IQD005N04NM6ATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N

на замовлення 5000 шт:

---

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	288.64 грн
10+	239.25 грн
100+	168.69 грн
500+	149.71 грн
1000+	120.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IQD005N04NM6ATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IQD005N04NM6ATMA1 за ціною від 118.12 грн до 268.39 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IQD005N04NM6ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 83+ 145.93 грн Мінімальне замовлення: 83 купити
	IQD005N04NM6ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 3+ 232.14 грн 10+  204.76 грн 25+  202.82 грн 100+  130.67 грн Мінімальне замовлення: 3 купити
	IQD005N04NM6ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V	на замовлення 4899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 2+ 268.39 грн 10+  217.08 грн 100+  175.63 грн 500+  146.51 грн 1000+  125.45 грн 2000+  118.12 грн Мінімальне замовлення: 2 купити
	IQD005N04NM6ATMA1 Код товару: 198771		Транзистори > Польові N-канальні	товар відсутній	купити
	IQD005N04NM6ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	товар відсутній	купити
	IQD005N04NM6ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	TRENCH <= 40V	товар відсутній	купити
	IQD005N04NM6ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V	товар відсутній	купити