Продукція > IQD

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IQD-DB1M-01A

Category: RF modules
Description: Module: DALI Bridge; GFSK; 868MHz; DALI; -101dBm; 10dBm; 8.3/11.8mA
Type of communications module: DALI Bridge
Kind of modulation: GFSK
Frequency: 868MHz
Interface: DALI
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Dimensions: 88x38x22mm
TX/RX supply current: 8.3/11.8mA
Operating temperature: -10...60°C
Range: 130m
Communictions protocol: DALI
Kind of connector: screw
Components: DCTR-76D
Kit contents: base board

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2648.44 грн
5+	2367.75 грн

IQD-DB1M-01A

Category: RF modules
Description: Module: DALI Bridge; GFSK; 868MHz; DALI; -101dBm; 10dBm; 8.3/11.8mA
Type of communications module: DALI Bridge
Kind of modulation: GFSK
Frequency: 868MHz
Interface: DALI
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Dimensions: 88x38x22mm
TX/RX supply current: 8.3/11.8mA
Operating temperature: -10...60°C
Range: 130m
Communictions protocol: DALI
Kind of connector: screw
Components: DCTR-76D
Kit contents: base board
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 16 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3178.13 грн
5+	2950.58 грн

IQD-GW-02

Category: RF modules
Description: Module: gateway; GFSK; 868MHz; Ethernet,USB; -101dBm; 10dBm
Type of communications module: gateway
Kind of modulation: GFSK
Frequency: 868MHz
Interface: Ethernet; USB
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Dimensions: 50x54x36mm
Operating temperature: -10...40°C
Range: 400m
Kind of connector: RJ45; USB A; USB B micro
Components: DCTR-76D
Kit contents: base board
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	14291.65 грн
3+	13400.78 грн

IQD-GW-02

Category: RF modules
Description: Module: gateway; GFSK; 868MHz; Ethernet,USB; -101dBm; 10dBm
Type of communications module: gateway
Kind of modulation: GFSK
Frequency: 868MHz
Interface: Ethernet; USB
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Dimensions: 50x54x36mm
Operating temperature: -10...40°C
Range: 400m
Kind of connector: RJ45; USB A; USB B micro
Components: DCTR-76D
Kit contents: base board

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	11909.71 грн

IQD005N04NM6ATMA1
Код товару: 198771

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товар відсутній

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

на замовлення 4899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	268.39 грн
10+	217.08 грн
100+	175.63 грн
500+	146.51 грн
1000+	125.45 грн
2000+	118.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

TRENCH <= 40V

товар відсутній

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	232.14 грн
10+	204.76 грн
25+	202.82 грн
100+	130.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товар відсутній

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

83+	145.93 грн

Мінімальне замовлення: 83

IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	288.64 грн
10+	239.25 грн
100+	168.69 грн
500+	149.71 грн
1000+	120.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQD005N04NM6CGATMA1

Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	346.13 грн
10+	245.21 грн
100+	198.69 грн
500+	174.25 грн
1000+	137.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

на замовлення 4520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	268.39 грн
10+	232.16 грн
25+	219.53 грн
100+	178.55 грн
250+	169.4 грн
500+	152 грн
1000+	126.09 грн
2500+	119.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 4744 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	288.64 грн
10+	239.25 грн
25+	196.8 грн
100+	168.69 грн
250+	158.85 грн
500+	149.71 грн
1000+	127.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQD005N04NM6CGATMA1

Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	198.69 грн
500+	174.25 грн
1000+	137.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товар відсутній

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A T/R

товар відсутній

IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

товар відсутній

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4584 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	328 грн
10+	271.58 грн
25+	222.81 грн
100+	191.18 грн
250+	180.63 грн
500+	170.09 грн
1000+	145.49 грн

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товар відсутній

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	291.63 грн
48+	256.35 грн
50+	243.09 грн
100+	207.21 грн
250+	162.51 грн

Мінімальне замовлення: 42

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

на замовлення 4988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	304.88 грн
10+	246.29 грн
100+	199.3 грн
500+	166.25 грн
1000+	142.35 грн
2000+	134.04 грн

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	270.8 грн
10+	238.04 грн
25+	225.73 грн
100+	192.41 грн
250+	150.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A T/R

товар відсутній

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	328 грн
10+	271.58 грн
25+	222.81 грн
100+	191.18 грн
250+	180.63 грн
500+	170.09 грн
1000+	145.49 грн

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товар відсутній

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	147.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	340.3 грн
10+	282.09 грн
25+	231.24 грн
100+	198.21 грн
250+	186.96 грн
500+	175.71 грн
1000+	151.11 грн

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	302.64 грн
46+	266.47 грн
48+	252.89 грн
100+	215.11 грн
250+	169.04 грн

Мінімальне замовлення: 40

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	281.02 грн
10+	247.44 грн
25+	234.83 грн
100+	199.75 грн
250+	156.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товар відсутній

IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	317.05 грн
10+	256.25 грн
100+	207.27 грн
500+	172.9 грн
1000+	148.04 грн
2000+	139.4 грн

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

товар відсутній

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2507 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	341.12 грн
10+	282.9 грн
25+	231.94 грн
100+	198.91 грн
250+	187.66 грн
500+	176.42 грн
1000+	151.82 грн

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

товар відсутній

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товар відсутній

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

на замовлення 4985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	317.05 грн
10+	256.47 грн
100+	207.48 грн
500+	173.07 грн
1000+	148.2 грн
2000+	139.54 грн

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	354.24 грн
10+	294.22 грн
25+	241.08 грн
100+	206.64 грн
250+	195.39 грн
500+	183.45 грн
1000+	157.44 грн

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	315.33 грн
44+	277.32 грн
46+	263.34 грн
100+	224.18 грн
250+	175.79 грн

Мінімальне замовлення: 39

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

товар відсутній

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	292.81 грн
10+	257.51 грн
25+	244.53 грн
100+	208.17 грн
250+	163.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товар відсутній

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQD020N10NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	386.35 грн
10+	275.96 грн
100+	223.92 грн
500+	194.75 грн
1000+	154.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

на замовлення 4986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	330.73 грн
10+	286.12 грн
25+	270.54 грн
100+	220.03 грн
250+	208.75 грн
500+	187.31 грн
1000+	155.38 грн
2500+	147.61 грн

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 26A T/R

товар відсутній

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

товар відсутній

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQD020N10NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	223.92 грн
500+	194.75 грн
1000+	154.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	354.24 грн
10+	294.22 грн
25+	241.08 грн
100+	206.64 грн
250+	195.39 грн
500+	183.45 грн
1000+	157.44 грн

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товар відсутній

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	327.71 грн
43+	286.32 грн
45+	272.26 грн
100+	233.01 грн
250+	182.82 грн

Мінімальне замовлення: 37

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 4997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	329.97 грн
10+	266.72 грн
100+	215.77 грн
500+	179.99 грн
1000+	154.12 грн
2000+	145.12 грн

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	304.3 грн
10+	265.87 грн
25+	252.81 грн
100+	216.37 грн
250+	169.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4928 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	369 грн
10+	305.53 грн
25+	250.92 грн
100+	215.07 грн
250+	203.13 грн
500+	191.18 грн
1000+	163.77 грн

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

товар відсутній

IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товар відсутній

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

товар відсутній

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 14.1A 9-Pin TTFN EP

товар відсутній

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	369 грн
10+	305.53 грн
25+	250.92 грн
100+	215.07 грн
250+	203.13 грн
500+	191.18 грн
1000+	163.77 грн

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

TRENCH >=100V

товар відсутній

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

товар відсутній

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 14.1A 9-Pin TTFN EP

товар відсутній

IQDH29NE2LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

товар відсутній

IQDH29NE2LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4656 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	290.28 грн
10+	240.87 грн
25+	197.5 грн
100+	169.39 грн
250+	160.25 грн
500+	150.41 грн
1000+	128.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQDH29NE2LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

на замовлення 4826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.86 грн
10+	200.75 грн
100+	162.45 грн
500+	135.51 грн
1000+	116.03 грн
2000+	109.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

товар відсутній

IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

на замовлення 3978 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	291.1 грн
10+	241.68 грн
25+	198.21 грн
100+	170.09 грн
250+	160.95 грн
500+	151.11 грн
1000+	129.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

товар відсутній

IQDH35N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	257.74 грн
10+	208.88 грн
100+	168.96 грн
500+	140.95 грн
1000+	120.69 грн
2000+	113.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQDH35N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

товар відсутній

IQDH35N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.58 грн
10+	250.57 грн
25+	205.23 грн
100+	175.71 грн
250+	165.87 грн
500+	156.03 грн
1000+	134.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQDH35N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	190.02 грн
500+	165.46 грн
1000+	131.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 66A T/R

товар відсутній

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

товар відсутній

IQDH35N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	331.94 грн
10+	234.96 грн
100+	190.02 грн
500+	165.46 грн
1000+	131.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.58 грн
10+	250.57 грн
25+	205.23 грн
100+	175.71 грн
250+	165.87 грн
500+	156.03 грн
1000+	134.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

товар відсутній

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товар відсутній

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4454 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	308.32 грн
10+	255.42 грн
25+	209.45 грн
100+	179.93 грн
250+	169.39 грн
500+	159.55 грн
1000+	136.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

на замовлення 4705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	263.06 грн
10+	212.69 грн
100+	172.07 грн
500+	143.54 грн
1000+	122.9 грн
2000+	115.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

TRENCH <= 40V

товар відсутній

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

товар відсутній

IQDH45N04LM6CGATMA1

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	194.75 грн
500+	170.59 грн
1000+	134.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

IQDH45N04LM6CGATMA1

товар відсутній

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 9-Pin TTFN EP

товар відсутній

IQDH45N04LM6CGATMA1

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	338.25 грн
10+	240.48 грн
100+	194.75 грн
500+	170.59 грн
1000+	134.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 2307 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	309.14 грн
10+	256.23 грн
25+	210.15 грн
100+	180.63 грн
250+	170.09 грн
500+	160.25 грн
1000+	137.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

на замовлення 4446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	259.26 грн
10+	224.4 грн
25+	212.2 грн
100+	172.59 грн
250+	163.74 грн
500+	146.92 грн
1000+	121.88 грн
2500+	115.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

на замовлення 4732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	376.35 грн
10+	241.24 грн
100+	172.43 грн
500+	134.2 грн
1000+	126.03 грн

IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 4437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	321.44 грн
10+	265.93 грн
25+	218.59 грн
100+	187.66 грн
250+	177.12 грн
500+	166.58 грн
1000+	142.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

товар відсутній

IQDH88N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, TSON, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	344.56 грн
10+	245.21 грн
100+	198.69 грн
500+	173.52 грн
1000+	137.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQDH88N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	344.56 грн
10+	245.21 грн
100+	198.69 грн
500+	173.52 грн
1000+	137.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

товар відсутній

IQDH88N06LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	198.69 грн
500+	173.52 грн
1000+	137.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	298.8 грн
10+	258.3 грн
25+	244.16 грн
100+	198.57 грн
250+	188.39 грн
500+	169.04 грн
1000+	140.23 грн
2500+	133.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A T/R

товар відсутній

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	144.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQDH88N06LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	344.56 грн
10+	245.21 грн
100+	198.69 грн
500+	173.52 грн
1000+	137.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	321.44 грн
10+	265.93 грн
25+	218.59 грн
100+	187.66 грн
250+	177.12 грн
500+	166.58 грн
1000+	142.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній