![BYV32-200-E3/45 BYV32-200-E3/45](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
BYV32-200-E3/45 VISHAY
![byv32.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 18A; tube; Ifsm: 150A; TO220AB; 25ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 18A
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 150A
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.85V
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Reverse recovery time: 25ns
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 68.97 грн |
16+ | 55.9 грн |
42+ | 52.99 грн |
500+ | 50.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV32-200-E3/45 VISHAY
Description: DIODE ARRAY GP 200V 18A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A, Supplier Device Package: TO-220-3, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції BYV32-200-E3/45 за ціною від 46.22 грн до 125.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYV32-200-E3/45 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 18A; tube; Ifsm: 150A; TO220AB; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 18A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 150A Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYV32-200-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 1259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYV32-200-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
BYV32-200-E3/45 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 620 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
BYV32-200-E3/45 Код товару: 129040 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
![]() |
BYV32-200-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
BYV32-200-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
BYV32-200-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |