![MUN5116DW1T1G MUN5116DW1T1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/5/11/9/10/6/437/ons_/manual/sc6.jpg)
MUN5116DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5116DW1T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції MUN5116DW1T1G за ціною від 2.44 грн до 27.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MUN5116DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5116DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5116DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5116DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5116DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5116DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5116DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MUN5116DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MUN5116DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 46833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MUN5116DW1T1G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
MUN5116DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MUN5116DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MUN5116DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
товар відсутній |