Продукція > ONSEMI > NVMFS5C442NLAFT1G
NVMFS5C442NLAFT1G

NVMFS5C442NLAFT1G ONSEMI

2907477.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+77.08 грн
500+ 69.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C442NLAFT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NVMFS5C442NLAFT1G за ціною від 53.66 грн до 144.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G Виробник : onsemi NVMFS5C442NL_D-2319665.pdf MOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 852-861 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.53 грн
10+ 106.59 грн
100+ 77.36 грн
250+ 73.87 грн
500+ 64.12 грн
1000+ 53.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G Виробник : ONSEMI 2907477.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+144.63 грн
10+ 108.67 грн
100+ 77.08 грн
500+ 69.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G Виробник : ON Semiconductor NVMFS5C442N-D-1022940.pdf MOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c442nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c442nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c442nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
товар відсутній