Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5213DW1T1G
MUN5213DW1T1G

MUN5213DW1T1G ON Semiconductor

mun5211dw1t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5213DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5213DW1T1G за ціною від 2.03 грн до 22.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.42 грн
6000+ 2.39 грн
12000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.54 грн
6000+ 2.51 грн
12000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4673+2.59 грн
6000+ 2.56 грн
12000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 4673
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4425+2.73 грн
6000+ 2.7 грн
12000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 4425
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ONSEMI 1813815.pdf Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.21 грн
9000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5213DW1.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+3.44 грн
150+ 2.87 грн
375+ 2.43 грн
975+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 125
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
163+3.67 грн
3000+ 2.36 грн
6000+ 2.34 грн
12000+ 2.03 грн
Мінімальне замовлення: 163
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
162+3.71 грн
3000+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 162
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.73 грн
6000+ 3.33 грн
9000+ 2.76 грн
30000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3055+3.96 грн
4747+ 2.55 грн
6000+ 2.52 грн
12000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3055
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5213DW1.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+4.13 грн
100+ 3.57 грн
375+ 2.92 грн
975+ 2.76 грн
3000+ 2.74 грн
12000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 75
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ONSEMI 2255301.pdf Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1875+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 1875
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+21.02 грн
46+ 13.05 грн
48+ 12.61 грн
100+ 5.77 грн
250+ 5.29 грн
500+ 4.33 грн
1000+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 29
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ONSEMI 2255301.pdf Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+22.52 грн
56+ 14.15 грн
139+ 5.63 грн
500+ 5.15 грн
Мінімальне замовлення: 35
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 38815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.62 грн
20+ 14.66 грн
100+ 7.15 грн
500+ 5.59 грн
1000+ 3.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : onsemi DTC144ED_D-2310750.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 33146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+22.68 грн
26+ 12.66 грн
100+ 5.16 грн
1000+ 3.48 грн
3000+ 2.72 грн
9000+ 2.37 грн
24000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 15
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor DTC144ED_D-2310750.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 12575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5213DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0000136946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5213DW1T1G
Код товару: 174648 		dtc144ed-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній