![BYV32E-150,127 BYV32E-150,127](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
BYV32E-150,127 WeEn Semiconductors
![byv32e-150.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward impulse current: 137A
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 0.85V
Mounting: THT
Load current: 10A x2
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 56 грн |
9+ | 43.83 грн |
25+ | 38.63 грн |
28+ | 31.65 грн |
76+ | 29.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV32E-150,127 WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY GP 150V 20A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A, Supplier Device Package: TO-220AB, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 150 V.
Інші пропозиції BYV32E-150,127 за ціною від 34.16 грн до 91.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYV32E-150,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 25ns Max. forward impulse current: 137A Max. load current: 20A Max. off-state voltage: 150V Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Mounting: THT Load current: 10A x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 916 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BYV32E-150,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 150 V |
на замовлення 2154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BYV32E-150,127 | Виробник : Ween |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
BYV32E-150,127 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
BYV32E-150,127 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BYV32E-150,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |