на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 341.12 грн |
| 10+ | 282.9 грн |
| 25+ | 231.94 грн |
| 100+ | 198.91 грн |
| 250+ | 187.66 грн |
| 500+ | 176.42 грн |
| 1000+ | 151.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQD016N08NM5CGATMA1 Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA, Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V.
Інші пропозиції IQD016N08NM5CGATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IQD016N08NM5CGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R |
товар відсутній |
||
 |
IQD016N08NM5CGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R |
товар відсутній |
|
|
|
IQD016N08NM5CGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R |
товар відсутній |
|
 |
IQD016N08NM5CGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V |
товар відсутній |
|
|
|
IQD016N08NM5CGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V |
товар відсутній |