Продукція > ONSEMI > NVMFD020N06CT1G
NVMFD020N06CT1G

NVMFD020N06CT1G onsemi

nvmfd020n06c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A/27A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+67.63 грн
3000+ 61.87 грн
7500+ 59.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFD020N06CT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A/27A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFD020N06CT1G за ціною від 72.03 грн до 142.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFD020N06CT1G NVMFD020N06CT1G Виробник : onsemi nvmfd020n06c-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A/27A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.48 грн
10+ 113.97 грн
100+ 90.71 грн
500+ 72.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD020N06CT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfd020n06c-d.pdf
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD020N06CT1G NVMFD020N06CT1G Виробник : onsemi NVMFD020N06C_D-2319376.pdf MOSFETs Power MOSFET Power, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 16.3 mohm, 32 A SO8FL Dual (Pb-Free)
товар відсутній