Продукція > BYV
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BYV10-20 | на замовлення 5725 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV10-20 | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky 20V 1A 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10-20A | на замовлення 23500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV10-30,113 | NXP Semiconductors | PN may be NE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10-40 | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10-40 | Philips | Диод Шоттки SOD81 U=40V I=1A | на замовлення 142 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10-40 | STMicroelectronics | Rectifier Diode Small Signal Schottky 40V 1A 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10-40.113 | NXP Semiconductors | Diode Schottky 40V 1A 2-Pin Sod-81 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10-600P127 | NXP USA Inc. | Description: ULTRAFAST RECTIFIER DIODE TO 22 Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 80A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SOD59; TO220AC Kind of package: tube Max. forward impulse current: 80A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 9505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers Ultrafast pwr diode | на замовлення 3917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 80A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SOD59; TO220AC Kind of package: tube Max. forward impulse current: 80A кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10-600PQ | Ween | Rectifier Diode Switching 600V 10A 20ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10-600PQ127 | NXP USA Inc. | Description: ULTRAFAST RECTIFIER DIODE TO 22 Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV1060 | ST | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV10D-600PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 10A; DPAK; Ifsm: 120A; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: DPAK Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 120A кількість в упаковці: 7500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10D-600PJ | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes BYV10D-600P/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | на замовлення 3579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10D-600PJ | Ween | Ultrafast Power Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10D-600PJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV10D-600PJ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.3 V, 100 ns, 132 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 132A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 100ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10D-600PJ | WeEn Semiconductors | Description: BYV10D-600P/TO252/REEL 13" Q1/T Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10D-600PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 10A; DPAK; Ifsm: 120A; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: DPAK Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 120A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10D-600PJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV10D-600PJ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.3 V, 100 ns, 132 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 132A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 100ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10ED-600P | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV10ED-600P/DPAK/REEL 13" Q1/ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10ED-600P | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10ED-600PJ | Ween | Rectifier Diode Switching 600V 10A 50ns 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 10A 50ns 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 10A; DPAK; Ifsm: 70A; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: DPAK Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 70A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV10ED-600P/DPAK | на замовлення 2867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 10A; DPAK; Ifsm: 70A; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: DPAK Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 70A кількість в упаковці: 7500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 10A 50ns 3-Pin(2+Tab) DPAK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 10A 50ns 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 4575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10EX-600P | WeEn Semiconductors | Rectifiers Ultrafast power diode | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV10EX-600P127 | NXP USA Inc. | Description: ULTRAFAST RECTIFIER DIODE TO 22 Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10EX-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 75A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SOD113; TO220FP-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 75A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10EX-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10EX-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 75A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SOD113; TO220FP-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 75A кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10EX-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers Ultrafast power diode | на замовлення 6000 шт: термін постачання 103-112 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10M-600PQ | WeEn Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching BYV10M-600P/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10MB-600PJ | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors Ultrafast power diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10MD-650PJ | WeEn Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching BYV10MD-650P/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10MED-650PJ | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors Ultrafast power diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10MX-600PQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV10MX-600PQ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 2 V, 45 ns, 110 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 110A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: 45ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10MX-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SOD113; TO220FP-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10MX-600PQ | WeEn Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching BYV10MX-600P/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 4281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10MX-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 10623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10MX-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SOD113; TO220FP-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10X-600P | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10X-600P127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10X-600PQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 10A 50ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10X-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 88A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.6V Case: SOD113; TO220FP-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 88A | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10X-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers Ultrafast Pwr Diode | на замовлення 6998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10X-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 88A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.6V Case: SOD113; TO220FP-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 88A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10X-600PQ | Ween | Rectifier Diode Switching 600V 10A 50ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV10X-600PQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV10X-600PQ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 2 V, 40 ns, 80 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: 40ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 2787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV10X-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV116-25 | на замовлення 50801 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV11625 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV1168-25 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV116B | PHI | 97+ | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV116B-25 | PHI | 00+ | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV116B25 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV118-04 | PHI | TO220 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV118-40 | PHILIPS | 2000 | на замовлення 1999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV118X-40 | PH | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV118X40 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV12-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV12-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV12-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV12-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV121-45 | на замовлення 1280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV12145 | PHILIHPS | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV123 | SIE | 90+ | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV13-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV13-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV13-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV13-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV133-45 | PH | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV133-45 Код товару: 79965 | Philips | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі Корпус: TO-220AB Зворотня напруга, Vrrm: 40 V Прямий струм (per leg), If: 20 A Падіння напруги, Vf: 0,6 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV14-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 600 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV14-TAP | VISHAY | BYV14-TAP THT universal diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV14-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV14-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV14-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 600 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV143-45 | на замовлення 565 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV15-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV15-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 800 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV15-TAP | VISHAY | BYV15-TAP THT universal diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV15-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 800 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV15-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV15M-650PQ | Ween | BYV15M-650P/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV15M-650PQ | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes BYV15M-650P/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV16-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1.5A; Ammo Pack; Ifsm: 40A; SOD57; 300ns Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Max. forward impulse current: 40A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.5V Kind of package: Ammo Pack Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Leakage current: 0.15mA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. load current: 9A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 25000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV16-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | на замовлення 24091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV16-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 8876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV16-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV16-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1.5A; Ammo Pack; Ifsm: 40A; SOD57; 300ns Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Max. forward impulse current: 40A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.5V Kind of package: Ammo Pack Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Leakage current: 0.15mA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. load current: 9A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 300ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV16-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV16-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV16-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 24750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV16-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 300ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV16-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV16-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 300ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV16-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | на замовлення 32767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV20MX-650PQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV20MX-650PQ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 20 A, Einfach, 2.2 V, 23 ns, 275 A tariffCode: 85411000 productTraceability: No Sperrverzögerungszeit: 23ns rohsCompliant: YES Durchlassstoßstrom: 275A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 2.2V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV20MX-650PQ | WeEn Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching BYV20MX-650P/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV21MB-650PJ | Ween | BYV21MB-650P/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV21MX-650PQ | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes BYV21MX-650P/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV21MX-650PQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV21MX-650PQ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 20 A, Einfach, 2.6 V, 26 ns, 198 A tariffCode: 85411000 productTraceability: No Sperrverzögerungszeit: 26ns rohsCompliant: YES Durchlassstoßstrom: 198A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 2.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV222V35 | ST | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV223V | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV228 | PHILIPS | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV23-45 Код товару: 113297 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV241V200 | WL | на замовлення 148 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV255V | ST | 50A/200V/FAST DIODE/2U | на замовлення 228 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV255V-200 | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV255V-200 | STMicroelectronics | Rectifiers 2X100 Amp 200 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV255V-200 | STMicroelectronics | Description: DIODE MODULE GP 200V 100A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: ISOTOP® Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV255V-200 | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 100A 80ns 4-Pin ISOTOP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV255V-200 | EUPEC | MODULE | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV255V150 | ST | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV255V200 | ST | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV255V200 Код товару: 32452 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV255V200 | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV25D-600 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25D-600,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV25D-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.3 V, 60 ns, 66 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 66A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25D-600,118 | Nexperia | BYV25D-600/DPAK/REEL 13 Q1/T1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25D-600,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 5A | на замовлення 3230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25D-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25D-600,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 50ns; DPAK; Ufmax: 1.11V; Ifsm: 66A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 66A Case: DPAK Max. forward voltage: 1.11V Reverse recovery time: 50ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25D-600,118 | NXP USA Inc. | Description: DIODE RECT 600V 5A DPAK Packaging: Bulk | на замовлення 76500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25D-600,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV25D-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.3 V, 60 ns, 66 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 66A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25D-600,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 5A 50ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25D-600,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 50ns; DPAK; Ufmax: 1.11V; Ifsm: 66A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 66A Case: DPAK Max. forward voltage: 1.11V Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25D-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 7958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25F-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25F-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 5A; tube; Ifsm: 66A; SOD59,TO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: rectifying Case: SOD59; TO220AC Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.7V Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 66A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25F-600,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 600V 5A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25F-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers PWR 600 V 5 A Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25F-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 5A; tube; Ifsm: 66A; SOD59,TO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: rectifying Case: SOD59; TO220AC Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.7V Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 66A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FB-600,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers PWR 600 V 5 A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FB-600,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 35ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 66A Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 35ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FB-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FB-600,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 35ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 66A Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 35ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FB-600,118 | Ween | Rectifier Diode Switching 600V 5A 35ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FD-600 | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV25FD-600/DPAK/REEL 13" Q1/T | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FD-600 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FD-600 Код товару: 73074 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори) | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV25FD-600,118 | Nexperia | Rectifier Diode Switching 600V 5A 35ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FD-600,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 35ns; DPAK; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 66A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 66A Case: DPAK Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 35ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FD-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25FD-600,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 5A 35ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25FD-600,118 Код товару: 144472 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV25FD-600,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 35ns; DPAK; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 66A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 66A Case: DPAK Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 35ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FD-600,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 5A 35ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25FD-600,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers PWR 600 V 5 A Diode | на замовлення 33191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25FD-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 8194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25FD-600,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 5A 35ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FX-600 | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV25FX-600/TO-220F/STANDARD M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FX-600,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 4228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25FX-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 5A; tube; Ifsm: 66A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 66A Case: SOD113; TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 35ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FX-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FX-600,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 600V 5A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FX-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 5A; tube; Ifsm: 66A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 66A Case: SOD113; TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 35ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25FX-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers PWR 600 V 5 A Diode | на замовлення 2149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25G-600,127 | Ween | Diode Switching 600V 5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25G-600,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE 600V I2PAK Packaging: Bulk | на замовлення 7939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25G-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 5A; tube; Ifsm: 66A; I2PAK; Ufmax: 1.11V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 66A Case: I2PAK Max. forward voltage: 1.11V Reverse recovery time: 60ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25G-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers 600V 5A 3-Pin(3+Tab) Diode Ultra Rectifie | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25G-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: NOW WEEN - BYV25G-600 - ULTRAFAS Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: I2PAK (TO-262) Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25G-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 5A; tube; Ifsm: 66A; I2PAK; Ufmax: 1.11V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 66A Case: I2PAK Max. forward voltage: 1.11V Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25G-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25X-600 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25X-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 5A | на замовлення 2493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25X-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 5A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25X-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 5A; tube; Ifsm: 66A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 66A Case: SOD113; TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.11V Reverse recovery time: 60ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25X-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 5A; tube; Ifsm: 66A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 66A Case: SOD113; TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.11V Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25X-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 5A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV25X-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25X-600,127 | Nexperia | Rectifier Diode Switching 600V 5A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25X-600,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 600V 5A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV25X-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 5A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26A | EIC | Rectifier Diode Switching 200V 1A 30ns 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26A | PHI | 05+ TSOP48 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV26A /VISHAY корпус SOD57 Код товару: 33450 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV26A SOD64 /PH/ Код товару: 75553 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV26A,113 | NXP Semiconductors | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26A-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26A-TAP | Vishay | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV26A-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 4620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26A-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 69124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26A-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26A-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26A-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26A-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26A-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 30ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26B | PHILIPS | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV26B | EIC | Rectifier Diode Switching 400V 1A 30ns 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26B-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 30ns 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 2902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26B-TAP | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26B-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 30ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 20905 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26B-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 30ns | на замовлення 20905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26B-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 22065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26B-TR | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26B-TR Код товару: 86927 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV26B-TR | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 17952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26B-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 15854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 13805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26B-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 30ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26B-TR | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 17952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C | EIC | Rectifier Diode Switching 600V 1A 30ns 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26C | Vishay | Диод БМ SOD57 U=600 V I=1 A trr=30 ns | на замовлення 2877 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C | EIC | Rectifier Diode Switching 600V 1A 30ns 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26C Код товару: 4089 | Yangjie/LGE | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: DO-41 Vrr, V: 600 V Iav, A: 1 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 30 ns | у наявності 1273 шт: 1160 шт - склад22 шт - РАДІОМАГ-Київ 32 шт - РАДІОМАГ-Львів 51 шт - РАДІОМАГ-Харків 6 шт - РАДІОМАГ-Одеса 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
BYV26C | EIC | Ultrafast 1.0A 600V 30ns SOD-57 | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV26C | EIC | Rectifier Diode Switching 600V 1A 30ns 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26C | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26C-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV26C-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 30ns 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TAP Код товару: 90562 | Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: SOD-57 Vrr, V: 600 V Iav, A: 1 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 30 ns | у наявності 77 шт: 30 шт - склад10 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 21 шт - РАДІОМАГ-Харків 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 30ns | на замовлення 10367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 30ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 10367 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1 Amp 600 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 6130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 18340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV26C-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.5 V, 30 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: 0 Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: BYV26 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 0 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 15230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 | на замовлення 6608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 18340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 4974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TR | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1 Amp 600 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 15628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV26C-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.5 V, 30 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: 0 Qualifikation: 0 Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 0 SVHC: To Be Advised | на замовлення 2309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TR | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TR | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; SOD57; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 30ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2076 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 30ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26C-TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; SOD57; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 30ns | на замовлення 2076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 33076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TR | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C-TR | Vishay Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий лавинний діод вивідний; Uзвор, В = 600; Io, А = 1; Uf (max), В = 2,5; If, A = 1; I, мкА @ Ur, В = 5 @ 60; trr, нс = 30; Тексп, °C = -55...+175; Темп.опір,°C/Вт = 45; SOD-57 | на замовлення 6 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26C.113 | NXP Semiconductors | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26C; (1A 600V); 30ns; сверхбыстрый; лента; корпус: DO-41; YANGJIE | на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||||
BYV26D | EIC | Rectifier Diode Switching 800V 1A 75ns 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26D | EIC | Rectifier Diode Switching 800V 1A 75ns 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26D | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26D Код товару: 37214 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV26D | EIC | Rectifier Diode Switching 800V 1A 75ns 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26D-TAP | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26D-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 8867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26D-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 13407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26D-TAP Код товару: 129573 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV26D-TAP | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26D-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26D-TR | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 42969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26D-TR | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26D-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 17315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26D-TR | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 4905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26D-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 75ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26D-TR | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV26D-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26D-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV26D-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV26 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26D-TR | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 42969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26D-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 14952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26DGP-E3/54 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26DGP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26DGP-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 7469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26DGP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26DGP-E3/73 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 75ns 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26DGP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26DGP-E3/73 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 40006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26DGP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 3620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26DGP-E3/73 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 75ns 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26DGPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26DGPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26E | EIC | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26E | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO41 Packaging: Bag Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E | EIC | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26E | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26E | Vishay | Диод БМ SOD57 U=1000 V I=1 A trr=75 ns | на замовлення 1876 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E (LGE) Код товару: 127965 | LGE/Philips | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: SOD-57 Vrr, V: 1000 V Iav, A: 1 А Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns | у наявності 46 шт: 3 шт - склад24 шт - РАДІОМАГ-Київ 12 шт - РАДІОМАГ-Львів 3 шт - РАДІОМАГ-Харків 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
BYV26E (Vishay) Код товару: 37398 | Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: SOD-57 Vrr, V: 1000 V Iav, A: 1 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns | у наявності 60 шт: 60 шт - склад |
| ||||||||||||||||||
BYV26E,163 | NXP Semiconductors | SOD 57 U F RECTIFIER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26E-E3/73 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 1681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TAP Код товару: 26386 | NXP | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: SOD-57 Vrr, V: 1000 V Iav, A: 1 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 38512 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | Vishay Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 1 000; Io, А = 1; Uf (max), В = 2,5; If, A = 1; I, мкА @ Ur, В = 5 @ 1000; trr, нс = 75; Тексп, °C = -55...+175; SOD-57 | на замовлення 5 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV26E-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV26 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 27064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 75ns | на замовлення 9295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | Vishay Semiconductors | Ultrafast 1.0A 1000V 75ns SOD-57 | на замовлення 2255 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 34031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 20441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 2702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 20441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV26E-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV26 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 8651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 75ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26E-TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26E-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 5003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TR | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV26E-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TR | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TR | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TR | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV26E-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV26 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 8651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TR | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV26E-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 43019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 33310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E-TR | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26E.113 | NXP Semiconductors | PN may be NE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26E/4 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26E; (1A 1000V); 75ns; сверхбыстрый; лента; корпус: SOD57; VISHAY | на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||||
BYV26EGP | vishay | do-41 05/06+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV26EGP | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26EGP диод Код товару: 55917 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV26EGP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 19126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26EGP-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1000 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 17533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26EGP-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-15 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26EGP-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-15 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26EGP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26EGP-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-15 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26EGP-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26EGP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO204AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 2032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26EGP-E3/73 | Vishay | 1A; 1000V; ultra fast <75ns; packaging: ammo; BYV26E diode rectifying DP BYV26E кількість в упаковці: 118 шт | на замовлення 118 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26EGP-E3/73 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26EGP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO204AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26EGP-E3/73 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1000 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 9270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26EGP-E3/73 | Vishay | 1A; 1000V; ultra fast <75ns; packaging: ammo; BYV26E diode rectifying DP BYV26E кількість в упаковці: 382 шт | на замовлення 382 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV26EGP-E3/73 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26EGP/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,1000V,75NS,UF SURPERECT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26EGPHE3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns Automotive 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26EGPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26EGPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26EGPHE3/73 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns Automotive 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV26G | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV26G-(SOD-57) | Ningbo KLS electronic co.,ltd | BYV26G Ultrafast 1.0A 1400V 150ns SOD-57 | на замовлення 1224 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV26G Код товару: 177556 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV27-050-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 2A Max. load current: 15A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.07V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 25000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-050-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-050-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 2A Max. load current: 15A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.07V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 25ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-050-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 50 Volt 50 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-050-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 55V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 55 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 55 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-050-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 50 Volt 50 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-050-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-050-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 55V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 55 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 55 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-050-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-100 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-100 | EIC | Diode Switching 100V 2A 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-100 | на замовлення 47088 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV27-100-E3/54 | Vishay | Diode Switching 100V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-100-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 12524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV27-100-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.07V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV27 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 16745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 2A Max. load current: 15A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.07V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 2354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-100-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 2A Max. load current: 15A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.07V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2354 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 12512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 23740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-100-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | на замовлення 3884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV27-100-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.07V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV27 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 16745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 12524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV27-100-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.07V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV27 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 12352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 25040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 13281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 25040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV27-100-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.07V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV27 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 12352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 4819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV27-100-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-100-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-100-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | на замовлення 19211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-150 | на замовлення 31460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV27-150 | EIC | Diode Switching 150V 2A 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-150 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-150-TAP | Vishay | Diode Switching 150V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 14251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-150-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 165 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 165 V | на замовлення 5608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-150-TAP | Vishay | Diode Switching 150V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-150-TAP | Vishay | Diode Switching 150V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 14251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-150-TAP | Vishay | Diode Switching 150V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 14234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-150-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 150 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 13482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-150-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 165 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 165 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-150-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV27-150-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.07V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 31522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-150-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 25ns Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 150V Max. forward impulse current: 50A Semiconductor structure: single diode Case: SOD57 Mounting: THT Leakage current: 0.15mA Kind of package: Ammo Pack Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Max. load current: 15A Max. forward voltage: 1.07V Load current: 2A Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 11509 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-150-TAP | Vishay | Diode Switching 150V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-150-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 25ns Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 150V Max. forward impulse current: 50A Semiconductor structure: single diode Case: SOD57 Mounting: THT Leakage current: 0.15mA Kind of package: Ammo Pack Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Max. load current: 15A Max. forward voltage: 1.07V Load current: 2A Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 11509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-150-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 150 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 21901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-150-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 165 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 165 V | на замовлення 6638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-150-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 150V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-150-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 165 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 165 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-150-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 150V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-200 Код товару: 23930 | Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: SOD-57 Vrr, V: 200 V Iav, A: 2 A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-200 | EIC | Diode Switching 200V 2A 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-200 | Philips | 2A; 200V; ultra fast <25ns; packaging: ammo; BYV27-200 diode rectifying DP BYV27-200 кількість в упаковці: 2500 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-200 | EIC | Diode Switching 200V 2A 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-200 -TAP | Vishay | 2A; 200V; ultra fast <25ns; packaging: ammo; BYV27-200 diode rectifying DP BYV27-200 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1425 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-E3/73 | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP | Vishay | Диод БМ SOD57 U=200 V I=2 A trr=25 ns | на замовлення 5015 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 24466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV27-200-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.07V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV27 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 45811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 9576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 24466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 18503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.35V Max. load current: 15A Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 2302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.35V Max. load current: 15A Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2302 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 3455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 11442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 18503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP Код товару: 118564 | Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: SOD-57 Vrr, V: 200 V Iav, A: 2 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 25 ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 24466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV27-200-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV27-200-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.07V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV27 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 21353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV27-200-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 9282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 1096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV27-200-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.07V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV27 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 21353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2 Amp 200 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 18053 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 1096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-200.113 | NXP Semiconductors | PN may be NE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-200.133 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-200E3/54 | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-300 | на замовлення 300000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV27-400 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV27-400.113 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 400V 1.9A 50ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-50 Код товару: 123868 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV27-50 | EIC | Diode Switching 50V 2A 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-50 | на замовлення 13305 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV27-50/4 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT BYV27-050 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-600 | Philips | Диод БМ SOD57 U=600 V I=2 A | на замовлення 4445 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-600 | VISHAY | 09+ | на замовлення 54018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV27-600 Код товару: 149331 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV27-600-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 600 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 39057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-600-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 250ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.07V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 250ns | на замовлення 4758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-600-TAP | Vishay Semiconductors | на замовлення 2441 шт: термін постачання 5 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV27-600-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-600-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 250ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.07V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4758 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-600-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 2A 40ns 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-600-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 5016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV27-600-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-600-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 2A 40ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-600-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-600-TR | Vishay | Diode Switching 600V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV27-600-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 600 Volt 50 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-050-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-050-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 3.5A 30ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-050-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 50 Volt 90 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-050-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3.5A; Ammo Pack; Ifsm: 90A; SOD64; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 3.5A Max. load current: 25A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 90A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 30ns | на замовлення 2466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-050-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3.5A; Ammo Pack; Ifsm: 90A; SOD64; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 3.5A Max. load current: 25A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 90A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 30ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2466 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-050-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 3.5A 30ns Automotive 2-Pin SOD-64 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-050-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 3.5A 30ns Automotive 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-050-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-050-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 3.5A 30ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-050-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 50 Volt 90 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-100 | A/N | на замовлення 1267 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV28-100 Код товару: 41552 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV28-100 DIP | A/N | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV28-100-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 3.5A 30ns Automotive 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-100-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV28-100-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 110 V, 3.5 A, Einfach, 1.1 V, 30 ns, 90 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 90A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 110V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV28 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 20465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-100-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 3.5A 30ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-100-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3.5A; Ammo Pack; Ifsm: 90A; SOD64; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3.5A Max. load current: 25A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 90A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 30ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-100-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-100-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 3.5A 30ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-100-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 3.5A 30ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 12525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-100-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 100 Volt 90 Amp IFSM | на замовлення 3054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-100-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 3.5A 30ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 12525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-100-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3.5A; Ammo Pack; Ifsm: 90A; SOD64; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3.5A Max. load current: 25A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 90A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 30ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-100-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV28-100-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 110 V, 3.5 A, Einfach, 1.1 V, 30 ns, 90 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 90A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 110V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV28 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 20465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-100-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 3.5A 30ns Automotive 2-Pin SOD-64 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-100-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 3.5A 30ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-100-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 3.5A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | на замовлення 2588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-100-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 3.5A 30ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV28-100-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 3.5A 30ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-100-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 3.5A 30ns Automotive 2-Pin SOD-64 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV28-100-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-100-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 3.5A 30ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-100-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 3.5A 30ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-100-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 100 Volt 90 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-100DIP | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV28-150 | на замовлення 24984 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV28-150,113 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 150V 3.5A 25ns 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-150-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 150V 3.5A 30ns Automotive 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-150-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 150V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-150-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 3.5A; Ammo Pack; Ifsm: 90A; SOD64; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 150V Load current: 3.5A Max. load current: 25A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 90A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 30ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-150-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 150 Volt 90 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-150-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 150V 3.5A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-150-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 150V 3.5A 30ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-150-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 3.5A; Ammo Pack; Ifsm: 90A; SOD64; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 150V Load current: 3.5A Max. load current: 25A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 90A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 30ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-150-TAP | Vishay | Diode Switching 150V 3.5A Automotive 2-Pin SOD-64 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-150-TR | Vishay | Diode Switching 150V 3.5A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 T/R | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-150-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 150 Volt 90 Amp IFSM | на замовлення 1137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-150-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV28-150-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 3.5 A, Einfach, 1.1 V, 30 ns, 90 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 90A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV28 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-150-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 150V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-150-TR | Vishay | Diode Switching 150V 3.5A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-150-TR | Vishay | Diode Switching 150V 3.5A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-150-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 150V 3.5A 30ns Automotive 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-150-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV28-150-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 3.5 A, Einfach, 1.1 V, 30 ns, 90 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 90A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV28 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-150-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 150V 3.5A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V | на замовлення 7502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-150-TR | Vishay | Diode Switching 150V 3.5A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 T/R | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-150/4 | Vishay | Rectifier Diode Switching 150V 3.5A 30ns Automotive 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-150200 | на замовлення 98500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV28-200 Код товару: 109113 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV28-200 | Vishay Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Ur, В = 200; Io, А = 3,5; If, A = 3,5; Uf (max), В = 1,1; trr, нс = 30; Тексп, °С = -55...+175; SOD-64 | на замовлення 9 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-200 | на замовлення 23630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV28-200 | Philips | Диод БМ SOD57 U=200 V I=3,5 A trr=25 ns | на замовлення 273 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-200 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-200,133 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 200V 3.5A 25ns 2-Pin SOD-64 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-200-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 3.5A 30ns Automotive 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-200-E3/73 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 3.5A 30ns Automotive 2-Pin SOD-64 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-200-RAS15-10 | Vishay Semiconductors | Rectifiers AVALANCHE DIODE SOD64 EPI-e2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-200-RAS15-10 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64 Packaging: Bulk Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-200-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-200-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3.5A; Ammo Pack; Ifsm: 90A; SOD64; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 90A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.1V Max. load current: 25A Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 30ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3024 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-200-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV28-200-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3.5 A, Einfach, 1.1 V, 30 ns, 90 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 90A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV28 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | на замовлення 11455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-200-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3.5A; Ammo Pack; Ifsm: 90A; SOD64; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 90A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.1V Max. load current: 25A Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 30ns | на замовлення 3024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-200-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 3.5A 30ns Automotive 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 9082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-200-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 2212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | на замовлення 11455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-200-TAP | Vishay Semiconductors | DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64 | на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV28-200-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 200 Volt 90 Amp IFSM | на замовлення 40325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-200-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 3.5A 30ns Automotive 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-200-TR | Vishay | Diode Switching 200V 3.5A 2-Pin SOD-64 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-200-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-200-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 200 Volt 90 Amp IFSM | на замовлення 6333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-200-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 11123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-200TAP | Vishay | на замовлення 500000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV28-300 | на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV28-400 | на замовлення 23873 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV28-400/40,112 | NXP Semiconductors | BYV28-400/SOD64/TUBE-BULK/40 SOD64 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-50 | на замовлення 920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV28-50,153 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 50V 3.5A 25ns 2-Pin SOD-64 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-50DIP | A/N | на замовлення 1750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV28-600 | на замовлення 2562 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV28-600-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3.5A; Ammo Pack; Ifsm: 90A; SOD64 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 90A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.25V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 210ns | на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-600-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3.5A; Ammo Pack; Ifsm: 90A; SOD64 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 90A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.25V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 210ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1363 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-600-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 600 Volt 90 Amp IFSM | на замовлення 3791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-600-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3.5A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 210 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-600-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-600-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-600-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 210 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-600-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3.5A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 12184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-600-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 3.5A 50ns 2-Pin SOD-64 T/R | на замовлення 10512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-600-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 3.5A 50ns 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-600-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 3.5A 50ns 2-Pin SOD-64 T/R | на замовлення 10512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-600-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV28-600-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3.5 A, Einfach, 1.35 V, 210 ns, 90 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 90A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 210ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV28 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-600-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-600-TR | VISHAY | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV28-600-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 600 Volt 90 Amp IFSM | на замовлення 14570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28-600-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 3.5A 50ns 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28-600-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV28-600-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3.5 A, Einfach, 1.35 V, 210 ns, 90 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 90A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 210ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV28 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28/100 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV28/200-TAP | Vishay | 3,5A; 200V; ultra fast <75ns packaging: ammo; BYV28/200 diode rectifying DP BYV28-200 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV28100 | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV28200 | VISHAY | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV28600 | PHI | на замовлення 8900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV29-300-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode Switching 300V 8A 50ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-300-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-300-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | на замовлення 796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-300HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-400 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A,400V,35NS,SINGLE UF RECT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-400 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 400V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-400 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29-400 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 9 A, Einfach, 1.25 V, 60 ns, 100 A Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 100 Durchlassspannung Vf max.: 1.25 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 60 Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25 Sperrverzögerungszeit: 60 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 9 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV29 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 400 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-400 | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV29-400/TO-220AC/STANDARD MA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-400,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 400V 9A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-400,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 400V 9A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV29-400,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 9A; tube; Ifsm: 110A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 110A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 0.9V Heatsink thickness: 1.15...1.4mm Reverse recovery time: 60ns | на замовлення 577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-400,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 9A; tube; Ifsm: 110A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 110A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 0.9V Heatsink thickness: 1.15...1.4mm Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 577 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-400,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 400V 9A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV29-400,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RECT UFAST 400VAC | на замовлення 6870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-400,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 400V 9A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-400,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29-400,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 9 A, Einfach, 1.25 V, 60 ns, 110 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 110A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV29 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 5922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-400,127 | Nexperia | Rectifier Diode Switching 400V 9A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-400,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 400V 9A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V | на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-400-E3/45 | Vishay | Diode Switching 400V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-400-E3/45 | Vishay | Diode Switching 400V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-400-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-400-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-400-E3C/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-400HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-500 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29-500 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 500 V, 9 A, Einfach, 1.25 V, 60 ns, 100 A Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassspannung Vf max.: 1.25 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 60 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 9 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV29 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 500 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-500 Код товару: 29783 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: TO-220 Vrr, V: 500 V Iav, A: 9 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 50 ns | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV29-500 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-EPI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-500,127 Код товару: 198476 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV29-500,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 9A; tube; Ifsm: 110A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 500V Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 110A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 0.9V Heatsink thickness: max. 1.3mm Reverse recovery time: 60ns | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-500,127 | NXP/Nexperia/We-En | Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 500; Io, А = 9; Uf (max), В = 1,25; If, A = 8; I, мкА @ Ur, В = 50 @ 500; trr, нс = 60; Тексп, °C = -40...+150; TO-220AC | на замовлення 801 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-500,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 500V 9A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-500,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 500V 9A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 500 V | на замовлення 4879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-500,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-EPI | на замовлення 5012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-500,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 500V 9A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-500,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 9A; tube; Ifsm: 110A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 500V Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 110A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 0.9V Heatsink thickness: max. 1.3mm Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 185 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-500,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 500V 9A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-500,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29-500,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 500 V, 9 A, Einfach, 1.25 V, 60 ns, 110 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 110A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 500V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV29 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 5768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-500.127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 9A; tube; Ifsm: 110A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 500V Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 110A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 0.9V Heatsink thickness: max. 1.3mm Reverse recovery time: 60ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-600 | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV29-600/TO-220AC/STANDARD MA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-600 | на замовлення 640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV29-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 9A; tube; Ifsm: 77A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 77A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 1.45V Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 221 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 9A; tube; Ifsm: 77A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 77A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 1.45V Reverse recovery time: 60ns | на замовлення 221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-600,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 600V 9A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-600,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE 600 TO-220AC SOD59 Packaging: Bulk | на замовлення 1929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 9A | на замовлення 2763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-600P | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Ultrafast power diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV29-600PQ/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29300 | VISHAY | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV29B-300-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-300-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-300-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-300HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 300 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-300HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-300HE3/81 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 300 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-300HE3/81 | Vishay | Diode Switching 300V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-300HE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-300HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-300HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300V 110A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-300HE3_A/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300V 110A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-300HE3_A/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-400-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-400-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 8A 50ns 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-400-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-400-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-400HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-400HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-400HE3/81 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-400HE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-400HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400V 110A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-400HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-400HE3_A/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400V 110A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-400HE3_A/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-500 | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV29B-500 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 500V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 500V 9A 60ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29B-500,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29B-500,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 500 V, 9 A, Einfach, 1.4 V, 60 ns, 110 A Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassspannung Vf max.: 1.4 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 60 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 9 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 110 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 500 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV29B-500,118 | Ween | Rectifier Diode Switching 500V 9A 60ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 500V 9A 60ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 500V 9A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 500 V | на замовлення 4736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 500V 9A 60ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29B-500,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29B-500,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 500 V, 9 A, Einfach, 1.4 V, 60 ns, 110 A Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassspannung Vf max.: 1.4 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 60 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 9 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 110 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 500 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 500V 9A 60ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers TAPE13 PWRDIODE | на замовлення 3833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 500V; 9A; 60ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.45V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 500V Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 77A Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 1.45V Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 500V 9A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 500 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29B-500,118 | Nexperia | Rectifier Diode Switching 500V 9A 60ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 500V; 9A; 60ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.45V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 500V Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 77A Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 1.45V Reverse recovery time: 60ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-600,118 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 9A 60ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-600,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 9A 60ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-600,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers EPI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-600,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 9A; 60ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.45V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 77A Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 1.45V Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-600,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 9A; 60ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.45V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 77A Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 1.45V Reverse recovery time: 60ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-600,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 9A 60ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-600,118 | Ween | Rectifier Diode Switching 600V 9A 60ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-600PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 9A; 75ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 120A Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 18A Reverse recovery time: 75ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-600PJ | Ween | BYV29B-600PJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-600PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-600PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV29B-600PJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29B-600PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 9A; 75ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 120A Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 18A Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29D-600PJ | Ween | BYV29D-600PJ/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29D-600PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29D-600PJ | Nexperia | BYV29D-600PJ/TO252/REEL 13\ Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29D-600PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV29D-600PJ/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | на замовлення 6515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29D-600PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 9A; DPAK; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 120A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 120A Case: DPAK Max. forward voltage: 0.9V кількість в упаковці: 7500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29D-600PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 9A; DPAK; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 120A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 120A Case: DPAK Max. forward voltage: 0.9V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29D-600PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 21779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29D-600PJ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Ultra Fast Power Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-300 | EIC | Diode Switching 300V 8A 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-300-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-300-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-300HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 300 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-300HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 8A ITO220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-300HE3_A/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300V 110A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-300HE3_A/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-400 | на замовлення 961 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV29F-400 | EIC | Diode Switching 400V 8A 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-400-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-400-E3/45 | Vishay | Diode Switching 400V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-400-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-400HE3/45 | Vishay | Diode Switching 400V 8A Automotive 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-400HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-400HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-400HE3_A/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400V 110A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-400HE3_A/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-500 | PHI | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV29F-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 9A; tube; Ifsm: 100A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 35ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 9A; tube; Ifsm: 100A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 35ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-600,127 | NXP Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 51992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29F-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers PWR 600 V 9 A Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-600,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 600V 9A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29F-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29F500 | PHI | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV29FB-600 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FB-600,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers PWR 600 V 9 A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FB-600,118 | Ween | Rectifier Diode Switching 600V 9A 35ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FB-600,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 9A; 35ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.25V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 100A Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 1.25V Reverse recovery time: 35ns кількість в упаковці: 5600 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FB-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FB-600,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 9A; 35ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.25V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 100A Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 1.25V Reverse recovery time: 35ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FD-600 | WeEn Semiconductors Co., Ltd | DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK | на замовлення 7494 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV29FD-600 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FD-600 | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV29FD-600/DPAK/REEL 13" Q1/T | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FD-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 9173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29FD-600,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29FD-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 9 A, Einfach, 1.9 V, 35 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.9V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 5170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29FD-600,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 9A 35ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FD-600,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers ENHANCED ULTRAFAST POWER DIODE | на замовлення 7308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29FD-600,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 9A; DPAK; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 91A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 91A Case: DPAK Max. forward voltage: 1.25V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FD-600,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29FD-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 9 A, Einfach, 1.9 V, 35 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.9V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 5170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29FD-600,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 9A; DPAK; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 91A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 91A Case: DPAK Max. forward voltage: 1.25V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FD-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 9173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29FX-600 | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV29FX-600/TO-220F/STANDARD M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FX-600 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FX-600,127 | Ween | Diode Switching 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FX-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 9A; tube; Ifsm: 100A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: SOD113; TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.25V Reverse recovery time: 35ns | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29FX-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 9A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29FX-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 9A; tube; Ifsm: 100A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: SOD113; TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.25V Reverse recovery time: 35ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29FX-600,127 | Nexperia | Rectifier Diode Switching 600V 9A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FX-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 7406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29FX-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 9A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FX-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers DIODE RECT UFAST 600V | на замовлення 5289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29FX-600,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 9A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29FX-600,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29FX-600,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 9 A, Einfach, 1.9 V, 35 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.9V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV29 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29G-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29G-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers 600V 9A Diode Fast Recovery Rect | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29G-600,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 600V 9A 60ns 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29G-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 9A; tube; Ifsm: 77A; I2PAK; Ufmax: 1.45V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 77A Case: I2PAK Max. forward voltage: 1.45V Reverse recovery time: 60ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29G-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 9A; tube; Ifsm: 77A; I2PAK; Ufmax: 1.45V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 77A Case: I2PAK Max. forward voltage: 1.45V Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29G-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29G-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV29G-600PQ/TO262-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29MFX-600PQ | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes BYV29MFX-600P/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29X | PHI | 06+ | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV29X-500,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers EPI | на замовлення 3191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29X-500,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 9A; tube; Ifsm: 100A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 500V Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: SOD113; TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.11V Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29X-500,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 500V 9A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29X-500,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 500V 9A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29X-500,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 9A; tube; Ifsm: 100A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 500V Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: SOD113; TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.11V Reverse recovery time: 60ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29X-500,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29X-500,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 500 V, 9 A, Einfach, 1.4 V, 60 ns, 110 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FP Durchlassstoßstrom: 110A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.4V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 500V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV29X productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 6023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29X-500,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 500V 9A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29X-600 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29X-600 | WeEn Semiconductors | Rectifiers EPI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29X-600 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV29X-600,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29X-600,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 9 A, Einfach, 1.26 V, 59 ns, 91 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 91A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.26V Sperrverzögerungszeit: 59ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 2858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29X-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 9A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29X-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers EPI | на замовлення 6000 шт: термін постачання 94-103 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29X-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 9A; tube; Ifsm: 100A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: SOD113; TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.11V Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 694 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29X-600,127 | Nexperia | Rectifier Diode Switching 600V 9A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29X-600,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 600V 9A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV29X-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 6702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29X-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 9A; tube; Ifsm: 100A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: SOD113; TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.11V Reverse recovery time: 60ns | на замовлення 694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29X-600AQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active | на замовлення 11994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29X-600AQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV29X-600A/TO-220F/STANDARD M | на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29X-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 9A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 5622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV29X-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV29X-600PQ/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30-500 | PHILIPS | 05+ DIP | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV30-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV30-600PQ/TO-220AC/STANDARD M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30-600PQ | Ween | plastic single-ended package heatsink mounted 1 mounting hole 2-lead TO-220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 290A; SOD59,TO220AC Mounting: THT Case: SOD59; TO220AC Kind of package: tube Max. forward impulse current: 290A Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 0.98V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 290A; SOD59,TO220AC Mounting: THT Case: SOD59; TO220AC Kind of package: tube Max. forward impulse current: 290A Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 0.98V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30100 | PHILIPS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV30150 | PHILIPS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV30200 | PHILIPS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV30300 | PHILIPS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV30400 | PHILIPS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV30500 | PHILIPS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV30B-600P | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV30B-600PJ/TO263 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30B-600PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 30A; 75ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.35V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 30A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 1.35V Max. forward impulse current: 330A Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30B-600PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV30B-600PJ/TO263 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30B-600PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30B-600PJ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30B-600PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 30A; 75ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 1.35V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 30A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 1.35V Max. forward impulse current: 330A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30B-600PJ | Ween | BYV30B-600PJ/TO263 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30JT-600PMQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV30JT-600PM/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30JT-600PMQ | WeEn Semiconductors | Description: BYV30JT-600PM/TO3PF/STANDARD MAR Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-3PF Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30JT-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 170A; SOT1293,TO3PF Mounting: THT Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SOT1293; TO3PF Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 0.96V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 170A Kind of package: tube Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 2400 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30JT-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV30JT-600PQ/TO3PF/STANDARD M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30JT-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-3P Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV30JT-600PQ | Ween | Ultrafast recovery diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30JT-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 170A; SOT1293,TO3PF Mounting: THT Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SOT1293; TO3PF Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 0.96V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 170A Kind of package: tube Type of diode: rectifying | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30MB-650PJ | WeEn Semiconductors | BYV30MB-650P/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30W-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30W-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 290A; TO247-2 Mounting: THT Case: TO247-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 290A Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 0.98V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30W-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV30W-600PQ/SOD142/STANDARD M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30W-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 290A; TO247-2 Mounting: THT Case: TO247-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 290A Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 0.98V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30W-600PT2Q | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes BYV30W-600PT2/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV30W-600PT2Q | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 290A; TO247-2 Mounting: THT Case: TO247-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 290A Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 0.98V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1200 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30W-600PT2Q | WeEn Semiconductors | Description: BYV30W-600PT2/TO247-2L/STANDARD Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30W-600PT2Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV30W-600PT2Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 30 A, Einfach, 1.55 V, 65 ns, 330 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 330A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.55V Sperrverzögerungszeit: 65ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV30W-600PT2Q | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 290A; TO247-2 Mounting: THT Case: TO247-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 290A Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 0.98V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30W-600PT2Q | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 30A 75ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30X-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 330A; Ufmax: 1.55V Mounting: THT Max. forward impulse current: 330A Max. forward voltage: 1.55V Max. off-state voltage: 600V Load current: 30A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: SOD113; TO220FP-2 Type of diode: rectifying Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30X-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30X-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 330A; Ufmax: 1.55V Mounting: THT Max. forward impulse current: 330A Max. forward voltage: 1.55V Max. off-state voltage: 600V Load current: 30A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: SOD113; TO220FP-2 Type of diode: rectifying Reverse recovery time: 75ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV30X-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV30X-600PQ/TO-220F/STANDARD M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32 | onsemi | onsemi REC T0220 16A 200V ULTFST | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-100 | PHILIPS | 1993 | на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV32-100-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 18A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-100-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 100V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32-100-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 18 Amp 100 Volt | на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32-100HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 100V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-150 | VISHAY | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV32-150-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 150V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-150-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 18 Amp 150 Volt | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32-150-E3/45 | Vishay | Diode Switching 150V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-150/45 | VISHAY | 2005 | на замовлення 2982 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV32-150801HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 150V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-150HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 150V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200 | onsemi | Rectifiers 200V 16A UltraFast | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200 | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200 | PHILIPS | 1996 | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV32-200 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 18A,200V,25NS,DUAL UF RECT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200 | onsemi | Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200 Код товару: 79982 | Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: TO-220 Uзвор., V: 200 V Iвипр., A: 18 A Опис: Dual Ultrafast Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200-45 | VISHAY | 05+06+ | на замовлення 200100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV32-200-E3/45 | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 18A; tube; Ifsm: 150A; TO220AB; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 18A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 150A Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32-200-E3/45 | Vishay | Diode Switching 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200-E3/45 | Vishay Semiconductors | BYV32-200 TO-220 | на замовлення 620 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV32-200-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 18 Amp 200 Volt | на замовлення 1828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32-200-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 200V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 1259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32-200-E3/45 Код товару: 129040 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV32-200-E3/45 | Vishay | Diode Switching 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200-E3/45 | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 18A; tube; Ifsm: 150A; TO220AB; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 18A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 150A Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1967 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32-200-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 18A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200; (2x18A 200V 25ns); корпус: TO220-3pin; O.K.; ультрабыстрый; VISHAY | на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||||
BYV32-200AM | Semelab | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200AM | Semelab (TT electronics) | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200AM | Semelab / TT Electronics | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200G | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32-200G | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BYV32-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 35 ns tariffCode: 85411000 productTraceability: No Sperrverzögerungszeit: 35ns rohsCompliant: Y-EX Durchlassstoßstrom: 100A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 1.15V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: BYV32 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32-200G | ONSEMI | Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; Ifsm: 100A; TO220; Ufmax: 1.15V Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 16A Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 100A Case: TO220 Max. forward voltage: 1.15V Leakage current: 0.6mA Reverse recovery time: 35ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32-200G | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32-200G | onsemi | Rectifiers 200V 16A UltraFast | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32-200G | ONSEMI | Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; Ifsm: 100A; TO220; Ufmax: 1.15V Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 16A Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 100A Case: TO220 Max. forward voltage: 1.15V Leakage current: 0.6mA Reverse recovery time: 35ns | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32-200G | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200G | onsemi | Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V | на замовлення 1774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32-200HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 200V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200HE3/45 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 18A 25ns Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200M | Semelab (TT electronics) | Rectifier Diode Switching 200V 20A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-257AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200M | Semelab / TT Electronics | Rectifiers | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32-200M | Semelab | Rectifier Diode Switching 200V 20A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-257AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200M-QR-B | Semelab (TT electronics) | HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI-REL APPLICATIONS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200M-QR-B | Welwyn Components / TT Electronics | Rectifiers DIODE - POWER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200M.05 | Semelab | HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI-REL APPLICATIONS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200M.R | TT Electronics | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200RM | Semelab | Rectifier Diode Switching 200V 20A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-257AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200SMD-O-B | Semelab | BYV32-200SMD-O-B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200SMD-O-B | Semelab (TT electronics) | DUAL FAST RECOVERYRECTIFIER DIODE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-200SMD-O-B | TT Electronics - IoT Solutions | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-50 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 18A,50V,25NS,DUAL UF RECT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-50-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 18A 25ns Dual Common Cathode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-50-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 50V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-50-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 18A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32-50HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 50V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV329-1200 | на замовлення 998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV32E | на замовлення 3953 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV32E-100 | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV32E-100/SIL3P/STANDARD MARK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-100,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 25ns Max. forward impulse current: 137A Max. load current: 20A Max. off-state voltage: 100V Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Mounting: THT Load current: 10A x2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 391 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-100,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 25ns Max. forward impulse current: 137A Max. load current: 20A Max. off-state voltage: 100V Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Mounting: THT Load current: 10A x2 | на замовлення 391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-100,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-DD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-100,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 100V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-100,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 100V 20A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-100,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE ARRAY 100V 20A TO220AB Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 12718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-100,127 Код товару: 117745 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV32E-150 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 150V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-150,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 150V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV32E-150,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 150V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-150,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 150V 20A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 150 V | на замовлення 2154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-150,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 25ns Max. forward impulse current: 137A Max. load current: 20A Max. off-state voltage: 150V Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Mounting: THT Load current: 10A x2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 916 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-150,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 25ns Max. forward impulse current: 137A Max. load current: 20A Max. off-state voltage: 150V Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Mounting: THT Load current: 10A x2 | на замовлення 916 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-150,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-EPI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-150,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 150V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV32E-200 | NXP | TO220 10+ | на замовлення 62000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV32E-200 | WeEn Semiconductors | BYV32E-200/SIL3P/STANDARD MARK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-200 | PHILIPS | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV32E-200 Код товару: 22237 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV32E-200 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-200 | PHILIPS | на замовлення 170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 200V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers FAST DUAL 20A 200V | на замовлення 8443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 137A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.72V Max. load current: 20A Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 200 V | на замовлення 10061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-200,127 Код товару: 149914 | WeEn | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: TO-220AB Vrr, V: 200 V Iav, A: 20 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 20 ns THT | у наявності 93 шт: 88 шт - склад5 шт - РАДІОМАГ-Харків |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 200V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 200V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 137A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.72V Max. load current: 20A Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-200,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 200V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 200V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 200V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-200,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32E-200,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 ns, 137 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 137A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: 0 Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: - euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYV32E productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 0 SVHC: To Be Advised | на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-200PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10Ax2; tube; Ifsm: 125A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 125A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Max. load current: 20A Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Reverse recovery time: 18ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-200PQ | Ween | Rectifier Diode Switching 200V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-200PQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 200V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-200PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers Dual Ultrafast Power Diode | на замовлення 5796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32E-200PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10Ax2; tube; Ifsm: 125A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 125A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Max. load current: 20A Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Reverse recovery time: 18ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-200PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 8 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 8 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-300PQ | WeEn Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching BYV32E-300P/TO220/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-300PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10Ax2; tube; Ifsm: 220A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 300V Load current: 10A x2 Max. load current: 20A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 220A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 1.25V Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-300PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A TO220E Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220E Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-300PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10Ax2; tube; Ifsm: 220A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 300V Load current: 10A x2 Max. load current: 20A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 220A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 1.25V Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Reverse recovery time: 25ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E-300PQ | Ween | BYV32E-300P/TO220/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32E200 | NXP | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV32EB-200 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYV32EB-200 Код товару: 121939 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV32EB-200 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-200 | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV32EB-200/D2PAK/REEL 13" Q1/ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-200,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 10Ax2; 25ns; D2PAK,SOT404; Ifsm: 137A Mounting: SMD Max. load current: 20A Max. forward voltage: 0.72V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 25ns Max. forward impulse current: 137A Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: D2PAK; SOT404 Max. off-state voltage: 200V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1544 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32EB-200,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32EB-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 ns tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 137A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Produktpalette: BYV32 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 5304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32EB-200,118 | Nexperia | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-200,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 10Ax2; 25ns; D2PAK,SOT404; Ifsm: 137A Mounting: SMD Max. load current: 20A Max. forward voltage: 0.72V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 25ns Max. forward impulse current: 137A Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: D2PAK; SOT404 Max. off-state voltage: 200V | на замовлення 1544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32EB-200,118 | Ween | Rectifier Diode Switching 200V 20A 25ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-200,118 Код товару: 181586 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV32EB-200,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-200,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers TAPE-7 REC-EPI | на замовлення 5731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32EB-200,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32EB-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 ns tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 137A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Produktpalette: BYV32 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 5300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32EB-200,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 200 V | на замовлення 12652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32EB-200,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32EB-200,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 200 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32EB-200,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32EB-200P | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV32EB-200PJ/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-200PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-200PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV32EB-200PJ/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-200PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 10Ax2; D2PAK,SOT404; Ufmax: 0.85V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Max. load current: 20A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 0.85V Max. forward impulse current: 125A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 800 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-200PJ | Nexperia | BYV32EB-200PJ/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-200PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 10Ax2; D2PAK,SOT404; Ufmax: 0.85V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Max. load current: 20A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 0.85V Max. forward impulse current: 125A Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-200PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-300PJ | WeEn Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching BYV32EB-300P/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-300PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 300V; 10Ax2; 25ns; D2PAK,SOT404; Ifsm: 220A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 300V Load current: 10A x2 Max. load current: 20A Reverse recovery time: 25ns Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 220A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 800 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-300PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 300V 20A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-300PJ | Nexperia | Rectifier Diode Switching 300V 20A 35ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-300PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 300V; 10Ax2; 25ns; D2PAK,SOT404; Ifsm: 220A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 300V Load current: 10A x2 Max. load current: 20A Reverse recovery time: 25ns Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 220A Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-300PJ | Ween | Rectifier Diode Switching 300V 20A 35ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EB-300PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 300V 20A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EX-200,127 | NXP Semiconductors | Diode Switching 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EX-300PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10Ax2; tube; Ifsm: 220A; Ufmax: 1.25V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 300V Load current: 10A x2 Max. load current: 20A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 220A Case: SOD113; TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.25V Reverse recovery time: 25ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EX-300PQ | Ween | BYV32EX-300P/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EX-300PQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Dual Ultrafast Power Diode | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32EX-300PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V | на замовлення 37621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32EX-300PQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Dual Ultrafast Power Diode | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV32EX-300PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers Ultrafast Power Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EX-300PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10Ax2; tube; Ifsm: 220A; Ufmax: 1.25V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 300V Load current: 10A x2 Max. load current: 20A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 220A Case: SOD113; TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.25V Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32EX-300PQ | Nexperia | BYV32EX-300P/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32F-200 | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV32F-200,127 | NXP Semiconductors | Diode Switching 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32G-200,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; I2PAK; 25ns Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 25ns Max. forward impulse current: 137A Max. load current: 20A Max. off-state voltage: 200V Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: I2PAK Max. forward voltage: 0.85V Mounting: THT Load current: 10A x2 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32G-200,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32G-200,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 200V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32G-200,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers DUAL ULTRAFAST PWR DIODE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV32G-200,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; I2PAK; 25ns Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 25ns Max. forward impulse current: 137A Max. load current: 20A Max. off-state voltage: 200V Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: I2PAK Max. forward voltage: 0.85V Mounting: THT Load current: 10A x2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV34-400 | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV34-400/SIL3P/STANDARD MARKI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV34-400 Код товару: 33845 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYV34-400 | PHILIPS | TO-220 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV34-400 | PHI | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYV34-400,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 10Ax2; tube; Ifsm: 120A; SOT78,TO220AB Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 20A Max. forward voltage: 0.87V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 120A Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Case: SOT78; TO220AB | на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV34-400,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 400V 20A 60ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV34-400,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RECT DL UF 400V | на замовлення 4289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV34-400,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 400V 20A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V | на замовлення 2599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV34-400,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV34-400,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.35 V, 60 ns, 132 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 132A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: - euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYV34 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 4666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV34-400,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 400V 20A 60ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV34-400,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 10Ax2; tube; Ifsm: 120A; SOT78,TO220AB Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 20A Max. forward voltage: 0.87V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 120A Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Case: SOT78; TO220AB кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV34-400,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 400V 20A 60ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYV34-400,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 400V 20A 60ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYV34-400; (10A 400V 60ns); корпус: TO220-3pin; O.K.; ультрабыстрый; WEEN | на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||||
BYV34-400M | Semelab / TT Electronics | Rectifiers TRANS DIODE - POWER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV34-400M | Semelab (TT electronics) | Diode Switching 400V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV34-400RM | Semelab (TT electronics) | Rectifier Diode Switching 400V 20A 50ns 3-Pin(3+Tab) TO-257AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV34-400RM | Semelab | Rectifier Diode Switching 400V 20A 50ns 3-Pin(3+Tab) TO-257AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV34-400RM | Welwyn Components / TT Electronics | Rectifiers DIODE - POWER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV34-400TM | Welwyn Components / TT Electronics | Rectifiers DIODE - POWER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYV34-400TM | Semelab (TT electronics) | HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI-REL APPLICATIONS | товар відсутній |