IQDH88N06LM5CGATMA1

IQDH88N06LM5CGATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IQDH88N06LM5CG_DataSheet_v02_01_EN-3240825.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 1282 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+322.6 грн
10+ 266.88 грн
25+ 219.38 грн
100+ 188.34 грн
250+ 177.76 грн
500+ 167.18 грн
1000+ 143.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQDH88N06LM5CGATMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R.

Інші пропозиції IQDH88N06LM5CGATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IQDH88N06LM5CGATMA1 IQDH88N06LM5CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqdh88n06lm5cg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQDH88N06LM5CGATMA1 IQDH88N06LM5CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqdh88n06lm5cg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R
товар відсутній
IQDH88N06LM5CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqdh88n06lm5cg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 42A T/R
товар відсутній
IQDH88N06LM5CGATMA1 IQDH88N06LM5CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQDH88N06LM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188b39789f50841 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V
товар відсутній
IQDH88N06LM5CGATMA1 IQDH88N06LM5CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQDH88N06LM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188b39789f50841 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V
товар відсутній