![BYV32E-100,127 BYV32E-100,127](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4847/568_568-TO-220AB-3,SOT78.jpg)
BYV32E-100,127 NXP USA Inc.
на замовлення 12718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
556+ | 37.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV32E-100,127 NXP USA Inc.
Description: DIODE ARRAY GP 100V 20A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A, Supplier Device Package: TO-220AB, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V.
Інші пропозиції BYV32E-100,127 за ціною від 30.24 грн до 66.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYV32E-100,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 25ns Max. forward impulse current: 137A Max. load current: 20A Max. off-state voltage: 100V Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Mounting: THT Load current: 10A x2 |
на замовлення 391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYV32E-100,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 25ns Max. forward impulse current: 137A Max. load current: 20A Max. off-state voltage: 100V Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Mounting: THT Load current: 10A x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 391 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
BYV32E |
на замовлення 3953 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
BYV32E-100,127 Код товару: 117745 |
![]() ![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||
![]() |
BYV32E-100,127 | Виробник : Ween |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
BYV32E-100,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
BYV32E-100,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |