на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 328 грн |
10+ | 271.58 грн |
25+ | 222.81 грн |
100+ | 191.18 грн |
250+ | 180.63 грн |
500+ | 170.09 грн |
1000+ | 145.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQD009N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
N-channel Power MOSFET.
Інші пропозиції IQD009N06NM5ATMA1 за ціною від 134.04 грн до 304.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IQD009N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IQD009N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IQD009N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V |
на замовлення 4988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IQD009N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IQD009N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IQD009N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V |
товар відсутній |