![IQDH45N04LM6ATMA1 IQDH45N04LM6ATMA1](https://www.mouser.com/images/infineon/lrg/PG-TSON-8-9_SPL.jpg)
на замовлення 4454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 308.32 грн |
10+ | 255.42 грн |
25+ | 209.45 грн |
100+ | 179.93 грн |
250+ | 169.39 грн |
500+ | 159.55 грн |
1000+ | 136.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQDH45N04LM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH .
Інші пропозиції IQDH45N04LM6ATMA1 за ціною від 115.73 грн до 263.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IQDH45N04LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V |
на замовлення 4705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IQDH45N04LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IQDH45N04LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V |
товар відсутній |