Продукція > ONSEMI > NVMFS5C430NLAFT1G
NVMFS5C430NLAFT1G

NVMFS5C430NLAFT1G onsemi

nvmfs5c430nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 145500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+87.33 грн
3000+ 79.89 грн
7500+ 76.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C430NLAFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C430NLAFT1G за ціною від 77.36 грн до 221.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : ONSEMI 2907476.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C430NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+124.31 грн
500+ 110.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c430nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 145960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.94 грн
10+ 147.15 грн
100+ 117.13 грн
500+ 93.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : onsemi NVMFS5C430NL_D-2319498.pdf MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.2 грн
10+ 163.5 грн
100+ 112.9 грн
250+ 104.54 грн
500+ 94.78 грн
1000+ 80.84 грн
1500+ 77.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : ONSEMI 2907476.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C430NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+221.25 грн
10+ 163.39 грн
100+ 124.31 грн
500+ 110.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c430nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : ONSEMI NVMFS5C430NL.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; Idm: 900A; 53W; DFN5x6
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 53W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 900A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G Виробник : ONSEMI NVMFS5C430NL.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; Idm: 900A; 53W; DFN5x6
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 53W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 900A
товар відсутній