Продукція > MUN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MUN 5114T1MOTSOT23
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN 5215T1MOTSOT23
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN12AD01-SGDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-6V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Module
Size / Dimension: 0.15" L x 0.10" W x 0.06" H (3.9mm x 2.6mm x 1.6mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 16V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 6-DFN (3.9x2.6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 6V
Number of Outputs: 1
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+186.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MUN12AD01-SGDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 1A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.9 грн
5+ 274.82 грн
10+ 236.16 грн
25+ 229.13 грн
50+ 221.4 грн
100+ 215.07 грн
250+ 208.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN12AD01-SGDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-6V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-LDFN Module
Size / Dimension: 0.15" L x 0.10" W x 0.06" H (3.9mm x 2.6mm x 1.6mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 16V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 6-DFN (3.9x2.6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 6V
Number of Outputs: 1
на замовлення 24765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN12AD01-SGDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.8V to 6V 1A 6-Pin DFN T/R
товар відсутній
MUN12AD01-SG EVBDelta ElectronicsPower Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN12AD01-SG
товар відсутній
MUN12AD01-SG EVBDelta Electronics/CyntecDescription: MUN12AD01-SG EVAL BOARD
Packaging: Box
Voltage - Output: Adjustable
Voltage - Input: 4.5V ~ 16V
Current - Output: 1A
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: MUN12AD01-SG
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4009.83 грн
5+ 3831.3 грн
10+ 3801.14 грн
MUN12AD01-SHDelta Electronics Inc.MUN12AD01-SH
товар відсутній
MUN12AD01-SHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 1-5V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.14" L x 0.14" W x 0.07" H (3.5mm x 3.5mm x 1.7mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 8-QFN (3.5x3.5)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 1 ~ 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 19418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN12AD01-SHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 1-5V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.14" L x 0.14" W x 0.07" H (3.5mm x 3.5mm x 1.7mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 8-QFN (3.5x3.5)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 1 ~ 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+229.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MUN12AD03-SEDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-5.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.06" H (3.0mm x 2.8mm x 1.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-QFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 5.5V
Number of Outputs: 1
на замовлення 43868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.23 грн
MUN12AD03-SEDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-5.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.06" H (3.0mm x 2.8mm x 1.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-QFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 5.5V
Number of Outputs: 1
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+367.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN12AD03-SECDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-5.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-DFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 5.5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+297.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN12AD03-SECDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 3A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 9344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+457.56 грн
5+ 445.37 грн
10+ 380.95 грн
25+ 369.7 грн
50+ 359.16 грн
100+ 347.91 грн
250+ 336.67 грн
MUN12AD03-SECDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-5.5V
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-DFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 5.5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 56895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.45 грн
5+ 399.02 грн
10+ 393.23 грн
25+ 358.17 грн
50+ 347.31 грн
100+ 336.46 грн
250+ 320.27 грн
500+ 298.92 грн
MUN12AD03-SECDelta ElectronicsModule DC-DC 1-OUT 0.8V to 5.5V 3A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
MUN12AD03-SECDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.8V to 5.5V 3A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
MUN12AD03-SEC EVBDelta ElectronicsPower Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN12AD03-SEC
товар відсутній
MUN12AD03-SEC EVBDelta Electronics/CyntecDescription: MUN12AD03-SEC EVAL BOARD
Packaging: Box
Voltage - Output: 1V ~ 5V
Voltage - Input: 4.5V ~ 17V
Current - Output: 3A
Frequency - Switching: 1MHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: MUN12AD03-SEC
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3956.61 грн
5+ 3779.91 грн
10+ 3750.18 грн
MUN12AD03-SHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.14" L x 0.14" W x 0.07" H (3.5mm x 3.5mm x 1.7mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 16V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-QFN (3.5x3.5)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 5V
Number of Outputs: 1
на замовлення 30238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.67 грн
MUN12AD03-SHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.14" L x 0.14" W x 0.07" H (3.5mm x 3.5mm x 1.7mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 16V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-QFN (3.5x3.5)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 5V
Number of Outputs: 1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+382.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MUN12AD03-SMDelta Electronics Inc.MUN12AD03-SM
товар відсутній
MUN12AD05-SMFHDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 1.9V to 5V 5A SMD 21-Pin QFN T/
товар відсутній
MUN12AD05-SMFHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 1.9-5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 20-BQFN Exposed Pad Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 20V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 5A
Supplier Device Package: 20-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 1.9 ~ 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+331.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MUN12AD05-SMFHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 1.9-5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 20-BQFN Exposed Pad Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 20V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 5A
Supplier Device Package: 20-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 1.9 ~ 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 4642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.11 грн
5+ 445.14 грн
10+ 438.7 грн
25+ 399.58 грн
50+ 387.46 грн
100+ 375.36 грн
250+ 357.3 грн
500+ 333.48 грн
MUN12AD05-SMFHDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 5A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.4 грн
5+ 494.67 грн
10+ 423.82 грн
25+ 411.17 грн
50+ 398.52 грн
100+ 386.57 грн
250+ 373.92 грн
MUN12AD05-SMFLDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-1.8V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 20V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 5A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 1.8V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
товар відсутній
MUN12AD05-SMFLDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 5A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.7 грн
5+ 505.99 грн
10+ 434.37 грн
25+ 421.01 грн
50+ 408.36 грн
100+ 395.71 грн
250+ 383.06 грн
MUN12AD05-SMFLDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-1.8V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 20V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 5A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 1.8V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.07 грн
5+ 460.22 грн
10+ 453.49 грн
25+ 413.1 грн
50+ 400.57 грн
100+ 388.05 грн
250+ 369.38 грн
500+ 344.75 грн
MUN12AD06-SMDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 6A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+488.72 грн
5+ 475.27 грн
10+ 406.95 грн
25+ 395.71 грн
50+ 383.76 грн
100+ 371.11 грн
250+ 359.86 грн
MUN12AD06-SMDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, SCP
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 24V
Efficiency: 93%
Current - Output (Max): 6A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 7V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 6V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 21658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.81 грн
MUN12AD06-SMDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, SCP
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 24V
Efficiency: 93%
Current - Output (Max): 6A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 7V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 6V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+317.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MUN12AD06-SMDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.6V to 15V 6A 25-Pin QFN T/R
товар відсутній
MUN20AD03-SMDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.6V to 5.5V 3A 25-Pin QFN
товар відсутній
MUN2110LT1
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2110LT1(6L*)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111ON06+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN2111LT1G
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111T1ONSOT23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
на замовлення 143230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2111T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 143230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 18000
MUN2111T1ON99+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
товар відсутній
MUN2111T1(6A)
на замовлення 53625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111T1(6A*)
на замовлення 462000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2111T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1001846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22727+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 22727
MUN2111T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 29920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+12.22 грн
57+ 5.74 грн
115+ 2.46 грн
1000+ 2.11 грн
3000+ 1.76 грн
9000+ 1.34 грн
24000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2111T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 11729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.16 грн
36+ 8.35 грн
100+ 4.49 грн
500+ 3.31 грн
1000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN2111T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.54 грн
1000+ 2.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2111T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.11 грн
6000+ 1.92 грн
9000+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2111T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.27 грн
61+ 12.93 грн
117+ 6.76 грн
500+ 3.54 грн
1000+ 2.23 грн
Мінімальне замовлення: 56
MUN2111T1G/6A
на замовлення 45300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
MUN2111T3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 6662
MUN2111T3ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T3 - MUN2111T3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2111T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
MUN2112onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP PBFR
товар відсутній
MUN2112T
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112/6BON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112LT1
на замовлення 226500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112LT1(6B*)
на замовлення 226500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112LT1/A6B
на замовлення 800000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112LT1G
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2112T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN2112T1MOTOROLA04+ SOT23
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 5770
MUN2112T1(6B*)
на замовлення 182980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112T1/6BMOTO
на замовлення 335600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
на замовлення 271889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2112T1G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
товар відсутній
MUN2112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2112T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP
на замовлення 122354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.25 грн
32+ 10.27 грн
100+ 3.65 грн
1000+ 2.53 грн
3000+ 1.41 грн
9000+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 22
MUN2112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2112T3onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товар відсутній
MUN2112T3MOT
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112\6BONSOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN2113ON06+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113-TXMOTOROLA09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113LT1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113LT1(6C*)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113LT1G
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113T
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
Packaging: Bulk
на замовлення 108500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2113T1
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
товар відсутній
MUN2113T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2113T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 108500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2113T1(6C*)
на замовлення 38835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 23980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+4.81 грн
200+ 2.99 грн
442+ 1.35 грн
1000+ 0.99 грн
3000+ 0.69 грн
Мінімальне замовлення: 125
MUN2113T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.05 грн
3000+ 1.35 грн
9000+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2113T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 17206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.48 грн
46+ 7.03 грн
103+ 2.74 грн
1000+ 2.18 грн
3000+ 1.55 грн
9000+ 1.19 грн
24000+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
MUN2113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 138344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.4 грн
38+ 7.76 грн
100+ 4.19 грн
500+ 3.09 грн
1000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2113T1GON Semiconductor
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+11.43 грн
113+ 7.02 грн
257+ 3.08 грн
500+ 2.05 грн
3000+ 1.35 грн
9000+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 69
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2113T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2113T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 23980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8288+1.45 грн
10870+ 1.11 грн
14424+ 0.84 грн
Мінімальне замовлення: 8288
MUN2113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.97 грн
6000+ 1.79 грн
9000+ 1.52 грн
30000+ 1.32 грн
75000+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2113T1GON08+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113T3
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113XLT1
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2114MOTOROLA
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2114onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN2114-T1
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2114LT1
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2114T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2114T1OnsemiSOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2114T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2114T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 18000
MUN2114T1(6D)
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2114T1(6D*)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.4 грн
39+ 7.61 грн
100+ 4.13 грн
500+ 3.05 грн
1000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2114T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 10310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+12.22 грн
39+ 8.49 грн
100+ 3.16 грн
1000+ 1.9 грн
3000+ 1.55 грн
9000+ 1.48 грн
24000+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2115LT1(6E)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2115T1
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2115T1(6E)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2115T1/6EMALAYSIA
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2115T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 11899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+12.22 грн
41+ 8 грн
100+ 4.36 грн
1000+ 2.25 грн
3000+ 1.9 грн
9000+ 1.55 грн
24000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2115T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2115T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2115T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
товар відсутній
MUN2115T1GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 482700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2115T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2116LT1
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2116LT1(6F*)
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2116T1ON
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2116T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2116T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2117LT1
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2117LT1(6H*)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2119
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN211ET1(6N)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN211T1
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2130T1MOT
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2130T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2130T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16026+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 16026
MUN2130T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товар відсутній
MUN2130T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2130T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 20059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.25 грн
32+ 10.35 грн
100+ 5.69 грн
1000+ 2.67 грн
3000+ 2.25 грн
9000+ 1.83 грн
24000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 22
MUN2130T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2130T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товар відсутній
MUN2131T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2131T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2131T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 20832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.83 грн
20+ 16.57 грн
100+ 7.66 грн
500+ 4.99 грн
1000+ 3.44 грн
3000+ 2.67 грн
9000+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN2132onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN2132LT1
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2132T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товар відсутній
MUN2132T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2132T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 18000
MUN2132T1ONS0426+
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2132T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2132T1(6J)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2132T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 3322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.99 грн
31+ 10.67 грн
100+ 4.43 грн
1000+ 2.67 грн
3000+ 2.32 грн
9000+ 1.62 грн
24000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 21
MUN2132T1GonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2132T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2132T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
товар відсутній
MUN2132T3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2132T3(6J)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2133onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN2133LT1
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2133LT1G
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2133T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2133T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 18000
MUN2133T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2133T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
товар відсутній
MUN2133T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2133T1
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2133T1GON
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2133T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
товар відсутній
MUN2134T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товар відсутній
MUN2134T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.99 грн
31+ 10.67 грн
100+ 4.43 грн
1000+ 2.67 грн
3000+ 2.18 грн
9000+ 1.62 грн
24000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 21
MUN2134T1GON
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2134T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2135T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товар відсутній
MUN2135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2135T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2136T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2136T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 20235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.7 грн
22+ 15.11 грн
100+ 6.96 грн
500+ 4.64 грн
Мінімальне замовлення: 18
MUN2137T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товар відсутній
MUN2137T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2137T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 693000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 18000
MUN2137T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.51 грн
25+ 13.09 грн
100+ 8.43 грн
1000+ 3.73 грн
3000+ 2.18 грн
9000+ 1.62 грн
24000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 23
MUN2137T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2138T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2138T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товар відсутній
MUN2138T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2140T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.23W SC59
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2140T1GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.99 грн
22+ 15.36 грн
100+ 8.43 грн
1000+ 3.73 грн
3000+ 2.18 грн
9000+ 1.62 грн
24000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 21
MUN2140T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2141T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2141T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товар відсутній
MUN2141T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.86 грн
26+ 12.85 грн
100+ 6.04 грн
500+ 3.8 грн
1000+ 2.6 грн
3000+ 1.9 грн
9000+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2210
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211MOT
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211onsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN2211MOTSOT-23
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
mun2211jt1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 11539
mun2211jt1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211JT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211JT1 - TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 15000
mun2211jt1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
MUN2211JT1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN2211JT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2211JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2211JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
MUN2211JT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211JT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211LT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1ON04+ SOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 96997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN2211T1ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
товар відсутній
MUN2211T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 96997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 5323
MUN2211T1ONSOT23
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1/8A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1BONSOT23/SOT323
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+13.17 грн
98+ 8.12 грн
193+ 4.1 грн
500+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 60
MUN2211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 41047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.4 грн
39+ 7.61 грн
100+ 4.13 грн
500+ 3.05 грн
1000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.94 грн
9000+ 1.49 грн
24000+ 1.27 грн
48000+ 1.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 698282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 36591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+12.22 грн
45+ 7.19 грн
100+ 3.16 грн
1000+ 2.18 грн
3000+ 1.69 грн
9000+ 1.41 грн
48000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.09 грн
9000+ 1.61 грн
24000+ 1.37 грн
48000+ 1.15 грн
Мінімальне замовлення: 5770
MUN2211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
150+2.65 грн
200+ 1.84 грн
500+ 1.63 грн
625+ 1.41 грн
1675+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 150
MUN2211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.94 грн
6000+ 1.76 грн
9000+ 1.5 грн
30000+ 1.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G
Код товару: 103955		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MUN2211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 149443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+3.18 грн
125+ 2.3 грн
500+ 1.95 грн
625+ 1.69 грн
1675+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+10.07 грн
90+ 6.66 грн
91+ 6.59 грн
176+ 3.28 грн
250+ 3 грн
500+ 2.84 грн
1000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 60
MUN2211T1G 8A...ON-SemicoductorTransistor NPN; 60; 230mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Substitute: MUN2211T3G; MUN2211T1G ONSemiconductors TMUN2211
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 422 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2211T1G 8A...ON-SemicoductorTransistor NPN; 60; 230mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Substitute: MUN2211T3G; MUN2211T1G ONSemiconductors TMUN2211
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 508 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2211T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2211T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
MUN2211T3ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T3 - MUN2211T3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 20000
MUN2211T3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
MUN2211T3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.01 грн
30000+ 1.83 грн
60000+ 1.7 грн
90000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211T3GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 88340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 20000
MUN2211T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 28261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.4 грн
39+ 7.61 грн
100+ 4.13 грн
500+ 3.05 грн
1000+ 2.11 грн
2000+ 1.75 грн
5000+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211T3G
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2211T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211T3GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 26712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.92 грн
55+ 5.9 грн
100+ 3.16 грн
1000+ 1.83 грн
2500+ 1.62 грн
10000+ 1.19 грн
20000+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 34
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2212MOTO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2212MOTSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2212LT1G
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2212T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 5323
MUN2212T1ONSOT23
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2212T1MOTOROLA09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2212T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товар відсутній
MUN2212T1ONSOT23-8B
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2212T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2212T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+6.84 грн
89+ 6.77 грн
90+ 6.7 грн
125+ 4.63 грн
250+ 4.26 грн
500+ 2.77 грн
Мінімальне замовлення: 88
MUN2212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.76 грн
3000+ 1.35 грн
9000+ 1.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.16 грн
6000+ 1.97 грн
9000+ 1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2212T1GONSEMIMUN2212T1G NPN SMD transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
21+13.25 грн
1060+ 0.97 грн
2910+ 0.91 грн
Мінімальне замовлення: 21
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2212T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN
на замовлення 15636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.86 грн
26+ 12.85 грн
100+ 6.04 грн
500+ 3.8 грн
1000+ 2.6 грн
3000+ 1.9 грн
9000+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+11.51 грн
106+ 7.49 грн
244+ 3.23 грн
500+ 1.76 грн
3000+ 1.35 грн
9000+ 1.28 грн
Мінімальне замовлення: 69
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 28650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+12.93 грн
35+ 8.57 грн
100+ 4.61 грн
500+ 3.4 грн
1000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2212T1SOT23-8BON
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2212T3Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2212XLT1
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213ON07+ SOT-23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN2213/8CON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213JT1
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213JT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2213JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2213JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2213JT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2213JT1G - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2213LT1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213LT1G
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213T1ON00+ SOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213T1ONSOT23
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2213T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 545350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2213T1ON07+;
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213T1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
товар відсутній
MUN2213T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 545350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2213T1/8C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9804+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 9804
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 39202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3125+3.86 грн
3165+ 3.81 грн
5475+ 2.2 грн
6466+ 1.8 грн
7076+ 1.52 грн
15000+ 1.32 грн
30000+ 1.18 грн
Мінімальне замовлення: 3125
MUN2213T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 20945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.25 грн
32+ 10.27 грн
100+ 3.65 грн
1000+ 2.53 грн
3000+ 2.04 грн
9000+ 1.62 грн
24000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 22
MUN2213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.38 грн
6000+ 2.16 грн
9000+ 1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2213T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+9.46 грн
37+ 7.48 грн
43+ 6.19 грн
100+ 4.19 грн
500+ 2.92 грн
565+ 1.81 грн
1554+ 1.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 12000
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 39202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+10.91 грн
80+ 7.51 грн
81+ 7.43 грн
165+ 3.49 грн
250+ 3.2 грн
500+ 3.03 грн
1000+ 1.75 грн
3000+ 1.48 грн
6000+ 1.36 грн
Мінімальне замовлення: 55
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2213T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+7.88 грн
61+ 6 грн
71+ 5.16 грн
105+ 3.49 грн
500+ 2.43 грн
565+ 1.51 грн
1554+ 1.43 грн
Мінімальне замовлення: 50
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+5.84 грн
149+ 4.01 грн
307+ 1.95 грн
1000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 103
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 12252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.69 грн
32+ 9.37 грн
100+ 5.07 грн
500+ 3.73 грн
1000+ 2.59 грн
Мінімальне замовлення: 23
MUN2214
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2214LT1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2214T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2214T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2214T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2214T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2214T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2214T1FON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2214T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2214T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товар відсутній
MUN2214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 44461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+11.67 грн
54+ 11.06 грн
55+ 10.95 грн
100+ 6.11 грн
250+ 5.61 грн
500+ 3.35 грн
1000+ 2.33 грн
3000+ 1.89 грн
6000+ 1.87 грн
Мінімальне замовлення: 52
MUN2214T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+12.93 грн
35+ 8.57 грн
100+ 4.61 грн
500+ 3.4 грн
1000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2214T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MUN2214T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 22048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+12.22 грн
40+ 8.24 грн
100+ 3.44 грн
1000+ 2.04 грн
3000+ 1.76 грн
9000+ 1.34 грн
24000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2214T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 0
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+15.22 грн
85+ 9.38 грн
187+ 4.23 грн
500+ 3.85 грн
Мінімальне замовлення: 52
MUN2214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2214T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.16 грн
6000+ 1.97 грн
9000+ 1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 44461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1782+6.77 грн
2869+ 4.2 грн
4121+ 2.93 грн
5068+ 2.29 грн
6000+ 2.1 грн
15000+ 1.62 грн
30000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 1782
MUN2214T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 14485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2214T3
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2214T3GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 19240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.86 грн
26+ 12.85 грн
100+ 6.04 грн
500+ 3.8 грн
1000+ 2.6 грн
2500+ 1.97 грн
10000+ 1.76 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2214T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2214T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2214T3GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
товар відсутній
MUN2215LT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2215LT1G
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2215T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2215T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2215T1 - MUN2215T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6225+1.94 грн
6277+ 1.92 грн
15000+ 1.9 грн
30000+ 1.81 грн
Мінімальне замовлення: 6225
MUN2215T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.4 грн
6000+ 2.14 грн
9000+ 1.78 грн
30000+ 1.64 грн
75000+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2215T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 6313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.51 грн
32+ 10.27 грн
100+ 5.62 грн
1000+ 2.46 грн
3000+ 2.18 грн
9000+ 1.62 грн
24000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 23
MUN2215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.8 грн
6000+ 1.78 грн
15000+ 1.77 грн
30000+ 1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2215T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 28715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2215T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.45 грн
32+ 9.37 грн
100+ 4.6 грн
500+ 3.6 грн
1000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 22
MUN2215T1G
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2215ZT1
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2215ZT1(ON)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2215ZT1.
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2216
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2216onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN2216-(TX)
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2216LT1GON10+ SOT-23
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2216T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
Packaging: Bulk
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2216T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2216T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2216T1ON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2216T1ON08+ SOT-23
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2216T1G
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3827+3.15 грн
6000+ 3.12 грн
9000+ 2.52 грн
15000+ 2.4 грн
24000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 3827
MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+13.33 грн
67+ 9.03 грн
118+ 5.09 грн
1000+ 2.95 грн
3000+ 2.51 грн
9000+ 1.93 грн
24000+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 45
MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2216T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 10330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.71 грн
23+ 14.23 грн
100+ 6.96 грн
500+ 5.27 грн
1000+ 3.58 грн
3000+ 2.81 грн
9000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
MUN2216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 47150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.45 грн
32+ 9.37 грн
100+ 4.6 грн
500+ 3.6 грн
1000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 22
MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2200+5.48 грн
3659+ 3.29 грн
3990+ 3.02 грн
9000+ 2.33 грн
24000+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 2200
MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.93 грн
6000+ 2.9 грн
9000+ 2.34 грн
15000+ 2.23 грн
24000+ 1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.4 грн
6000+ 2.14 грн
9000+ 1.78 грн
30000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN221JT1
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2230
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2230T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.83 грн
19+ 17.05 грн
100+ 7.87 грн
500+ 5.13 грн
1000+ 3.51 грн
3000+ 2.74 грн
9000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN2230T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
товар відсутній
MUN2230T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2230T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 405000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10606+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 10606
MUN2231T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
товар відсутній
MUN2231T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2231T1
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2231T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2231T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2231T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+12.93 грн
35+ 8.57 грн
100+ 4.61 грн
500+ 3.4 грн
1000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2231T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2231T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.16 грн
6000+ 1.97 грн
9000+ 1.68 грн
30000+ 1.45 грн
75000+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2231T1GON
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2231T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 8466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.86 грн
26+ 12.85 грн
100+ 6.04 грн
500+ 3.8 грн
3000+ 3.3 грн
9000+ 1.76 грн
24000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2231T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2232onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN2232LT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2232LT1G
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2232T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2232T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2232T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2232T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
товар відсутній
MUN2232T1/8JMOTO
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2232T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2232T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+12.69 грн
100+ 7.88 грн
224+ 3.53 грн
500+ 1.98 грн
3000+ 1.51 грн
Мінімальне замовлення: 63
MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+8.08 грн
81+ 7.45 грн
149+ 4.03 грн
Мінімальне замовлення: 74
MUN2232T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.4 грн
38+ 7.76 грн
100+ 4.19 грн
500+ 3.09 грн
1000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2232T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.68 грн
25+ 13.42 грн
100+ 6.4 грн
500+ 3.94 грн
1000+ 2.74 грн
3000+ 1.97 грн
9000+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 23
MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2232T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.97 грн
6000+ 1.79 грн
9000+ 1.52 грн
30000+ 1.32 грн
75000+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2232T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2232T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.98 грн
3000+ 1.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2232T1G
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2233onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN2233MOTOROLA04+ SOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2233LT1G
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2233RT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2233T1
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2233T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2233T1ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
товар відсутній
MUN2233T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2233T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.94 грн
6000+ 1.76 грн
9000+ 1.5 грн
30000+ 1.3 грн
75000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2233T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 17333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.92 грн
50+ 6.55 грн
100+ 2.95 грн
1000+ 1.9 грн
3000+ 1.55 грн
9000+ 1.41 грн
24000+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 34
MUN2233T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.4 грн
62+ 12.77 грн
118+ 6.69 грн
500+ 3.54 грн
1000+ 2.23 грн
3000+ 1.81 грн
6000+ 1.46 грн
12000+ 1.43 грн
Мінімальне замовлення: 59
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7390+1.63 грн
7463+ 1.62 грн
9000+ 1.57 грн
15000+ 1.43 грн
Мінімальне замовлення: 7390
MUN2233T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2233T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 175529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22727+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 22727
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 12000
MUN2233T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 100959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.4 грн
39+ 7.61 грн
100+ 4.13 грн
500+ 3.05 грн
1000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2233T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
115+3.47 грн
215+ 1.71 грн
500+ 1.51 грн
635+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 115
MUN2233T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
70+4.16 грн
130+ 2.13 грн
500+ 1.81 грн
635+ 1.61 грн
1740+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 70
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2233T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.54 грн
1000+ 2.23 грн
3000+ 1.81 грн
6000+ 1.46 грн
12000+ 1.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.63 грн
6000+ 1.61 грн
9000+ 1.57 грн
15000+ 1.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2234T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2234T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2234T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1544+7.81 грн
2359+ 5.11 грн
3505+ 3.44 грн
4560+ 2.55 грн
9000+ 1.97 грн
Мінімальне замовлення: 1544
MUN2234T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2234T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10969+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 10969
MUN2234T1GON Semiconductor
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2234T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2234T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.98 грн
44+ 13.85 грн
100+ 7.25 грн
500+ 4.58 грн
1000+ 2.85 грн
3000+ 2.1 грн
9000+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 36
MUN2234T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2234T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 17485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2235onsemionsemi NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
товар відсутній
MUN2235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2235T1GSanyoDescription: DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8772+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 8772
MUN2235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2235T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 128829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+12.93 грн
28+ 10.76 грн
100+ 5.89 грн
500+ 3.4 грн
1000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 27000
MUN2235T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.18 грн
6000+ 1.9 грн
15000+ 1.65 грн
30000+ 1.39 грн
75000+ 1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2235T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 13995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.96 грн
34+ 9.54 грн
100+ 3.51 грн
1000+ 2.11 грн
3000+ 1.76 грн
9000+ 1.34 грн
24000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 26
MUN2236onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN2236T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2236T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2236T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2236T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товар відсутній
MUN2236T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2236T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.84 грн
25+ 13.42 грн
100+ 7.38 грн
1000+ 3.44 грн
3000+ 2.81 грн
9000+ 2.18 грн
24000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 17
MUN2236T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2236T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2236T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10606+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 10606
MUN2236T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2236T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товар відсутній
MUN2237T1ON04+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2237T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
на замовлення 920995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2237T1ONSOT23-8P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2237T1ONSOT23
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2237T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2237T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 920995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2237T1 SOT23-8PON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2237T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2237T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 389700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2237T1G
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2237T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2237T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товар відсутній
MUN2237T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 24219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2237T1SOT23-
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2237T1SOT23-BPON
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2238T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2238T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2238T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
товар відсутній
MUN2240T1ON07+;
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2240T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2240T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1415500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2240T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 1415500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2240T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2240T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2240T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 319000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2240T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2240T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2240T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 35847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.83 грн
19+ 17.05 грн
100+ 7.87 грн
500+ 5.13 грн
1000+ 3.51 грн
3000+ 2.74 грн
9000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN2241T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2241T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 80975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2241T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2241T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 80975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2241T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2241T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товар відсутній
MUN2241T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товар відсутній
MUN2241T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 17764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.83 грн
19+ 17.05 грн
100+ 7.87 грн
500+ 5.13 грн
1000+ 3.51 грн
3000+ 2.74 грн
9000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN2241T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN24AD01-SHDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 2V to 8.5V 1A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
MUN24AD03-SMDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 3V to 12V 3A 25-Pin QFN T/R
товар відсутній
MUN24AD03-SMDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 5-12V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 34V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 8V
Voltage - Output 1: 5 ~ 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
товар відсутній
MUN24AD03-SMDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 5-12V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 34V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 8V
Voltage - Output 1: 5 ~ 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.61 грн
5+ 410.73 грн
10+ 404.8 грн
25+ 368.69 грн
50+ 357.53 грн
100+ 346.35 грн
250+ 329.69 грн
500+ 307.71 грн
MUN3C1BR6-EBDelta Electronics Inc.MUN3C1BR6-EB
товар відсутній
MUN3C1BR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.2V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.28 грн
5+ 195.19 грн
10+ 192.33 грн
25+ 175.18 грн
50+ 169.88 грн
100+ 164.57 грн
250+ 156.65 грн
500+ 146.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3C1BR6-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 0.6A 5Vin/1.2Vout inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.82 грн
5+ 199.65 грн
10+ 171.5 грн
25+ 165.87 грн
50+ 161.66 грн
100+ 156.03 грн
250+ 151.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3C1BR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.2V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
товар відсутній
MUN3C1DR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.35V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.28 грн
5+ 195.19 грн
10+ 192.33 грн
25+ 175.18 грн
50+ 169.88 грн
100+ 164.57 грн
250+ 156.65 грн
500+ 146.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3C1DR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.35V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+164.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN3C1DR6-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 0.6A 5Vin/1.35Vout inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.82 грн
5+ 200.45 грн
10+ 172.2 грн
25+ 166.58 грн
50+ 161.66 грн
100+ 156.74 грн
250+ 151.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3C1ER6-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 0.6A 5Vin/1.5Vout inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.82 грн
5+ 200.45 грн
10+ 172.2 грн
25+ 166.58 грн
50+ 161.66 грн
100+ 156.74 грн
250+ 151.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3C1ER6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.28 грн
5+ 195.19 грн
10+ 192.33 грн
25+ 175.18 грн
50+ 169.88 грн
100+ 164.57 грн
250+ 156.65 грн
500+ 146.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3C1ER6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+164.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN3C1HR6-EBDelta Electronics Inc.MUN3C1HR6-EB
товар відсутній
MUN3C1HR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.8V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+164.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN3C1HR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.8V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.28 грн
5+ 195.19 грн
10+ 192.33 грн
25+ 175.18 грн
50+ 169.88 грн
100+ 164.57 грн
250+ 156.65 грн
500+ 146.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3C1HR6-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 0.6A 5Vin/1.8Vout inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.82 грн
5+ 200.45 грн
10+ 172.2 грн
25+ 166.58 грн
50+ 161.66 грн
100+ 156.74 грн
250+ 151.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD01-EEDelta Electronics Inc.MUN3CAD01-EE
товар відсутній
MUN3CAD01-SBDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.8V to 4V 1A 8-Pin QFN T/R
товар відсутній
MUN3CAD01-SBDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 8-PowerTFQFN Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 8-QFN (2.5x2)
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 4V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+154.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN3CAD01-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 1A 5Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.82 грн
5+ 199.65 грн
10+ 171.5 грн
25+ 165.87 грн
50+ 161.66 грн
100+ 156.03 грн
250+ 151.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD01-SBCyntec CoModule DC-DC 1-OUT 0.8V to 4V 1A 8-Pin QFN T/R
товар відсутній
MUN3CAD01-SBDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 8-PowerTFQFN Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 8-QFN (2.5x2)
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 4V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 13959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.36 грн
5+ 182.74 грн
10+ 180.11 грн
25+ 164.02 грн
50+ 159.06 грн
100+ 154.09 грн
250+ 146.68 грн
500+ 136.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD01-SB EVBDelta ElectronicsPower Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN3CAD01-SB
товар відсутній
MUN3CAD01-SB EVBDelta Electronics/CyntecDescription: MUN3CAD01-SB EVAL BOARD
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.8V
Voltage - Input: 2.5V ~ 5.5V
Current - Output: 1.2A
Frequency - Switching: 3MHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: MUN3CAD01-SB
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3956.61 грн
5+ 3779.91 грн
10+ 3750.18 грн
MUN3CAD01-SCDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 6-TDFN Module
Size / Dimension: 0.11" L x 0.09" W x 0.04" H (2.9mm x 2.3mm x 1.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 93%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 6-DFN (2.9x2.3)
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 4V
Number of Outputs: 1
на замовлення 24438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.06 грн
5+ 249.81 грн
10+ 246.22 грн
25+ 224.21 грн
50+ 217.44 грн
100+ 210.64 грн
250+ 200.5 грн
500+ 187.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD01-SCDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 1A 5Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.9 грн
5+ 274.82 грн
10+ 236.16 грн
25+ 229.13 грн
50+ 221.4 грн
100+ 215.07 грн
250+ 208.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD01-SCDelta Electronics Inc.MUN3CAD01-SC
товар відсутній
MUN3CAD01-SCDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 6-TDFN Module
Size / Dimension: 0.11" L x 0.09" W x 0.04" H (2.9mm x 2.3mm x 1.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 93%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 6-DFN (2.9x2.3)
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 4V
Number of Outputs: 1
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+210.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN3CAD03-SEDelta Electronics/CyntecDescription: 3A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC-D
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerLDFN Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 9-QFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 2.75V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+183.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN3CAD03-SEDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 3A 5Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.9 грн
5+ 274.01 грн
10+ 235.46 грн
25+ 228.43 грн
50+ 221.4 грн
100+ 214.37 грн
250+ 208.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD03-SEDelta Electronics/CyntecDescription: 3A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC-D
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerLDFN Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 9-QFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 2.75V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 10603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.26 грн
5+ 246.44 грн
10+ 242.92 грн
25+ 221.21 грн
50+ 214.52 грн
100+ 207.82 грн
250+ 197.81 грн
500+ 184.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD03-SE EVBDelta Electronics/CyntecDescription: MUN3CAD03-SE EVAL BOARD
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.6V ~ 3.3V
Voltage - Input: 2.75V ~ 5.5V
Current - Output: 3A
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: MUN3CAD03-SE
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3956.61 грн
5+ 3779.91 грн
10+ 3750.18 грн
MUN3CAD03-SE EVBDelta ElectronicsPower Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN3CAD03-SE
товар відсутній
MUN3CAD03-SFDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 3A 5Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.52 грн
5+ 227.94 грн
10+ 194.69 грн
25+ 189.07 грн
50+ 183.45 грн
100+ 177.82 грн
250+ 172.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD03-SFDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-3.3V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 10-LFQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.12" W x 0.05" H (3.0mm x 3.0mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 10-QFN (3x3)
Voltage - Input (Min): 2.75V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V
Number of Outputs: 1
на замовлення 193993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+152.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD03-SFDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-3.3V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 10-LFQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.12" W x 0.05" H (3.0mm x 3.0mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 10-QFN (3x3)
Voltage - Input (Min): 2.75V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V
Number of Outputs: 1
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+152.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN3CADR6-ECDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.8V to 4V 0.6A 6-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
MUN5111DW1T1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5111DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3907+3.09 грн
9000+ 2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3907
MUN5111DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 26350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5111DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.81 грн
6000+ 3.41 грн
9000+ 2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5111DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5111DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+6.86 грн
120+ 3.17 грн
380+ 2.28 грн
1040+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 60
MUN5111DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5111DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.87 грн
9000+ 2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5111DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.52 грн
43+ 18.53 грн
110+ 7.19 грн
500+ 6.55 грн
Мінімальне замовлення: 29
MUN5111DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 31545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.62 грн
20+ 16.25 грн
100+ 5.83 грн
1000+ 4.01 грн
3000+ 2.74 грн
9000+ 2.67 грн
24000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5111DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 16896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.81 грн
20+ 15.01 грн
100+ 7.31 грн
500+ 5.72 грн
1000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5111DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5111DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
35+8.23 грн
100+ 3.95 грн
380+ 2.73 грн
1040+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 35
MUN5111DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5111RT1
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5111T1ON07+;
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3087+3.91 грн
3119+ 3.87 грн
4902+ 2.46 грн
8929+ 1.3 грн
9037+ 1.19 грн
15000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3087
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+11.32 грн
73+ 8.2 грн
74+ 8.12 грн
163+ 3.54 грн
250+ 3.24 грн
500+ 3.08 грн
1000+ 1.96 грн
3000+ 1.07 грн
6000+ 1.06 грн
Мінімальне замовлення: 53
MUN5111T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 39288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5111T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.13 грн
6000+ 1.94 грн
9000+ 1.65 грн
30000+ 1.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9434+1.28 грн
9555+ 1.26 грн
12000+ 1.25 грн
18000+ 1.19 грн
24000+ 1.09 грн
30000+ 0.96 грн
Мінімальне замовлення: 9434
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5111T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.202W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.202W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5111T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 8841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.96 грн
36+ 9.05 грн
100+ 3.37 грн
1000+ 2.18 грн
3000+ 1.76 грн
9000+ 1.48 грн
24000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 26
MUN5111T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 47491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.16 грн
36+ 8.35 грн
100+ 4.53 грн
500+ 3.34 грн
1000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN5111T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.202W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.202W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
MUN5112onsemionsemi SS SC70 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN5112DW1onsemi SS SC88 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN5112DW1T1
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5112DW1T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual
товар відсутній
MUN5112DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 53576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.81 грн
20+ 14.94 грн
100+ 7.28 грн
500+ 5.7 грн
1000+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5112DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5112DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 22091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.44 грн
20+ 16.49 грн
100+ 5.83 грн
1000+ 4.08 грн
3000+ 2.81 грн
9000+ 2.67 грн
24000+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5112DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 14300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+22.07 грн
40+ 14.95 грн
100+ 6.01 грн
1000+ 3.99 грн
3000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 28
MUN5112DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.67 грн
6000+ 2.38 грн
9000+ 2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5112DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+9.62 грн
100+ 4.8 грн
235+ 3.68 грн
640+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 45
MUN5112DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5112DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5112DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5112DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+11.54 грн
100+ 5.98 грн
235+ 4.42 грн
640+ 4.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN5112T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5112T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 774000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5112T1
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5112T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
Packaging: Bulk
на замовлення 774000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 6662
MUN5112T1/6BMOTO
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5112T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5112T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 467900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.08 грн
6000+ 1.89 грн
9000+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.09 грн
6000+ 2.08 грн
9000+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 5770
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5112T1G
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+5.84 грн
148+ 4.04 грн
348+ 1.72 грн
Мінімальне замовлення: 103
MUN5112T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 9190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.96 грн
37+ 8.89 грн
100+ 3.3 грн
1000+ 2.32 грн
3000+ 1.69 грн
9000+ 1.48 грн
24000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 26
MUN5112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 13240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.16 грн
36+ 8.2 грн
100+ 4.42 грн
500+ 3.26 грн
1000+ 2.26 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1565+7.71 грн
1612+ 7.48 грн
1662+ 7.26 грн
3000+ 6.77 грн
6000+ 6.07 грн
15000+ 5.63 грн
30000+ 5.44 грн
Мінімальне замовлення: 1565
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+11.04 грн
78+ 7.66 грн
79+ 7.57 грн
100+ 7.1 грн
250+ 6.39 грн
500+ 5.95 грн
1000+ 5.78 грн
3000+ 5.59 грн
6000+ 5.41 грн
Мінімальне замовлення: 55
MUN5113MOTSOT-323
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5113DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7788+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 7788
MUN5113DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5113DW1T1 - MUN5113DW1T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5113DW1T1
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5113DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.49 грн
26+ 11.57 грн
100+ 5.64 грн
Мінімальне замовлення: 18
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3276+3.68 грн
9000+ 3.03 грн
24000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3276
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.42 грн
9000+ 2.81 грн
24000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5113DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
65+6.15 грн
110+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 65
MUN5113DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.05 грн
20+ 14.64 грн
100+ 7.14 грн
500+ 5.59 грн
1000+ 3.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1692+7.13 грн
2291+ 5.26 грн
2977+ 4.05 грн
3513+ 3.31 грн
Мінімальне замовлення: 1692
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5113DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 5067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.44 грн
20+ 16.49 грн
100+ 5.83 грн
1000+ 4.08 грн
3000+ 3.23 грн
9000+ 2.67 грн
24000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5113DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
40+7.38 грн
100+ 3.55 грн
395+ 2.61 грн
1085+ 2.47 грн
12000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 40
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.9 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5113DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.72 грн
6000+ 3.33 грн
9000+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3433+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3433
MUN5113T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
товар відсутній
MUN5113T1ON09+
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5113T1ONSOT323
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5113T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN5113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN5113T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5113T1G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 21000
MUN5113T1GON09+
на замовлення 291018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN5113T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN5113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN5113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+4.58 грн
193+ 3.1 грн
263+ 2.28 грн
327+ 1.76 грн
391+ 1.37 грн
500+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 131
MUN5113T1GON Semiconductor
на замовлення 266900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5113T3ON0403+ SOT23-5
на замовлення 16100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5113T3ON0403+
на замовлення 8050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5113T3GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 29985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5113T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN5113T3GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5113T3GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5113T3G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 209850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 20000
MUN5113T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 209850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN5113T3GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5114
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5114DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5114DW1T1
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5114DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5114DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5114DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.2 грн
Мінімальне замовлення: 5323
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+19.89 грн
45+ 13.36 грн
46+ 13.22 грн
105+ 5.5 грн
250+ 5.05 грн
500+ 4.65 грн
1000+ 3.15 грн
3000+ 2.62 грн
6000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 31
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5114DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 366379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5114DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 10161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.81 грн
20+ 15.01 грн
100+ 7.31 грн
500+ 5.72 грн
1000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5114DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.18 грн
3000+ 3.17 грн
9000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5114DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5114DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
65+6.15 грн
135+ 2.77 грн
Мінімальне замовлення: 65
MUN5114DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.62 грн
21+ 15.76 грн
100+ 5.83 грн
1000+ 3.94 грн
3000+ 3.23 грн
9000+ 2.67 грн
24000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5114DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
40+7.38 грн
100+ 3.46 грн
405+ 2.56 грн
1115+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 40
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1961+6.15 грн
1979+ 6.09 грн
2064+ 5.84 грн
3043+ 3.82 грн
3659+ 2.94 грн
6000+ 2.47 грн
15000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 1961
MUN5114DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.57 грн
45+ 17.74 грн
110+ 7.19 грн
500+ 4.18 грн
3000+ 3.17 грн
9000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 30
MUN5114RT1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5114T1ON2001
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5114T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.92 грн
6000+ 1.9 грн
9000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+7.86 грн
98+ 6.14 грн
105+ 5.73 грн
167+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 76
MUN5114T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5114T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.69 грн
3000+ 2 грн
9000+ 1.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.13 грн
6000+ 1.94 грн
9000+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5114T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 16161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.96 грн
40+ 8.24 грн
100+ 3.16 грн
1000+ 2.39 грн
3000+ 1.83 грн
9000+ 1.55 грн
24000+ 1.41 грн
Мінімальне замовлення: 26
MUN5114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5837+2.07 грн
6000+ 2.03 грн
9000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 5837
MUN5114T1GON07+;
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5114T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5114T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+15.45 грн
74+ 10.72 грн
174+ 4.53 грн
500+ 2.69 грн
3000+ 2 грн
9000+ 1.51 грн
Мінімальне замовлення: 52
MUN5114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5114T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5114T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 238161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.16 грн
36+ 8.35 грн
100+ 4.53 грн
500+ 3.34 грн
1000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN5115D
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5115DW
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5115DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5115DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5115DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3093+3.9 грн
6000+ 3.66 грн
9000+ 3.02 грн
24000+ 2.69 грн
30000+ 2.48 грн
45000+ 2.27 грн
75000+ 2.25 грн
99000+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 3093
MUN5115DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5115DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
товар відсутній
MUN5115DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MUN5115DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.44 грн
20+ 16.49 грн
100+ 9.07 грн
1000+ 4.08 грн
3000+ 3.44 грн
9000+ 2.67 грн
24000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5115DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5115DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5115DW1T1GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 274666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5115DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.63 грн
6000+ 3.4 грн
9000+ 2.81 грн
24000+ 2.51 грн
30000+ 2.31 грн
45000+ 2.11 грн
75000+ 2.1 грн
99000+ 1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5115DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5115T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5115T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5115T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5115T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5115T1GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5115T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5115T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 73000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5115T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 32543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5115T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5115T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5115T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 5242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.32 грн
24+ 13.98 грн
100+ 5.83 грн
1000+ 3.58 грн
3000+ 3.02 грн
9000+ 2.25 грн
24000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN5115T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5115T1G
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5116DW1T1MOT
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5116DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5116DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5116DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 8535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.03 грн
2902+ 4.15 грн
3704+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN5116DW1T1GON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5116DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товар відсутній
MUN5116DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5116DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 46833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+3 грн
Мінімальне замовлення: 12000
MUN5116DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.44 грн
20+ 16.33 грн
100+ 5.83 грн
1000+ 4.08 грн
3000+ 3.23 грн
9000+ 2.67 грн
24000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3349+3.6 грн
9000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3349
MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 8535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+20.54 грн
44+ 13.79 грн
107+ 5.6 грн
1000+ 3.72 грн
3000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 30
MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20.77 грн
250+ 20.76 грн
1000+ 20.01 грн
6000+ 18.52 грн
Мінімальне замовлення: 29
MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
539+22.36 грн
1000+ 22.35 грн
6000+ 21.54 грн
Мінімальне замовлення: 539
MUN5116DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.37 грн
15+ 19.62 грн
100+ 11.08 грн
500+ 6.89 грн
1000+ 5.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.36 грн
9000+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5116RT1
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5116T1
на замовлення 26600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5116T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5116T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5116T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5116T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5116T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5116T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5116T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5116T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
товар відсутній
MUN5117T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5130DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.09 грн
15+ 20.06 грн
100+ 10.62 грн
500+ 6.56 грн
1000+ 4.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
MUN5130DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 11568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+25.17 грн
20+ 16.81 грн
100+ 7.03 грн
1000+ 4.22 грн
3000+ 3.23 грн
9000+ 2.67 грн
24000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5130DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5130DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.45 грн
6000+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5130T1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5130T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5130T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5130T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
товар відсутній
MUN5130T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5131DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
55+5.49 грн
100+ 3.1 грн
380+ 2.72 грн
500+ 2.64 грн
1045+ 2.57 грн
3000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 55
MUN5131DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5131DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5131DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5131DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 8749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+25.17 грн
20+ 16.81 грн
100+ 7.03 грн
1000+ 4.22 грн
3000+ 3.87 грн
9000+ 2.67 грн
24000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5131DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5131DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5131DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
товар відсутній
MUN5131DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
90+4.57 грн
150+ 2.49 грн
380+ 2.27 грн
500+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 90
MUN5131T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5131T1
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5131T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 25683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
31+10.66 грн
45+ 7.27 грн
100+ 2.88 грн
1000+ 2.11 грн
3000+ 1.76 грн
Мінімальне замовлення: 31
MUN5131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 23498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6697+1.8 грн
Мінімальне замовлення: 6697
MUN5131T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 23498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+1.67 грн
517+ 1.16 грн
861+ 0.69 грн
Мінімальне замовлення: 358
MUN5132DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5132DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
товар відсутній
MUN5132DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN5132RT1
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5132T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5132T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5132T1
на замовлення 3719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5132T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.62 грн
21+ 15.84 грн
100+ 5.62 грн
1000+ 3.94 грн
3000+ 3.16 грн
9000+ 2.53 грн
24000+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2030+5.94 грн
2236+ 5.39 грн
2488+ 4.85 грн
2804+ 4.15 грн
3206+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 2030
MUN5132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5132T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
на замовлення 14735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5132T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 30313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5132T1G
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+9.02 грн
99+ 6.08 грн
100+ 6.02 грн
109+ 5.32 грн
250+ 4.47 грн
500+ 3.86 грн
1000+ 3.42 грн
3000+ 2.99 грн
Мінімальне замовлення: 67
MUN5132T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5133onsemionsemi SS SC70 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN5133DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2885+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 2885
MUN5133DW1T1
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5133DW1T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN5133DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5133DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 6000
MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 17533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3441+3.5 грн
6000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3441
MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5133DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 60302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.05 грн
20+ 14.64 грн
100+ 7.14 грн
500+ 5.59 грн
1000+ 3.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+23.04 грн
34+ 17.71 грн
37+ 16.57 грн
100+ 8.32 грн
250+ 7.62 грн
500+ 6.36 грн
1000+ 3.91 грн
3000+ 3.03 грн
6000+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 26
MUN5133DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5133DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN5133DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
90+4.42 грн
150+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 90
MUN5133DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.72 грн
6000+ 3.33 грн
9000+ 2.76 грн
30000+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 17533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+3.25 грн
6000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 184
MUN5133DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
55+5.3 грн
100+ 3.1 грн
380+ 2.71 грн
500+ 2.64 грн
1040+ 2.57 грн
3000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 55
MUN5133DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 4756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.84 грн
25+ 13.34 грн
100+ 5.83 грн
1000+ 4.01 грн
3000+ 3.23 грн
9000+ 2.67 грн
24000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5133RT1
на замовлення 1269000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5133T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5133T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5133T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5133T1
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
на замовлення 15259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.69 грн
24+ 12.3 грн
100+ 6.68 грн
500+ 3.86 грн
1000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 23
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6303+1.91 грн
6356+ 1.9 грн
9000+ 1.77 грн
24000+ 1.5 грн
30000+ 1.37 грн
45000+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 6303
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
982+12.29 грн
983+ 12.26 грн
1000+ 12.24 грн
3000+ 11.79 грн
6000+ 10.89 грн
15000+ 10.44 грн
30000+ 10.42 грн
Мінімальне замовлення: 982
MUN5133T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5133T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.12 грн
3000+ 1.62 грн
9000+ 1.42 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+11.18 грн
71+ 8.47 грн
72+ 8.39 грн
77+ 7.5 грн
128+ 4.17 грн
250+ 3.06 грн
500+ 2.88 грн
1000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 54
MUN5133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.63 грн
6000+ 2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5133T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.76 грн
25+ 13.42 грн
100+ 6.11 грн
500+ 4.22 грн
Мінімальне замовлення: 23
MUN5133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
товар відсутній
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3132+3.85 грн
3326+ 3.62 грн
5536+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3132
MUN5133T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5133T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+14.35 грн
80+ 9.86 грн
188+ 4.19 грн
500+ 2.12 грн
3000+ 1.62 грн
9000+ 1.42 грн
Мінімальне замовлення: 55
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.78 грн
6000+ 1.77 грн
9000+ 1.64 грн
24000+ 1.39 грн
30000+ 1.27 грн
45000+ 1.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+11.48 грн
53+ 11.45 грн
100+ 11.02 грн
250+ 10.19 грн
500+ 9.76 грн
1000+ 9.74 грн
3000+ 9.73 грн
6000+ 9.71 грн
Мінімальне замовлення: 52
MUN5133T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5133T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5134DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5134DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
товар відсутній
MUN5134DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5134T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5134T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN5135DW1T1
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5135DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5135DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MUN5135DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
товар відсутній
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.45 грн
6000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5135DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 43229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.14 грн
19+ 17.86 грн
100+ 8.22 грн
500+ 5.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5135DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.64 грн
6000+ 2.36 грн
9000+ 2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+2.4 грн
Мінімальне замовлення: 250
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4560+2.64 грн
6000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 4560
MUN5135DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 23134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.81 грн
20+ 14.79 грн
100+ 7.21 грн
500+ 5.64 грн
1000+ 3.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5135DW1T1G (SOT363, ON) 2хТранзистор
Код товару: 153435		ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-363
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
товар відсутній
MUN5135T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5135T1
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 27000
MUN5135T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.13 грн
6000+ 1.94 грн
9000+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+8.19 грн
94+ 6.38 грн
95+ 6.33 грн
Мінімальне замовлення: 73
MUN5135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5135T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 11112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+12.22 грн
38+ 8.57 грн
100+ 3.09 грн
1000+ 2.04 грн
3000+ 1.69 грн
9000+ 1.41 грн
45000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN5135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.78 грн
9000+ 1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5135T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.16 грн
36+ 8.35 грн
100+ 4.53 грн
500+ 3.34 грн
1000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN5135T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 33043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6303+1.91 грн
9000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 6303
MUN5136DW1T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
товар відсутній
MUN5136DW1T1GonsemiDigital Transistors Dual Bias Resistor Transistor
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.62 грн
20+ 16.41 грн
100+ 9 грн
1000+ 4.01 грн
3000+ 3.44 грн
9000+ 2.67 грн
24000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5136DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5136DW1T1GonsemiDescription: MUN5136 - DUAL BIAS RESISTOR TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8663+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 8663
MUN5136T1ONSOT-323 01+
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5136T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5136T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 8013
MUN5136T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5136T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5136T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5136T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70
товар відсутній
MUN5136T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5136T1GonsemiDigital Transistors SS SC70 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 29749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.96 грн
36+ 9.05 грн
100+ 3.94 грн
1000+ 2.11 грн
3000+ 1.76 грн
9000+ 1.48 грн
24000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 26
MUN5137DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5137DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5137DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5137DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 14399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.57 грн
100+ 10.54 грн
1000+ 4.22 грн
3000+ 3.58 грн
9000+ 2.88 грн
24000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5137DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5137DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5137T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5137T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5137T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5137T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5137T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5137T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5137T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5137T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.69 грн
27+ 12.37 грн
100+ 6.82 грн
1000+ 2.25 грн
3000+ 2.18 грн
9000+ 1.55 грн
24000+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN5138T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW
товар відсутній
MUN5138T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5138T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5138T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5138T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
товар відсутній
MUN5140RT1
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5140T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
товар відсутній
MUN5140T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5140T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
товар відсутній
MUN5140T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5141T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5141T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5141T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
товар відсутній
MUN5141T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товар відсутній
MUN5211onsemionsemi SS SC70 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN5211MOTOROLA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5211-(TX)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5211DW1onsemionsemi SS SC88 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN5211DW1T
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5211DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5211DW1T1
на замовлення 597000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5211DW1T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual
товар відсутній
MUN5211DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+18.53 грн
66+ 11.98 грн
152+ 5.19 грн
500+ 4.72 грн
Мінімальне замовлення: 43
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5211DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.74 грн
6000+ 2.45 грн
9000+ 2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 31194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4703+2.56 грн
9000+ 1.68 грн
15000+ 1.66 грн
24000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 4703
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.29 грн
9000+ 1.63 грн
15000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5211DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5155+2.34 грн
9000+ 1.66 грн
15000+ 1.65 грн
24000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 5155
MUN5211DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 30136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.97 грн
28+ 10.76 грн
100+ 5.25 грн
500+ 4.11 грн
1000+ 2.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 31194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+2.38 грн
9000+ 1.56 грн
15000+ 1.54 грн
24000+ 1.44 грн
Мінімальне замовлення: 251
MUN5211DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
MUN5211DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2679+4.5 грн
2723+ 4.43 грн
3555+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 2679
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+10.72 грн
71+ 8.48 грн
73+ 8.25 грн
124+ 4.68 грн
250+ 3.73 грн
500+ 3.52 грн
1000+ 2.7 грн
3000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 56
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5211DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 33378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.81 грн
28+ 11.72 грн
100+ 4.22 грн
1000+ 2.88 грн
3000+ 2.25 грн
9000+ 1.9 грн
24000+ 1.76 грн
Мінімальне замовлення: 20
MUN5211T1
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5211T1ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
товар відсутній
MUN5211T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 50V SS MONO SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 310 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.6 грн
Мінімальне замовлення: 6662
MUN5211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+2.88 грн
125+ 2.51 грн
500+ 2.12 грн
550+ 1.92 грн
1475+ 1.83 грн
3000+ 1.78 грн
12000+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.64 грн
9000+ 1.33 грн
24000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 389742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.4 грн
46+ 6.44 грн
100+ 4 грн
500+ 2.72 грн
1000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5211T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 21864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.48 грн
40+ 8.08 грн
100+ 4.43 грн
1000+ 1.97 грн
2500+ 1.69 грн
10000+ 1.34 грн
30000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 29
MUN5211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 59330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+12.14 грн
94+ 8.44 грн
209+ 3.78 грн
500+ 3.44 грн
Мінімальне замовлення: 65
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
175+2.4 грн
200+ 2.01 грн
500+ 1.76 грн
550+ 1.6 грн
1475+ 1.52 грн
3000+ 1.49 грн
Мінімальне замовлення: 175
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6819+1.77 грн
9000+ 1.43 грн
24000+ 1.17 грн
Мінімальне замовлення: 6819
MUN5211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 387000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.16 грн
6000+ 1.85 грн
9000+ 1.74 грн
15000+ 1.5 грн
21000+ 1.43 грн
30000+ 1.36 грн
75000+ 1.18 грн
150000+ 1.08 грн
300000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5211T1GON-SemicoductorNPN 100mA 50V 202mW MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5211T1G
Код товару: 113765		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3212+3.75 грн
3240+ 3.72 грн
5377+ 2.24 грн
6757+ 1.72 грн
8621+ 1.25 грн
15000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3212
MUN5211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 59330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+10.76 грн
73+ 8.19 грн
84+ 7.12 грн
162+ 3.55 грн
250+ 3.11 грн
500+ 2.96 грн
1000+ 1.78 грн
3000+ 1.42 грн
6000+ 1.11 грн
Мінімальне замовлення: 56
MUN5211T1G/DTC114EUPANASONIC09+ SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5212
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5212DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 43833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5212DW1T1ON09+
на замовлення 27018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5212DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13888+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 13888
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.51 грн
9000+ 2.1 грн
24000+ 1.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5212DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 41886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 513
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+8.98 грн
97+ 6.19 грн
99+ 6.07 грн
233+ 2.48 грн
284+ 1.88 грн
Мінімальне замовлення: 67
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5212DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 107329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.29 грн
28+ 11.88 грн
100+ 4.22 грн
1000+ 3.09 грн
3000+ 2.6 грн
9000+ 2.32 грн
45000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 18
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3668+3.29 грн
9000+ 2.72 грн
24000+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 3668
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5212DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.05 грн
20+ 14.64 грн
100+ 7.15 грн
500+ 5.59 грн
1000+ 3.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+16.24 грн
75+ 10.57 грн
189+ 4.18 грн
500+ 3.81 грн
Мінімальне замовлення: 49
MUN5212DW1T1GON-Semicoductor2NPN 50V 100mA 250mW MUN5212DW1T1G ONSemiconductor TMUN5212dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 400
MUN5212PW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5212T1ONSOT323
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5212T1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 110724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.13 грн
6000+ 1.94 грн
9000+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+11.51 грн
99+ 8.04 грн
233+ 3.39 грн
500+ 1.9 грн
3000+ 1.28 грн
9000+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 69
MUN5212T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 60186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+88.55 грн
Мінімальне замовлення: 137
MUN5212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 12456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.16 грн
36+ 8.35 грн
100+ 4.53 грн
500+ 3.34 грн
1000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.9 грн
3000+ 1.28 грн
9000+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5212T1GON Semiconductor
на замовлення 662 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+82.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 130850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5212T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 14350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.96 грн
36+ 9.05 грн
100+ 3.37 грн
1000+ 2.32 грн
3000+ 1.69 грн
9000+ 1.41 грн
45000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 26
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5212T2
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213ON SemiconductorON Semiconductor SS SC70 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN5213MOTSOT-323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213-T1
на замовлення 2091000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213/8CON09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213DW1T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
на замовлення 233800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5213DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 233800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5213DW1T1ON07+;
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.41 грн
6000+ 2.38 грн
12000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4425+2.72 грн
6000+ 2.69 грн
12000+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 4425
MUN5213DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+22.71 грн
56+ 14.27 грн
139+ 5.68 грн
500+ 5.2 грн
Мінімальне замовлення: 35
MUN5213DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 12575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5213DW1T1G
Код товару: 174648		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4673+2.58 грн
6000+ 2.56 грн
12000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 4673
MUN5213DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.23 грн
9000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5213DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
75+4.16 грн
100+ 3.6 грн
375+ 2.9 грн
975+ 2.74 грн
12000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 75
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20.97 грн
46+ 13.01 грн
48+ 12.58 грн
100+ 5.76 грн
250+ 5.28 грн
500+ 4.32 грн
1000+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 29
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+3.7 грн
3000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 162
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.53 грн
6000+ 2.5 грн
12000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5213DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.76 грн
6000+ 3.36 грн
9000+ 2.79 грн
30000+ 2.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1875+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 1875
MUN5213DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.2 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5213DW1T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 33146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.88 грн
26+ 12.77 грн
100+ 5.2 грн
1000+ 3.51 грн
3000+ 2.74 грн
9000+ 2.39 грн
24000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3055+3.95 грн
4747+ 2.54 грн
6000+ 2.52 грн
12000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3055
MUN5213DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5213DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
125+3.47 грн
150+ 2.89 грн
375+ 2.42 грн
975+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 125
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+3.66 грн
3000+ 2.36 грн
6000+ 2.34 грн
12000+ 2.03 грн
Мінімальне замовлення: 163
MUN5213DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 38815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.81 грн
20+ 14.79 грн
100+ 7.21 грн
500+ 5.64 грн
1000+ 3.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5213DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN5213DW1T3GonsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V
на замовлення 9164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.44 грн
20+ 16.41 грн
100+ 5.83 грн
1000+ 3.51 грн
2500+ 3.3 грн
10000+ 2.67 грн
20000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5213DW1T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5213DW1T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5213DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.01 грн
20+ 14.86 грн
100+ 7.87 грн
500+ 4.86 грн
1000+ 3.31 грн
2000+ 2.98 грн
5000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN5213DW1T3GON Semiconductor
на замовлення 19545 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213RT1
на замовлення 1266000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5213T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
товар відсутній
MUN5213T1/CK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+1.58 грн
45000+ 1.17 грн
Мінімальне замовлення: 30000
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6819+1.77 грн
9000+ 1.45 грн
24000+ 1.4 грн
48000+ 1.28 грн
99000+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 6819
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5213T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70; SOT323
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.25 грн
30+ 9.21 грн
100+ 4.74 грн
500+ 3.08 грн
578+ 1.77 грн
1588+ 1.67 грн
9000+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 22
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 25789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.4 грн
46+ 6.44 грн
100+ 4 грн
500+ 2.72 грн
1000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN5213T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 536000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5213T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70; SOT323
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.04 грн
50+ 7.39 грн
100+ 3.95 грн
500+ 2.56 грн
578+ 1.47 грн
1588+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 36
MUN5213T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 28489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+12.22 грн
39+ 8.49 грн
100+ 3.37 грн
1000+ 1.97 грн
3000+ 1.55 грн
9000+ 1.34 грн
24000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.64 грн
9000+ 1.35 грн
24000+ 1.31 грн
48000+ 1.19 грн
99000+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5213T1G
Код товару: 177311		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+11.02 грн
77+ 7.77 грн
78+ 7.69 грн
163+ 3.53 грн
250+ 3.24 грн
500+ 3.08 грн
1000+ 1.85 грн
Мінімальне замовлення: 55
MUN5213T1GON-SemicoductorNPN 50V 100mA 202mW MUN5213T1G ONSemiconductor TMUN5213
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MUN5213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.16 грн
6000+ 1.85 грн
9000+ 1.74 грн
15000+ 1.5 грн
21000+ 1.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5213T2
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213TI
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213\8CONSOT-323
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5214onsemionsemi SS SC70 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній