Продукція > ONSEMI > MUN5112DW1T1G
MUN5112DW1T1G

MUN5112DW1T1G onsemi


dta124ed-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.65 грн
6000+ 2.36 грн
9000+ 2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5112DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції MUN5112DW1T1G за ціною від 2.18 грн до 24.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5112DW1.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+9.54 грн
100+ 4.75 грн
235+ 3.65 грн
640+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 45
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5112DW1.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.45 грн
100+ 5.93 грн
235+ 4.38 грн
640+ 4.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 14300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+22.13 грн
40+ 14.98 грн
100+ 6.03 грн
1000+ 4 грн
3000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 28
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Виробник : onsemi dta124ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 53576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.62 грн
20+ 14.81 грн
100+ 7.22 грн
500+ 5.65 грн
1000+ 3.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Виробник : onsemi DTA124ED_D-2310746.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 22091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+24.23 грн
20+ 16.35 грн
100+ 5.78 грн
1000+ 4.04 грн
3000+ 2.79 грн
9000+ 2.65 грн
24000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5112DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003157589-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5112DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній