type: M.2 NVMe, SATA SSD to USB
Part Status: Active
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2660.3 грн
5+ 2433.64 грн
10+ 2311.38 грн
25+ 2060.58 грн
NVMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.58 грн
10+ 122.93 грн
100+ 97.89 грн
500+ 77.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+72.98 грн
3000+ 66.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD016N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD016N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.82 грн
10+ 134.98 грн
100+ 93.48 грн
250+ 86.45 грн
500+ 78.72 грн
1000+ 66.7 грн
1500+ 63.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD016N06CT1GON SemiconductorN Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFD020N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD020N06CT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET Power, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 16.3 mohm, 32 A SO8FL Dual (Pb-Free)
товар відсутній
NVMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/27A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.18 грн
10+ 113.41 грн
100+ 90.26 грн
500+ 71.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/27A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+67.3 грн
3000+ 61.56 грн
7500+ 59.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD024N06CT1GON SemiconductorN Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.54 грн
10+ 120.29 грн
100+ 95.77 грн
500+ 76.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD024N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD024N06CT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 22.6 mohm, 24 A
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164 грн
10+ 134.18 грн
100+ 93.48 грн
250+ 86.45 грн
500+ 78.72 грн
1000+ 67.33 грн
1500+ 64.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+71.4 грн
3000+ 65.32 грн
7500+ 62.86 грн
10500+ 57.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD027N10MCLT1GonsemiMOSFETs Dual N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26 mohm
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.6 грн
10+ 86.49 грн
100+ 58.76 грн
500+ 49.83 грн
1000+ 40.63 грн
1500+ 38.17 грн
3000+ 36.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFD030N06CT1GonsemiMOSFETs Power, Dual N-Channel, DUAL SO-8FL 60 V, 29.7 mohm, 19 A SO-8FL Dual (Pb-Free)
товар відсутній
NVMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/19A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/19A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5483NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5483NLT1GON Semiconductor
на замовлення 10280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5483NLT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5483NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
товар відсутній
NVMFD5483NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
товар відсутній
NVMFD5483NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5483NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5483NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5483NLWFT3GonsemiDescription: DUAL N-CHANNEL 60V, 24A, 36MOHM
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5483NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
товар відсутній
NVMFD5483NLWFT3GON Semiconductor
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5485NLonsemiMOSFET NFET DFN8 60V 20A 60MOHM
товар відсутній
NVMFD5485NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5485NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
товар відсутній
NVMFD5485NLT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 493-502 дні (днів)
2+180.4 грн
10+ 159.23 грн
100+ 111.75 грн
500+ 92.07 грн
1000+ 67.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5485NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5485NLT3GON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5485NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NVMFD5485NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
товар відсутній
NVMFD5485NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5485NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5485NLWFT1G - MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+85.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5485NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5485NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+79.83 грн
Мінімальне замовлення: 287
NVMFD5485NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
NVMFD5485NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 507-516 дні (днів)
2+189.42 грн
10+ 168.12 грн
100+ 117.38 грн
500+ 96.29 грн
1000+ 80.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5485NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NVMFD5485NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
товар відсутній
NVMFD5485NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5489NLT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5489NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5489NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
товар відсутній
NVMFD5489NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5489NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5489NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
товар відсутній
NVMFD5489NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
товар відсутній
NVMFD5489NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
товар відсутній
NVMFD5489NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5489NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5489NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
товар відсутній
NVMFD5489NLWFT3GON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5489NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5489NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
товар відсутній
NVMFD5852NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5852NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5852NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5852NLT1GON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 40V, 44A, 6.9 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5852NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5852NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 44A 6.9mOhm Dual N-CH
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5853NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 29A 10MOHM
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5853NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 34A 10mOhm Dual N-CH
товар відсутній
NVMFD5853NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5853NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NVMFD5853NT1GON Semiconductor
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5853NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NVMFD5853NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 34A 10MOHM
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5853NWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5853NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NVMFD5853NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET DFN8 40V 53A 10MOHM
товар відсутній
NVMFD5873NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 60V 58A 13MOHM
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5873NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5873NLT1GON Semiconductor
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5873NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5873NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+69.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5873NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5873NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5873NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 58A 13mOhm Dual N-CH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5875NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5875NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5875NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5875NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5875NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
товар відсутній
NVMFD5875NLWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
товар відсутній
NVMFD5875NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5875NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
товар відсутній
NVMFD5875NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5877NLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 12W; DFN8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 12W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
NVMFD5877NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5877NLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 12W; DFN8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 12W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
товар відсутній
NVMFD5877NLT1GonsemiMOSFET 16-128MHZ3.3VGPEMI
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5877NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 17A 39MOHM
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5877NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
товар відсутній
NVMFD5877NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5877NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 17A 39mOhmDual N-CH
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5877NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 17A 39mOhmDual N-CH
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5877NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.68 грн
10+ 234.07 грн
100+ 189.39 грн
500+ 157.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C446NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C446NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 7213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.16 грн
10+ 236.83 грн
25+ 202.42 грн
100+ 172.9 грн
250+ 172.2 грн
500+ 155.33 грн
1000+ 132.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C446NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C446NLWFT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 1197-1206 дні (днів)
1+388.68 грн
10+ 341.9 грн
100+ 243.19 грн
500+ 209.45 грн
1000+ 175.01 грн
NVMFD5C446NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C446NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A/127A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C446NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 89W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 89W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+190.81 грн
500+ 169.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMFD5C446NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A/127A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C446NT1GonsemiMOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 500-509 дні (днів)
2+318.16 грн
10+ 279.67 грн
100+ 198.91 грн
500+ 170.79 грн
1000+ 169.39 грн
1500+ 143.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C446NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 89W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 89W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.73 грн
10+ 235.75 грн
100+ 190.81 грн
500+ 169.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C446NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C446NWFT1GonsemiMOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
товар відсутній
NVMFD5C446NWFT1GonsemiDescription: 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NVMFD5C446NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C446NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C446NWFT1GonsemiDescription: 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NVMFD5C462NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C462NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 12100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+82.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5C462NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.8 грн
10+ 144.68 грн
100+ 111.75 грн
250+ 106.83 грн
500+ 94.89 грн
1500+ 75.21 грн
3000+ 73.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C462NLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 52A; 25W; DFN8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 25W
Dimensions: 5x6mm
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 52A
On-state resistance: 4.7mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NVMFD5C462NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C462NLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 52A; 25W; DFN8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 25W
Dimensions: 5x6mm
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 52A
On-state resistance: 4.7mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NVMFD5C462NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 10760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C462NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+96.92 грн
3000+ 88.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.76 грн
10+ 177.01 грн
100+ 125.11 грн
250+ 123 грн
500+ 105.43 грн
1000+ 104.02 грн
1500+ 88.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.52 грн
10+ 163.34 грн
100+ 130 грн
500+ 103.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C462NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 17.6A/70A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C462NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C462NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C462NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 17.6A/70A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C462NT1GonsemiMOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.08 грн
10+ 177.82 грн
100+ 121.59 грн
500+ 99.81 грн
1500+ 82.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
товар відсутній
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorDescription: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
товар відсутній
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C466NLonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товар відсутній
NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C466NLT1GON Semiconductor
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A/52A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C466NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 34595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.96 грн
10+ 113.16 грн
100+ 82.94 грн
250+ 80.83 грн
500+ 70.29 грн
1500+ 59.74 грн
3000+ 54.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A/52A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
товар відсутній
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 7295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.8 грн
10+ 144.68 грн
100+ 111.75 грн
250+ 106.83 грн
500+ 94.89 грн
1000+ 93.48 грн
1500+ 79.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
товар відсутній
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C466NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C466NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive T/R
товар відсутній
NVMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A/49A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.45 грн
10+ 100.16 грн
100+ 79.67 грн
500+ 63.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C466NT1GON Semiconductor
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C466NT1GonsemiMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.94 грн
10+ 113.16 грн
100+ 78.02 грн
250+ 71.69 грн
500+ 65.15 грн
1000+ 54.68 грн
1500+ 54.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A/49A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+59.4 грн
3000+ 54.34 грн
7500+ 52.3 грн
10500+ 47.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5C466NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C466NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C466NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A/49A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.61 грн
10+ 110.41 грн
100+ 87.85 грн
500+ 69.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C466NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A/49A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+65.5 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5C470NLonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товар відсутній
NVMFD5C470NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 948-957 дні (днів)
3+126.28 грн
10+ 101.84 грн
100+ 73.8 грн
250+ 70.29 грн
500+ 61.57 грн
1000+ 50.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C470NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C470NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C470NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товар відсутній
NVMFD5C470NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C470NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C470NT1GonsemiMOSFET 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.32 грн
10+ 118.82 грн
100+ 82.23 грн
250+ 75.91 грн
500+ 68.67 грн
1000+ 58.76 грн
1500+ 55.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C470NT1GON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C470NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C470NWFT1GonsemiMOSFET 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
товар відсутній
NVMFD5C470NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C478NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.81 грн
10+ 91.74 грн
100+ 73.05 грн
500+ 58.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C478NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C478NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5C478NLT1GON SemiconductorMOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C478NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C478NLWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiDescription: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
товар відсутній
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiDescription: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
товар відсутній
NVMFD5C478NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A/27A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.37 грн
10+ 95.03 грн
100+ 75.62 грн
500+ 60.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C478NT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C478NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C478NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A/27A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+56.38 грн
3000+ 51.58 грн
7500+ 49.64 грн
10500+ 45.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5C478NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C478NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.67 грн
11+ 75.69 грн
100+ 60.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVMFD5C478NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A/27A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.97 грн
3000+ 48.46 грн
7500+ 46.64 грн
10500+ 42.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5C478NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 17 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C478NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A/27A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111 грн
10+ 89.32 грн
100+ 71.05 грн
500+ 56.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C650NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C650NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C650NLT1GON Semiconductor
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C650NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C650NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
товар відсутній
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
товар відсутній
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V S08FL DUAL
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C668NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A/68A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.45 грн
10+ 176.08 грн
100+ 142.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C668NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A/68A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C668NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V S08FL DUAL
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.62 грн
10+ 198.03 грн
25+ 163.77 грн
100+ 139.17 грн
250+ 135.65 грн
500+ 123.7 грн
1000+ 116.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+99.93 грн
10+ 87.28 грн
25+ 85.31 грн
100+ 62.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVMFD5C668NLT1GON Semiconductor
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V S08FL DUAL
товар відсутній
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+54.82 грн
25+ 54.29 грн
100+ 50.11 грн
250+ 45.32 грн
500+ 43.27 грн
1000+ 43.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0098 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0098ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMFD5C672NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C672NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.38 грн
10+ 125.71 грн
100+ 100.04 грн
500+ 79.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0098 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0098ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.6 грн
10+ 111.17 грн
100+ 83.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVMFD5C672NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C672NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
товар відсутній
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.66 грн
10+ 148.72 грн
100+ 104.02 грн
500+ 87.86 грн
1000+ 80.13 грн
1500+ 67.69 грн
3000+ 62.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+139.99 грн
94+ 128.3 грн
95+ 127.5 грн
110+ 105.9 грн
250+ 97.07 грн
500+ 82.87 грн
1000+ 82.13 грн
Мінімальне замовлення: 87
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+129.99 грн
10+ 119.14 грн
25+ 118.39 грн
100+ 98.33 грн
250+ 90.14 грн
500+ 76.95 грн
1000+ 76.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.38 грн
10+ 125.49 грн
100+ 99.91 грн
500+ 79.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C674NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A/42A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C674NLT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.18 грн
10+ 107.5 грн
100+ 82.23 грн
250+ 76.61 грн
500+ 69.3 грн
1000+ 59.88 грн
1500+ 56.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C674NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C674NLT1GON Semiconductor
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C674NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C674NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A/42A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.57 грн
10+ 107.33 грн
100+ 85.48 грн
500+ 67.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C674NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A/42A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.09 грн
10+ 108.87 грн
100+ 86.69 грн
500+ 68.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C674NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A/42A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+64.63 грн
3000+ 59.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5C674NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C674NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C680NLT1GON Semiconductor
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 79500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.33 грн
10+ 92.62 грн
100+ 73.74 грн
500+ 58.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C680NLT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 629-638 дні (днів)
3+126.28 грн
10+ 103.46 грн
100+ 71.69 грн
250+ 66 грн
500+ 60.23 грн
1000+ 51.66 грн
1500+ 49.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 79500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.98 грн
3000+ 50.29 грн
7500+ 48.4 грн
10500+ 43.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5C680NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 1106-1115 дні (днів)
3+122.18 грн
10+ 100.23 грн
100+ 69.3 грн
250+ 64.17 грн
500+ 58.27 грн
1000+ 49.9 грн
1500+ 47.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C680NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C680NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD6H840NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A/74A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD6H840NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD6H840NLT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 7458 шт:
термін постачання 528-537 дні (днів)
2+215.66 грн
10+ 189.95 грн
100+ 132.84 грн
500+ 110.35 грн
1000+ 90.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD6H840NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A/74A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD6H840NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD6H840NLWFT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 877-886 дні (днів)
2+214.02 грн
10+ 189.95 грн
100+ 132.84 грн
500+ 108.94 грн
1000+ 90.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD6H846NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD6H846NLT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.52 грн
10+ 125.28 грн
100+ 87.15 грн
500+ 73.8 грн
1000+ 62.13 грн
1500+ 59.04 грн
3000+ 56.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD6H846NLWFT1GonsemiMOSFET MOSFET - Power, Dual N-Channel, 80 V, 15 mohm 31 A NVMFD6H846NL DFN8 (Pb-Free, Wettable Flanks)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 481-490 дні (днів)
3+115.62 грн
10+ 93.76 грн
100+ 63.47 грн
500+ 53.77 грн
1000+ 47.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD6H846NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD6H852NLT1GON SemiconductorMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD6H852NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD6H852NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD6H852NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD6H852NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.56 грн
10+ 67.01 грн
100+ 47.3 грн
500+ 40.7 грн
1000+ 39.22 грн
1500+ 29.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFD6H852NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD6H852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD6H852NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD6H852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD6H852NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD6H852NLWFT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.29 грн
10+ 69.43 грн
100+ 53.21 грн
500+ 47.16 грн
1000+ 37.39 грн
1500+ 36.13 грн
3000+ 34.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS002N10MCLON SemiconductorPTNG 100V LL SO8FL HE
товар відсутній
NVMFS003P03P8ZT1GonsemiDescription: PFET SO8FL -30V 3MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.27 грн
10+ 134.2 грн
100+ 106.8 грн
500+ 84.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS003P03P8ZT1GonsemiMOSFET Power MOSFET - Power, Single P-Channel, SO8-FL -30 V, 1.8 mohm, -234 A
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.16 грн
10+ 172.16 грн
100+ 120.89 грн
500+ 99.1 грн
1000+ 82.23 грн
1500+ 75.91 грн
4500+ 73.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS003P03P8ZT1GonsemiDescription: PFET SO8FL -30V 3MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V
товар відсутній
NVMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 18.4A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS005N10MCLT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel100 V, 5.1 mohm, 108A DFN5 (Pb-Free)
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.04 грн
10+ 115.58 грн
100+ 80.13 грн
250+ 79.42 грн
500+ 67.97 грн
1000+ 64.66 грн
1500+ 58.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.25 грн
10+ 103.67 грн
100+ 82.51 грн
500+ 65.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS005N10MCLT1GON SemiconductorMOSFET Power, Single, N Channel 100 V, 5.1 m, 108A
товар відсутній
NVMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+61.52 грн
3000+ 56.28 грн
7500+ 54.16 грн
10500+ 49.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS014P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.62 грн
3000+ 27.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS014P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 12.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS014P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 12.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS014P04M8LT1GonsemiMOSFET MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.52 грн
10+ 61.59 грн
100+ 41.68 грн
500+ 35.28 грн
1000+ 28.75 грн
1500+ 27.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS014P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.19 грн
10+ 54.91 грн
100+ 42.71 грн
500+ 33.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS015N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 54A, 12.2mohm
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.94 грн
10+ 78.16 грн
100+ 52.5 грн
500+ 44.42 грн
1000+ 42.1 грн
1500+ 35.56 грн
3000+ 32.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.79 грн
3000+ 35.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.2 грн
10+ 69.55 грн
100+ 54.1 грн
500+ 43.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS016N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS016N06CT1GON SemiconductorN Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFS016N06CT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 33A, 15.6 mohm SO8FL(Pb-Free)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 224-233 дні (днів)
4+103.32 грн
10+ 83.25 грн
100+ 56.93 грн
500+ 48.22 грн
1000+ 39.29 грн
1500+ 36.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS016N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.9A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS016N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 64µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.51 грн
10+ 58.35 грн
100+ 45.36 грн
500+ 36.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS016N10MCLT1GON SemiconductorNVMFS016N10MCLT1G
товар відсутній
NVMFS016N10MCLT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 14 mohm, 46A
на замовлення 21315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.11 грн
10+ 64.99 грн
100+ 44 грн
500+ 37.25 грн
1000+ 30.36 грн
1500+ 28.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS016N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 64µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS021N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 5280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.6 грн
10+ 56.98 грн
100+ 33.81 грн
500+ 28.25 грн
1000+ 24.04 грн
1500+ 21.79 грн
3000+ 20.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS021N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 42µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.06 грн
10+ 50.52 грн
100+ 34.95 грн
500+ 27.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVMFS021N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 42µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.81 грн
3000+ 22.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS024N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 224-233 дні (днів)
4+92.66 грн
10+ 75.17 грн
100+ 51.1 грн
500+ 43.37 грн
1000+ 35.28 грн
1500+ 33.17 грн
3000+ 31.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS024N06CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS025P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS025P04M8LT1GonsemiMOSFET MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.37 грн
10+ 59.09 грн
100+ 35.63 грн
500+ 29.73 грн
1000+ 25.37 грн
1500+ 22.49 грн
3000+ 21.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS025P04M8LT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товар відсутній
NVMFS025P04M8LT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товар відсутній
NVMFS025P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.19 грн
10+ 57.55 грн
100+ 39.87 грн
500+ 31.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS027N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.95 грн
10+ 55.13 грн
100+ 42.86 грн
500+ 34.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS027N10MCLT1GON SemiconductorPTNG 100V LL SO8FL
товар відсутній
NVMFS027N10MCLT1GON SemiconductorPTNG 100V LL SO8FL
товар відсутній
NVMFS027N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.73 грн
3000+ 27.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS027N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 28A, 26mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.52 грн
10+ 61.19 грн
100+ 41.4 грн
500+ 35.07 грн
1000+ 31.49 грн
1500+ 27.62 грн
3000+ 25.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.9 грн
10+ 40.34 грн
100+ 27.92 грн
500+ 21.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVMFS040N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 28A, 26mohm
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.64 грн
10+ 45.67 грн
100+ 27.13 грн
500+ 22.7 грн
1000+ 16.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVMFS040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.62 грн
3000+ 17.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS040N10MCLT1GON SemiconductorNVMFS040N10MCLT1G
товар відсутній
NVMFS040N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 660-669 дні (днів)
2+246 грн
10+ 203.69 грн
25+ 167.28 грн
100+ 143.38 грн
250+ 135.65 грн
500+ 127.22 грн
1000+ 108.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS2D3P04M8LT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товар відсутній
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.61 грн
10+ 185.52 грн
100+ 150.07 грн
500+ 125.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS2D3P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 31A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+118.62 грн
3000+ 107.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS2D3P04M8LT1G транзистор
Код товару: 200395		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
NVMFS3D0P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.48 грн
10+ 161.07 грн
100+ 128.22 грн
500+ 101.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiMOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 2.7 mohm, -183 A
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.94 грн
10+ 193.99 грн
100+ 136.35 грн
500+ 111.75 грн
1500+ 92.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS3D0P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 28A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+91.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+95.6 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS3D6N10MCLonsemiMOSFET
товар відсутній
NVMFS3D6N10MCLT1G
Код товару: 188443		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A/132A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.73 грн
10+ 234.96 грн
25+ 213.67 грн
100+ 178.64 грн
500+ 118.27 грн
1500+ 117.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+178.64 грн
500+ 118.27 грн
1500+ 117.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A/132A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.33 грн
10+ 183.91 грн
100+ 148.73 грн
500+ 124.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR AUTOMOTIVE MARKET
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.64 грн
10+ 205.3 грн
25+ 172.9 грн
100+ 144.79 грн
250+ 139.87 грн
500+ 127.92 грн
1000+ 118.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS4841NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 89A 7MOHM
товар відсутній
NVMFS4841NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4841NT1GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 5DFN
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS4841NT1GON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,89A,7mOhm
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 89A 7mOhm SGL N-CH
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 89A SO8FL
товар відсутній
NVMFS4C01NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товар відсутній
NVMFS4C01NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 217500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.33 грн
10+ 273.6 грн
100+ 221.33 грн
500+ 184.63 грн
NVMFS4C01NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 560 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+387.13 грн
10+ 293.31 грн
100+ 236.54 грн
500+ 195.48 грн
1500+ 154.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS4C01NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 217500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+174.94 грн
3000+ 158.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS4C01NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товар відсутній
NVMFS4C01NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 560 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+236.54 грн
500+ 195.48 грн
1500+ 154.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMFS4C01NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товар відсутній
NVMFS4C01NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS4C01NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+160.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS4C01NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+309.44 грн
10+ 250.61 грн
100+ 202.74 грн
500+ 169.12 грн
NVMFS4C01NWFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+332.1 грн
10+ 274.01 грн
25+ 225.62 грн
100+ 192.58 грн
250+ 182.04 грн
500+ 171.5 грн
1000+ 146.9 грн
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товар відсутній
NVMFS4C03NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS4C03NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.26 грн
10+ 123.67 грн
100+ 89.97 грн
250+ 82.94 грн
500+ 75.21 грн
1000+ 64.8 грн
1500+ 61.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS4C03NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C03NT1GON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R NVMFS4C03NT1G TNVMFS4C03N
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVMFS4C03NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.98 грн
10+ 116.85 грн
100+ 93.02 грн
500+ 73.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS4C03NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C03NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
товар відсутній
NVMFS4C03NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
товар відсутній
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4C03NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.42 грн
10+ 112.82 грн
100+ 89.79 грн
500+ 71.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C03NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS4C03NWFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.16 грн
10+ 126.09 грн
100+ 87.86 грн
500+ 74.5 грн
1000+ 62.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
товар відсутній
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
товар відсутній
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 34.9A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+99.16 грн
128+ 94.61 грн
130+ 93.26 грн
144+ 81.14 грн
250+ 74.38 грн
500+ 64.39 грн
1000+ 61.93 грн
Мінімальне замовлення: 122
NVMFS4C05NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
на замовлення 4310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.85 грн
10+ 118.09 грн
100+ 94.94 грн
500+ 73.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+64.62 грн
3000+ 61.53 грн
7500+ 59.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS4C05NT1GON Semiconductor
на замовлення 12264 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 24.7A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C05NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+67.12 грн
3000+ 60.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS4C05NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 5381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.56 грн
10+ 109.93 грн
100+ 76.61 грн
500+ 64.8 грн
1000+ 62.48 грн
1500+ 54.89 грн
3000+ 51.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+90.69 грн
3000+ 82.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+92.07 грн
10+ 87.85 грн
25+ 86.6 грн
100+ 75.34 грн
250+ 69.07 грн
500+ 59.79 грн
1000+ 57.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товар відсутній
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товар відсутній
NVMFS4C05NT3GON Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 24.7A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C05NWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товар відсутній
NVMFS4C05NWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS4C05NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C05NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4C05NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
товар відсутній
NVMFS4C05NWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товар відсутній
NVMFS4C302NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4C302NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 43A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C302NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
на замовлення 20997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.62 грн
10+ 161.66 грн
100+ 111.75 грн
250+ 103.32 грн
500+ 93.48 грн
1000+ 80.13 грн
1500+ 76.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS4C302NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
товар відсутній
NVMFS4C302NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 43A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C308NWFT1GonsemiDescription: TRENCH 30V NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS4C308NWFT1GonsemiDescription: TRENCH 30V NCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS4C310NT1GON Semiconductor
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS4C310NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C310NT1GON SemiconductorMOSFET TRENCH 30V NCH
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4C310NT3GON SemiconductorMOSFET TRENCH 30V NCH
товар відсутній
NVMFS4C310NWFT1GON SemiconductorMOSFET TRENCH 30V NCH
товар відсутній
NVMFS4C310NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V TRENCH
товар відсутній
NVMFS4C310NWFT3GON SemiconductorMOSFET TRENCH 30V NCH
товар відсутній
NVMFS5113PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+91.96 грн
3000+ 84.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5113PLT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5113PLT1GON SemiconductorMOSFET SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5113PLT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -45A; 75W; DFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -45A
Power dissipation: 75W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NVMFS5113PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.88 грн
10+ 154.99 грн
100+ 123.34 грн
500+ 97.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5113PLT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5113PLT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -45A; 75W; DFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -45A
Power dissipation: 75W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVMFS5113PLT1GonsemiMOSFET SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1
на замовлення 21957 шт:
термін постачання 726-735 дні (днів)
2+214.84 грн
10+ 187.52 грн
100+ 131.43 грн
500+ 108.94 грн
1000+ 108.24 грн
1500+ 89.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5113PLT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+87.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5113PLWFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 549-558 дні (днів)
2+230.42 грн
10+ 203.69 грн
100+ 142.68 грн
500+ 117.38 грн
1500+ 96.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5113PLWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5113PLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5113PLWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5113PLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5113PLWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5113PLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5826NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5826NLT1GON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5826NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS5826NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5826NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5826NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5826NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5826NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5826NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5826NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5826NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5826NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5826NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 26A 24mOhm SGL N-CH
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5826NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5826NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 26A 24mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5826NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5830NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5830NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
NVMFS5830NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 185A 2.3MO
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5830NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5830NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5830NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 185A 2.3MO
товар відсутній
NVMFS5830NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5830NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 40V 185A 2.3mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5830NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5830NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5830NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5830NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 185A 2.3mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5831NLWFT1GonsemiDescription: T2 40V LL, SINGLE NCH, SO-8FL 2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4946 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5831NLWFT1GonsemiDescription: T2 40V LL, SINGLE NCH, SO-8FL 2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4946 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5832NLonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
товар відсутній
NVMFS5832NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+42.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5832NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
NVMFS5832NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5832NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5832NLT1GonsemiMOSFET Power MOSFET 40V, 120A, 4.2 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
товар відсутній
NVMFS5832NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5832NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5832NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5832NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5832NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
товар відсутній
NVMFS5832NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5832NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 40V 120A 4.2mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5832NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5832NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5832NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5832NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.32 грн
10000+ 37.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NVMFS5832NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5832NLWFT3GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 40V 120A 4.2mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5833NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5833NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5833NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5833NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5833NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5833NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5833NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5833NT3GonsemiMOSFET Power MOSFET 40V, 86A, 7.5 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL.
товар відсутній
NVMFS5833NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5833NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
товар відсутній
NVMFS5833NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5833NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5833NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
товар відсутній
NVMFS5833NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5833NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5834NLonsemionsemi NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH
товар відсутній
NVMFS5834NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5834NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5834NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5834NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5834NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5834NLT1GON Semiconductor
на замовлення 24165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5834NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5834NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5834NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5834NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH
товар відсутній
NVMFS5834NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5834NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 40V 75A 9.3mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5834NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5834NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 75A 9.3mOhm SGL N-CH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5834NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5834NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5834NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5834NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5844NLonsemionsemi NFET SO8FL 60V 61A 12MOHM
товар відсутній
NVMFS5844NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5844NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS5844NLT1GON SemiconductorMOSFET SO8FL 60V
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5844NLT1GON Semiconductor
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5844NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5844NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5844NLT3GON SemiconductorNVMFS5844NLT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
товар відсутній
NVMFS5844NLT3GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE N-CHANNEL,
товар відсутній
NVMFS5844NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5844NLT3GON SemiconductorNVMFS5844NLT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
товар відсутній
NVMFS5844NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5844NLT3GonsemiMOSFET SO8FL 60V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5844NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5844NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.86 грн
25+ 35.29 грн
50+ 33.47 грн
100+ 30.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
NVMFS5844NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 61A 12mOhm SGL N-CH
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5844NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 61A SO8FL
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS5844NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 61A 12mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5844NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5844NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5885NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5885NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5885NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5885NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS5885NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM
товар відсутній
NVMFS5885NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5885NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5885NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.2A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5885NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 39A 15mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5885NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5885NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5885NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 39A 15mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5885NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5A140PLZonsemiMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
товар відсутній
NVMFS5A140PLZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5A140PLZT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A140PLZT1GON SemiconductorMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5A140PLZT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A140PLZT3GON SemiconductorMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5A140PLZT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5A140PLZWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5A140PLZWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A140PLZWFT1GON SemiconductorMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5A140PLZWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A140PLZWFT3GON SemiconductorMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
товар відсутній
NVMFS5A140PLZWFT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5A160PLZonsemiMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 100A; 200W; DFN5x6
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5x6
On-state resistance: 7.7mΩ
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 100A; 200W; DFN5x6
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5x6
On-state resistance: 7.7mΩ
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT1GonsemiMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT3GON SemiconductorMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5A160PLZWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A160PLZWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5A160PLZWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A160PLZWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5A160PLZWFT1GON SemiconductorMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
на замовлення 44799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5A160PLZWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A160PLZWFT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5A160PLZWFT3GON SemiconductorMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
товар відсутній
NVMFS5A160PLZWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NAFT1GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C404NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C404NAFT3GON SemiconductorT6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C404NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLAFT1GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.12 грн
10+ 248.95 грн
25+ 210.15 грн
100+ 175.01 грн
250+ 170.09 грн
500+ 155.33 грн
1000+ 134.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C404NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.03 грн
10+ 225.65 грн
100+ 182.54 грн
500+ 152.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C404NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+144.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C404NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
товар відсутній
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+112.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVMFS5C404NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLT1GON Semiconductor
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+139.96 грн
10+ 138.07 грн
25+ 136.27 грн
100+ 129.58 грн
250+ 118.37 грн
500+ 112.02 грн
1000+ 110.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS5C404NLT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
товар відсутній
NVMFS5C404NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+627.62 грн
10+ 469.92 грн
100+ 399.75 грн
500+ 304.57 грн
1500+ 280.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C404NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFAFT1GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 477-486 дні (днів)
1+614.18 грн
10+ 543.98 грн
100+ 391.49 грн
500+ 342.99 грн
1000+ 340.89 грн
1500+ 302.23 грн
NVMFS5C404NLWFAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+469.92 грн
100+ 399.75 грн
500+ 304.57 грн
1500+ 280.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVMFS5C404NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFAFT3GonsemiMOSFETs T6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFAFT3GON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.67 MOHMS LL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.67 MOHMS LL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFET1GonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40V, 370A, 0.67mohm
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+112.3 грн
4500+ 107.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C404NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C404NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 40V 373A 750MO
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.38 грн
10+ 379.89 грн
25+ 312.07 грн
100+ 267.09 грн
250+ 252.33 грн
500+ 237.57 грн
1000+ 203.13 грн
NVMFS5C404NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+256.18 грн
10+ 225.64 грн
100+ 184.68 грн
250+ 172.35 грн
500+ 119.69 грн
1000+ 107.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C404NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.21 грн
10+ 460.08 грн
100+ 376.97 грн
500+ 301.16 грн
NVMFS5C404NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS5C404NT1GonsemiMOSFET T6-40V N 0.7 MOHMS SL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 593-602 дні (днів)
1+519.88 грн
10+ 457.49 грн
100+ 326.13 грн
500+ 279.74 грн
1500+ 277.63 грн
NVMFS5C404NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 345A
товар відсутній
NVMFS5C404NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C404NWFAFT1GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.38 грн
10+ 371.81 грн
100+ 264.27 грн
500+ 224.91 грн
1000+ 189.77 грн
1500+ 180.63 грн
3000+ 173.61 грн
NVMFS5C404NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C404NWFAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C404NWFAFT3GON SemiconductorT6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C404NWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NWFET1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 378A, 0.7mohm Power MOSFET 40V, 378A, 0.7 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, WF
товар відсутній
NVMFS5C404NWFET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.7 MOHMS SL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.70mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1731000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+200.95 грн
3000+ 182.21 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C404NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.7 MOHMS SL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.70mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1731000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.27 грн
10+ 314.31 грн
100+ 254.24 грн
500+ 212.09 грн
NVMFS5C404NWFET3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 345A
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT1G-KonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT1G-MonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 345A
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C404NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT3G-KonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C406NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C406NLT1GonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 1200-1209 дні (днів)
1+361.62 грн
10+ 317.66 грн
100+ 226.32 грн
500+ 194.69 грн
1000+ 193.29 грн
1500+ 163.06 грн
NVMFS5C406NLT1GON SemiconductorMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C406NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C406NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.5 грн
10+ 283.27 грн
100+ 229.18 грн
NVMFS5C406NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5C406NT1GON Semiconductor
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C406NT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C406NT1GON SemiconductorT6 40V SG NCH SO8FL HEFET
товар відсутній
NVMFS5C406NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C406NWFT1GonsemiMOSFET T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
товар відсутній
NVMFS5C406NWFT1GON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFS5C406NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410Nonsemionsemi T6-40V N 0.92 MOHMS SL
товар відсутній
NVMFS5C410NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.08 грн
10+ 243.44 грн
100+ 196.95 грн
500+ 164.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C410NAFT1GON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C410NAFT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+326.36 грн
10+ 270.78 грн
25+ 221.4 грн
100+ 190.47 грн
250+ 179.93 грн
500+ 168.69 грн
1000+ 144.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C410NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NAFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C410NLonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C410NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 374940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.47 грн
10+ 221.4 грн
100+ 179.13 грн
500+ 149.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C410NLAFT1GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.3 грн
10+ 247.34 грн
100+ 173.61 грн
500+ 154.63 грн
1500+ 132.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C410NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 373500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+141.58 грн
3000+ 128.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C410NLAFT1GON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFS5C410NLAFT1GON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFS5C410NLAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C410NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
товар відсутній
NVMFS5C410NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
товар відсутній
NVMFS5C410NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.28 грн
10+ 240.66 грн
100+ 194.64 грн
500+ 162.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C410NLWFAFT1GON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+153.84 грн
3000+ 139.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C410NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFAFT1GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.08 грн
10+ 267.54 грн
100+ 188.37 грн
500+ 167.28 грн
1000+ 156.03 грн
1500+ 137.76 грн
3000+ 134.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C410NLWFAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFET1GonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40V, 330A, 0.82mohm
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFET1GonsemiDescription: T6 40V SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFET1GonsemiDescription: T6 40V SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C410NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C410NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NWFAFT1GonsemiMOSFETs T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.88 грн
10+ 295.02 грн
25+ 241.78 грн
100+ 207.34 грн
250+ 196.1 грн
500+ 184.15 грн
1000+ 157.44 грн
NVMFS5C410NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.45 грн
10+ 265.62 грн
100+ 214.88 грн
500+ 179.24 грн
NVMFS5C410NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+169.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C410NWFAFT3GON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NWFAFT3GON SemiconductorT6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C410NWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NWFAFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C410NWFET1GonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40V, 300A, 0.92mohm
товар відсутній
NVMFS5C410NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.92 MOHMS SL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.15 грн
10+ 232.89 грн
100+ 188.45 грн
500+ 157.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C410NWFET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NWFET1GON SemiconductorPower MOSFET
товар відсутній
NVMFS5C410NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.92 MOHMS SL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+148.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C410NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NWFT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C410NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NWFT1G-MonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C410NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NWFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C410NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C420NLT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40 V, 1.0 mohm, 272 A
на замовлення 11972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.8 грн
10+ 174.59 грн
25+ 150.41 грн
100+ 134.95 грн
250+ 134.25 грн
500+ 123.7 грн
1000+ 106.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C420NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C420NLT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.73 грн
10+ 177.62 грн
100+ 143.71 грн
500+ 119.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C420NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C420NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 146W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMFS5C420NLT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+113.59 грн
3000+ 102.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C420NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+119.88 грн
10+ 108.42 грн
25+ 100.8 грн
50+ 96.23 грн
100+ 78.56 грн
250+ 74.67 грн
500+ 62.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS5C420NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C420NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.58 грн
10+ 145.87 грн
100+ 118.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS5C420NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C420NLWFT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.26 грн
10+ 194.16 грн
100+ 157.03 грн
500+ 130.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C420NLWFT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40 V, 1.0 mohm, 272 A Wettable Flank Option
на замовлення 10493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.66 грн
10+ 212.58 грн
25+ 179.93 грн
100+ 149.71 грн
250+ 144.79 грн
500+ 133.54 грн
1000+ 123 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C420NLWFT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C420NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C420NT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
товар відсутній
NVMFS5C420NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C420NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+158.53 грн
10+ 141.14 грн
25+ 139.82 грн
50+ 133.53 грн
100+ 104.96 грн
250+ 99.78 грн
500+ 98.79 грн
1000+ 97.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS5C420NT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
товар відсутній
NVMFS5C420NWFT1GonsemiMOSFET Power MOSFET, N-Channel, SO8FL, 40 V, 1.1 mohm, 268 A Wettable Flank Option
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.38 грн
10+ 212.58 грн
25+ 182.04 грн
100+ 149.71 грн
500+ 133.54 грн
1500+ 115.97 грн
3000+ 106.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C420NWFT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
товар відсутній
NVMFS5C420NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+112.59 грн
10+ 104.29 грн
25+ 99.22 грн
50+ 94.72 грн
100+ 78.18 грн
250+ 74.3 грн
500+ 73.55 грн
1000+ 72.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVMFS5C420NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C420NWFT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
товар відсутній
NVMFS5C423NLonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C423NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.78 грн
10+ 119.41 грн
100+ 95.08 грн
500+ 75.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C423NLAFT1GON Semiconductor
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C423NLAFT1GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.36 грн
10+ 133.37 грн
100+ 92.07 грн
250+ 88.56 грн
500+ 77.31 грн
1000+ 70.99 грн
1500+ 63.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C423NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+70.88 грн
3000+ 64.85 грн
7500+ 62.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C423NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C423NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C423NLAFT3GON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C423NLAFT3GON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C423NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C423NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C423NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C423NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 126A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C423NLT1GON SemiconductorMOSFET T6-40V N 2 MOHMS LL
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C423NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 126A
товар відсутній
NVMFS5C423NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C423NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C423NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C423NLWFAFT1GON Semiconductor
на замовлення 7362 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C423NLWFAFT1GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.6 грн
10+ 122.05 грн
100+ 84.34 грн
250+ 80.13 грн
500+ 70.29 грн
1000+ 65.08 грн
1500+ 58.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C423NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.09 грн
10+ 109.09 грн
100+ 86.85 грн
500+ 68.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C423NLWFAFT3GON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 126A
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 126A
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NonsemiMOSFET T6-40V N 1.3 MOHMS SL
товар відсутній
NVMFS5C426NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS5C426NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+118.7 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C426NAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+162.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMFS5C426NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NAFT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 495-504 дні (днів)
2+250.1 грн
10+ 206.92 грн
25+ 170.09 грн
100+ 144.79 грн
250+ 137.06 грн
500+ 129.33 грн
1000+ 110.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C426NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.61 грн
10+ 185.67 грн
100+ 150.18 грн
500+ 125.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C426NAFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C426NAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NAFT3GON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel
товар відсутній
NVMFS5C426NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+128.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C426NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+198.73 грн
67+ 180.89 грн
69+ 175.1 грн
100+ 131.97 грн
Мінімальне замовлення: 61
NVMFS5C426NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.94 грн
10+ 123 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS5C426NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMFS5C426NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.62 грн
10+ 200.97 грн
100+ 162.62 грн
500+ 135.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C426NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+184.54 грн
10+ 167.97 грн
25+ 162.6 грн
100+ 122.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS5C426NLT1GonsemiMOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN
товар відсутній
NVMFS5C426NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+105.46 грн
3000+ 95.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C426NLWFT1GonsemiMOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.94 грн
10+ 181.06 грн
25+ 149.01 грн
100+ 127.22 грн
250+ 120.19 грн
500+ 113.16 грн
1000+ 97.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C426NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.52 грн
10+ 164.95 грн
100+ 133.43 грн
500+ 111.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C426NT1GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C426NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C426NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NWFAFT1GON Semiconductor
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C426NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NWFAFT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.48 грн
10+ 179.44 грн
25+ 151.82 грн
100+ 126.51 грн
250+ 123 грн
500+ 112.46 грн
1000+ 96.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C426NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NWFAFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C426NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.3 MOHMS SL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.3 MOHMS SL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NWFET1GonsemiMOSFET T6-40V N 1.3 MOHMS SL
товар відсутній
NVMFS5C426NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NWFT1GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C426NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NWFT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C426NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NAFT1GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.42 грн
10+ 155.19 грн
100+ 107.54 грн
500+ 90.67 грн
1000+ 78.72 грн
1500+ 76.61 грн
3000+ 70.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C430NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NAFT3GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C430NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 145960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.51 грн
10+ 148.41 грн
100+ 118.13 грн
500+ 93.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C430NLAFT1GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.9 грн
10+ 164.89 грн
100+ 113.86 грн
250+ 105.43 грн
500+ 95.59 грн
1000+ 81.53 грн
1500+ 78.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C430NLAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C430NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.37 грн
500+ 111.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMFS5C430NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 145500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+88.07 грн
3000+ 80.57 грн
7500+ 77.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C430NLAFT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; Idm: 900A; 53W; DFN5x6
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 53W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 900A
товар відсутній
NVMFS5C430NLAFT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; Idm: 900A; 53W; DFN5x6
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 53W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 900A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVMFS5C430NLAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C430NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.13 грн
10+ 164.79 грн
100+ 125.37 грн
500+ 111.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS5C430NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NLAFT3GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C430NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 200A
товар відсутній
NVMFS5C430NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 200A
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFAFT1GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.56 грн
10+ 111.54 грн
100+ 80.83 грн
500+ 71.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C430NLWFAFT3GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFET1GonsemiMOSFET T6-40V N 1.4 MOHMS LL
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.4 MOHMS LL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.4 MOHMS LL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1687500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS5C430NLWFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 200A
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 200A
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C430NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C430NWFAFT1GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 488-497 дні (днів)
2+217.3 грн
10+ 192.37 грн
100+ 134.95 грн
500+ 110.35 грн
1000+ 90.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C430NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.6 грн
10+ 153.02 грн
100+ 121.76 грн
500+ 96.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C430NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+90.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C430NWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NWFAFT3GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C430NWFET1GonsemiMOSFETs T6-40V N 1.7 MOHMS SL
товар відсутній
NVMFS5C430NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.7 MOHMS SL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.19 грн
10+ 144.09 грн
100+ 114.7 грн
500+ 91.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C430NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.7 MOHMS SL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+85.52 грн
3000+ 78.23 грн
7500+ 75.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C430NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NWFT1GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C430NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NWFT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C430NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+60.17 грн
3000+ 55.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C442NAFT1GON Semiconductor
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C442NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.97 грн
10+ 101.4 грн
100+ 80.71 грн
500+ 64.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C442NAFT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.58 грн
10+ 113.16 грн
100+ 79.42 грн
500+ 66.7 грн
1500+ 56.44 грн
3000+ 50.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C442NAFT1G-YEonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40V, 140A, 2.3mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 224-233 дні (днів)
5+67.9 грн
10+ 59.17 грн
100+ 35.07 грн
500+ 29.38 грн
1000+ 24.95 грн
1500+ 22.56 грн
4500+ 21.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS5C442NAFT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C442NLAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.87 грн
10+ 109.6 грн
100+ 77.74 грн
500+ 69.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVMFS5C442NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C442NLAFT1GonsemiMOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 852-861 дні (днів)
3+133.66 грн
10+ 107.5 грн
100+ 78.02 грн
250+ 74.5 грн
500+ 64.66 грн
1000+ 54.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C442NLAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.74 грн
500+ 69.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMFS5C442NLAFT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C442NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.13 грн
10+ 95.98 грн
100+ 76.41 грн
500+ 60.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C442NLAFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 29A 130A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5C442NLAFT3GonsemiMOSFET T6 40V S08FL
товар відсутній
NVMFS5C442NLAFT3GON SemiconductorT6 40V S08FL
товар відсутній
NVMFS5C442NLAFT3GON SemiconductorMOSFET T6 40V S08FL
товар відсутній
NVMFS5C442NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/127A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5C442NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.34 грн
10+ 125.28 грн
100+ 87.15 грн
250+ 80.13 грн
500+ 72.39 грн
1000+ 62.48 грн
1500+ 59.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C442NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/127A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5C442NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C442NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 27A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C442NLT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
товар відсутній
NVMFS5C442NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
товар відсутній
NVMFS5C442NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.62 грн
10+ 125.05 грн
100+ 99.5 грн
500+ 79.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C442NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+74.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C442NLWFAFT1GonsemiMOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.1 грн
10+ 146.3 грн
100+ 101.91 грн
250+ 98.4 грн
500+ 84.34 грн
1000+ 72.39 грн
1500+ 65.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C442NLWFAFT3GON SemiconductorMOSFET T6 40V S08FL
товар відсутній
NVMFS5C442NLWFET1GonsemiMOSFET T6-40V N 2.5 MOHMS LL
товар відсутній
NVMFS5C442NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 27A SO8FL
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS5C442NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній