![BYV27-600-TAP BYV27-600-TAP](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2588/SOD-57, Axial.jpg)
BYV27-600-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![byv27600.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 20.08 грн |
10000+ | 17.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV27-600-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 250ns, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 0.6kV, Load current: 2A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching, Kind of package: Ammo Pack, Max. forward impulse current: 50A, Case: SOD57, Max. forward voltage: 1.07V, Leakage current: 0.15mA, Reverse recovery time: 250ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BYV27-600-TAP за ціною від 17.87 грн до 69.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYV27-600-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 5016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYV27-600-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 250ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.07V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 250ns |
на замовлення 4758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BYV27-600-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 39057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYV27-600-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 250ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.07V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4758 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BYV27-600-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2441 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
BYV27-600-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BYV27-600-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |