Продукція > ONSEMI > NVMFS4C01NT1G
NVMFS4C01NT1G

NVMFS4C01NT1G onsemi

nvmfs4c01n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 217500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+173.46 грн
3000+ 157.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS4C01NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS4C01NT1G за ціною від 152.78 грн до 383.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFS4C01NT1G NVMFS4C01NT1G Виробник : ONSEMI 2907472.pdf Description: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 560 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+234.54 грн
500+ 193.83 грн
1500+ 152.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMFS4C01NT1G NVMFS4C01NT1G Виробник : onsemi nvmfs4c01n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 217500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+335.47 грн
10+ 271.29 грн
100+ 219.46 грн
500+ 183.07 грн
NVMFS4C01NT1G NVMFS4C01NT1G Виробник : ONSEMI 2907472.pdf Description: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 560 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+383.86 грн
10+ 290.83 грн
100+ 234.54 грн
500+ 193.83 грн
1500+ 152.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS4C01NT1G NVMFS4C01NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs4c01n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NT1G NVMFS4C01NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs4c01n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NT1G NVMFS4C01NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs4c01n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NT1G NVMFS4C01NT1G Виробник : onsemi NVMFS4C01N_D-2319496.pdf MOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товар відсутній