Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5111T1G
MUN5111T1G

MUN5111T1G ON Semiconductor

dta114e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5111T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції MUN5111T1G за ціною від 0.96 грн до 12.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN5111T1G MUN5111T1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5111T1G MUN5111T1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9434+1.28 грн
9555+ 1.26 грн
12000+ 1.25 грн
18000+ 1.2 грн
24000+ 1.09 грн
30000+ 0.96 грн
Мінімальне замовлення: 9434
MUN5111T1G MUN5111T1G Виробник : onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.11 грн
6000+ 1.92 грн
9000+ 1.63 грн
30000+ 1.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5111T1G MUN5111T1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3087+3.92 грн
3119+ 3.87 грн
4902+ 2.47 грн
8929+ 1.31 грн
9037+ 1.19 грн
15000+ 1.06 грн
Мінімальне замовлення: 3087
MUN5111T1G MUN5111T1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
53+11.35 грн
73+ 8.22 грн
74+ 8.14 грн
163+ 3.55 грн
250+ 3.25 грн
500+ 3.08 грн
1000+ 1.96 грн
3000+ 1.08 грн
6000+ 1.06 грн
Мінімальне замовлення: 53
MUN5111T1G MUN5111T1G Виробник : onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 47491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.06 грн
36+ 8.28 грн
100+ 4.49 грн
500+ 3.31 грн
1000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN5111T1G MUN5111T1G Виробник : onsemi DTA114E_D-2310690.pdf Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 8841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12.85 грн
36+ 8.98 грн
100+ 3.35 грн
1000+ 2.16 грн
3000+ 1.74 грн
9000+ 1.46 грн
24000+ 1.25 грн
Мінімальне замовлення: 26
MUN5111T1G MUN5111T1G Виробник : ON Semiconductor DTA114E-D-1773641.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 39288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5111T1G MUN5111T1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5111T1G MUN5111T1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5111T1G MUN5111T1G Виробник : ONSEMI dta114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.202W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.202W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
MUN5111T1G MUN5111T1G Виробник : ONSEMI dta114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.202W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.202W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній