MUN5212DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 41886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 513+ | 1.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5212DW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MUN5212DW1T1G за ціною від 1.38 грн до 21.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN5212DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5212DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5212DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5212DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5212DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5212DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5212DW1T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN |
на замовлення 107329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5212DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 1735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5212DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MUN5212DW1T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
2NPN 50V 100mA 250mW MUN5212DW1T1G ONSemiconductor TMUN5212dw кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MUN5212DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
MUN5212DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MUN5212DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MUN5212DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MUN5212DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
товар відсутній |