![MUN5112T1G MUN5112T1G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/796/SC-70-3_419AB-01.jpg)
MUN5112T1G onsemi
![dta124e-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.06 грн |
6000+ | 1.87 грн |
9000+ | 1.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5112T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.
Інші пропозиції MUN5112T1G за ціною від 1.25 грн до 12.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5112T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
на замовлення 13240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5112T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 9190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
MUN5112T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 467900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MUN5112T1G |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MUN5112T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |