на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 354.24 грн |
| 10+ | 294.22 грн |
| 25+ | 241.08 грн |
| 100+ | 206.64 грн |
| 250+ | 195.39 грн |
| 500+ | 183.45 грн |
| 1000+ | 157.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQD020N10NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-9, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IQD020N10NM5ATMA1 за ціною від 139.54 грн до 317.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IQD020N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 N-channel Power MOSFET |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IQD020N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IQD020N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V |
на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IQD020N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IQD020N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IQD020N10NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V |
товар відсутній |