Продукція > BYG
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BYG10D | Diotec Semiconductor | BYG10D | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10D | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Case: SMA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Max. off-state voltage: 200V Max. load current: 5A Max. forward voltage: 1.15V Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 7475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, SMA, 200V, 1.5A | на замовлення 14890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D | Diotec Semiconductor | Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10D | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Case: SMA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Max. off-state voltage: 200V Max. load current: 5A Max. forward voltage: 1.15V Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA | на замовлення 7475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D | Diotec Semiconductor | Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: SMA/DO-214AC Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10D-CT | Diotec Semiconductor | Description: CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 5624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG10D-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Durchbruch, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: BYG10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Mounting: SMD Case: DO214AC; SMA Max. forward impulse current: 30A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.15V Max. off-state voltage: 200V Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 5624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 12257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Mounting: SMD Case: DO214AC; SMA Max. forward impulse current: 30A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.15V Max. off-state voltage: 200V Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 460 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 200 Volt | на замовлення 16131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG10D-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Durchbruch, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: BYG10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 200 Volt | на замовлення 6894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10D-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 7428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10D-M3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,200V VGSC-STD Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10D-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10D-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10D-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,200V VGSC-STD Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10DHE3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10DHE3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10DHE3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10DHE3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,200V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,200V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10DHM3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10DHM3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10DHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10DHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,200V SMA AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10DHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,200V SMA AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10DHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10G | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.5A,400V,STD,AVALANCH,SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Mounting: SMD Case: DO214AC; SMA Max. forward impulse current: 30A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.15V Max. off-state voltage: 0.4kV Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | на замовлення 8759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG10G-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: BYG10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 400 Volt | на замовлення 4909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Mounting: SMD Case: DO214AC; SMA Max. forward impulse current: 30A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.15V Max. off-state voltage: 0.4kV Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 195 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG10G-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: BYG10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10G-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 400 Volt | на замовлення 6267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10G-M3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,400V VGSC-STD Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10G-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10G-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,400V VGSC-STD Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10G-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10G-M3/TR3 | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10G/TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT BYG10G-E3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHE3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHE3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHE3/TR3 | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHE3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHE3_A/H | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10GHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,400V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHE3_A/H | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHE3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10GHE3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,400V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHM3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHM3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,400V SMA AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHM3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,400V SMA AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10GHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Max. load current: 5A Reverse recovery time: 1.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J | Diotec Semiconductor | Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: SMA/DO-214AC Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, SMA, 600V, 1.5A | на замовлення 7490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Max. load current: 5A Reverse recovery time: 1.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J-AQ | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 1.5A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J-AQ | Diotec Semiconductor | BYG10J-AQ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J-AQ | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, SMA, 600V, 1.5A, AEC-Q101 | на замовлення 7450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward impulse current: 27A Semiconductor structure: single diode Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Application: automotive industry Reverse recovery time: 1.5µs Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.15V Max. load current: 5A кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 7060 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-AQ | Diotec Semiconductor | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 7480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward impulse current: 27A Semiconductor structure: single diode Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Application: automotive industry Reverse recovery time: 1.5µs Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.15V Max. load current: 5A | на замовлення 7060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-AQ | Diotec Semiconductor | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J-AQ-CT | Diotec Semiconductor | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC | на замовлення 832500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-CT | Diotec Semiconductor | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG10J-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYG10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 5113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Mounting: SMD Case: DO214AC; SMA Max. forward impulse current: 30A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.15V Max. off-state voltage: 0.6kV Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated | на замовлення 1194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG10J-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYG10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 5113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt | на замовлення 6112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Mounting: SMD Case: DO214AC; SMA Max. forward impulse current: 30A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.15V Max. off-state voltage: 0.6kV Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1194 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR(диод) Код товару: 71895 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J-M3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,600V VGSC-STD Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,600V VGSC-STD Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10J-TR | VISHAY | на замовлення 32294 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYG10J/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHE3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHE3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHE3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHE3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHE3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,600V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHE3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,600V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHM3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHM3/TR3 | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHM3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,600V SMA AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,600V SMA AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10JHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10K | VISHAY | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYG10K-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10K-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 800 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10K-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10K-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10K-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 800 Volt | на замовлення 4740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10K-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10K-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 800V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10K-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | на замовлення 11960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10K-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 800V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10K-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10K-M3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,800V VGSC-STD Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10K-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10K-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,800V VGSC-STD Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10K-TR | VISHAY | DO214 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG10K-TR DO214 | VISHAY | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYG10K-TRDO214 | VISHAY | на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYG10KHE3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10KHE3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10KHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10KHE3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10KHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10KHE3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10KHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,800V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10KHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10KHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,800V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10KHM3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10KHM3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10KHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,800V SMA AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10KHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10KHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10KHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,800V SMA AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10M | DIOTEC | 1,5A; 1000V; SMD; packaging: tape&reel; BYG10M DIOTEC DP BYG10M DIOTEC кількість в упаковці: 7500 шт | на замовлення 7500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10M | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 27A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Case: SMA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Max. off-state voltage: 1kV Max. load current: 5A Max. forward voltage: 1.15V Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA | на замовлення 10148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, SMA, 1000V, 1.5A | на замовлення 12803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 27A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Case: SMA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Max. off-state voltage: 1kV Max. load current: 5A Max. forward voltage: 1.15V Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 10148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10M | Diotec Semiconductor | Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: SMA/DO-214AC Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10M-AQ | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1KV 1.5A Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10M-CT | Diotec Semiconductor | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Strip Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V | на замовлення 2520000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 86400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR | Vishay | 1,5A; 1000V; SMD; packaging: tape&reel; BYG10M-E3/TR VISHAY DP BYG10M-E3/TR VISHAY кількість в упаковці: 1800 шт | на замовлення 1800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 4377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 8450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG10M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: BYG10 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 39686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Mounting: SMD Case: DO214AC; SMA Leakage current: 10µA Max. forward impulse current: 30A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.15V Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Mounting: SMD Case: DO214AC; SMA Leakage current: 10µA Max. forward impulse current: 30A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.15V Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated | на замовлення 985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 63600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 88693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 4377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt | на замовлення 26021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG10M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: BYG10 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 39686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR3 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.15V Leakage current: 10µA Reverse recovery time: 4µs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt | на замовлення 10157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR3 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.15V Leakage current: 10µA Reverse recovery time: 4µs кількість в упаковці: 7500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10M-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 11983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10M-M3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,1000V VGSC-STD Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10M-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10M-M3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10M-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10M-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,1000V VGSC-STD Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10M-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHE3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHE3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHE3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHE3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHE3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,1000V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHE3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,1000V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHM3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHM3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHM3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHM3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,1000V AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHM3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,1000V AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHM3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10MHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10Y | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 1.6kV Max. forward impulse current: 27A Semiconductor structure: single diode Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Reverse recovery time: 1.5µs Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.15V Max. load current: 5A кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 6870 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y | Diotec Semiconductor | Diode, SMA, 1600V, 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10Y | на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYG10Y | Diotec Semiconductor | Description: DIODE SMA 1600V 1.5A 150DEG Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: SMA/DO-214AC Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10Y | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, SMA, 1600V, 1.5A | на замовлення 12837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 1.6kV Max. forward impulse current: 27A Semiconductor structure: single diode Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Reverse recovery time: 1.5µs Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.15V Max. load current: 5A | на замовлення 6870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-AQ | Diotec Semiconductor | Description: DIODE AVALANCHE 1600V 1.5A SMA Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1600 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10Y-AQ | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, SMA, 1600V, 1.5A, AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10Y-E3-TR | VISHAY | 05+06+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay | Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay | Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 187200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG10Y-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.6 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: BYG10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 5301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay Semiconductor | Випрямний лавинноподібний діод SMD; Io, A = 1,5; Uзвор, В = 1 600; Uf (max), В = 1,15; If, А = 1,5; trr, нс = 4 000 мс; Тексп, °C = -55...+150; Темп.опір,°C/Вт = 25; Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 500 мс; I, мкА @ Ur, В = 1 @ 1600; SMA | на замовлення 84 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V | на замовлення 4218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay | Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay | Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 6796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Standard Avalanche Rectifier SMA=DO-214AC | на замовлення 51 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay | Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 16200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay | Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 6796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 33249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Mounting: SMD Case: DO214AC; SMA Max. forward impulse current: 30A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.15V Max. off-state voltage: 1.6kV Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated | на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay | Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 33249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Mounting: SMD Case: DO214AC; SMA Max. forward impulse current: 30A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.15V Max. off-state voltage: 1.6kV Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1976 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay | Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 187200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR Код товару: 88778 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay | Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 16200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 167802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 1600 Volt | на замовлення 20738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR VISHAY | Vishay | 1,5A; 1600V; SMD; packaging: tape&reel; BYG10Y-E3/TR VISHAY DP BYG10Y-E3/TR VISHAY кількість в упаковці: 1800 шт | на замовлення 1800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR3 | VISHAY | Description: VISHAY - BYG10Y-E3/TR3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.6 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 7521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V | на замовлення 48148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 1600 Volt | на замовлення 9836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR3 | VISHAY | Description: VISHAY - BYG10Y-E3/TR3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.6 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 7521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-M3/TR | Vishay | Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10Y-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10Y-M3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,1600V VGSC-STD Avalanche SMD | на замовлення 4689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-M3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10Y-M3/TR | Vishay | Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10Y-M3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10Y-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10Y-M3/TR | Vishay | Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10Y-M3/TR3 | Vishay | Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10Y-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10Y-M3/TR3 | Vishay | Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10Y-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,1600V VGSC-STD Avalanche SMD | на замовлення 7475 шт: термін постачання 77-86 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10Y-TR | VISHAY | DO214AC | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG10YHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1600V Vrrm; 1.5A If DO-214AC (SMA) | на замовлення 5999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10YHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10YHE3_A/H | VISHAY | Description: VISHAY - BYG10YHE3_A/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.6 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 10637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10YHE3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10YHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10YHE3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10YHE3_A/H | VISHAY | Description: VISHAY - BYG10YHE3_A/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.6 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 10637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10YHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10YHE3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10YHE3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10YHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10YHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1600V Vrrm; 1.5A If DO-214AC (SMA) | на замовлення 7413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10YHM3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10YHM3_A/H | VISHAY | Description: VISHAY - BYG10YHM3_A/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.6 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 10556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10YHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10YHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1600V Vrrm; 1.5A If DO-214AC (SMA) | на замовлення 7211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10YHM3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10YHM3_A/H | VISHAY | Description: VISHAY - BYG10YHM3_A/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.6 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 10556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10YHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10YHM3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10YHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1600V Vrrm; 1.5A If DO-214AC (SMA) | на замовлення 10960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10YHM3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10YHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG10YHM3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG10YHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 31367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG1OM-TR | VISHAY | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYG20D | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D | Diotec Semiconductor | Rectifiers Ultrafast, SMA, 200V, 1.5A, 150C | на замовлення 7024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 200V Max. forward impulse current: 27A Semiconductor structure: single diode Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching Reverse recovery time: 75ns Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.4V Max. load current: 5A кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 7280 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D | Diotec Semiconductor | Diode, Ultrasast, SMA, 200V, 1.5A, 75ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D Код товару: 106960 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYG20D | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 200V Max. forward impulse current: 27A Semiconductor structure: single diode Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching Reverse recovery time: 75ns Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.4V Max. load current: 5A | на замовлення 7280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D | Diotec Semiconductor | Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SMA/DO-214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D E2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 200V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D E2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 200V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D E3 | Taiwan Semiconductor | 1.5 AMPS High Efficient Surface Mount Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D E3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 200V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D E3 | Taiwan Semiconductor | 1.5 AMPS High Efficient Surface Mount Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D E3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 200V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D F2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 200V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D F2 | Taiwan Semiconductor | 1.5 AMPS High Efficient Surface Mount Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D F2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D F3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 200V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D F3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1.5A 200V High Eff Recovery Rect | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D R2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D R2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D R3 Код товару: 174365 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYG20D R3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1.5A 200V High Eff Recovery Rect | на замовлення 3264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D R3 | Taiwan Semiconductor | 1.5 AMPS High Efficient Surface Mount Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D R3G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG20D R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D R3G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG20D-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.4 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.4V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG20 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.4V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.4V Case: DO214AC; SMA Semiconductor structure: single diode Leakage current: 10µA Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 200V Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns | на замовлення 2197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 200 Volt | на замовлення 16624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 32245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG20D-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.4 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.4V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG20 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.4V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.4V Case: DO214AC; SMA Semiconductor structure: single diode Leakage current: 10µA Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 200V Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2197 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 200 Volt | на замовлення 4629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR3 | VISHAY | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 200V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 6701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20D-M3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D-M3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,200V,75nS SF Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20D-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,200V,75nS SF Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1.5A, 200V, HIGH EFFICIENT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20DH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1.5A, 200V, HIGH EFFICIENT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20DH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHE3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHE3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHE3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHE3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,200V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,200V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHM2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1.5A 200V High Eff Recovery Rect | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHM2G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHM3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHM3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 1.5A Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHM3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,200V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,200V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20DHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1.5A 200V High Eff Recovery Rect | на замовлення 3555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG20G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 400V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward impulse current: 27A Semiconductor structure: single diode Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching Reverse recovery time: 75ns Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.4V Max. load current: 5A кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 1860 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.5A,400V,75NS SF AVALANCHE SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G | Diotec Electronics | BYG20G | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G | Diotec Semiconductor | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G | Diotec Semiconductor | Rectifiers Ultrafast, SMA, 400V, 1.5A, 150C | на замовлення 14912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G | Diotec Semiconductor | Diode, Ultrasast, SMA, 400V, 1.5A, 75ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G | Diotec Semiconductor | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SMA Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward impulse current: 27A Semiconductor structure: single diode Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching Reverse recovery time: 75ns Load current: 1.5A Max. forward voltage: 1.4V Max. load current: 5A | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G E2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 400V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G E2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 400V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G E3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 400V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G E3 | Taiwan Semiconductor | BYG20G E3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G E3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G E3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 400V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G F2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 400V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G F2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 400V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G F3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 400V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G F3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 400V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1.5A 400V High Eff Recovery Rect | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G R2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 400V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G R2 | Taiwan Semiconductor | BYG20G R2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G R2G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G R2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 400V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G R3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1.5A 400V High Eff Recovery Rect | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G R3 | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G R3 | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G R3G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG20G R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G R3G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 400V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G SMA LGE | LGE | 1,5A; 400V; packaging: reel; BYG20G SMA LGE DP BYG20G LGE кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG20G-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1.5 A, Einfach, 1.4 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.4V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG20 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 66403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 12600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.4V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20342 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | на замовлення 5461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG20G-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1.5 A, Einfach, 1.4 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.4V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG20 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 66398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.4V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape | на замовлення 20342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 400 Volt | на замовлення 95720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR Код товару: 73027 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 400 Volt | на замовлення 4025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | на замовлення 2767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20G-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G-M3/TR | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G-M3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,400V,75nS SF Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G-M3/TR | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,400V,75nS SF Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20G-TR | на замовлення 39800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYG20GH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1.5A, 400V, HIGH EFFICIENT Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20GH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 400V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1.5A, 400V, HIGH EFFICIENT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20GHE3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHE3/TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.5A 400 Volt 75ns | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG20GHE3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHE3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHE3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,400V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified | на замовлення 4911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20GHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20GHE3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20GHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,400V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHE3_A/I | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHM2G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHM2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1.5A 400V High Eff Recovery Rect | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHM3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHM3/TR | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHM3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHM3/TR3 | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHM3_A/H | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,400V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified | на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20GHM3_A/I | Vishay | Diode Switching 400V 1.5A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,400V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20GHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1.5A 400V High Eff Recovery Rect | на замовлення 3531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG20J | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. load current: 5A Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape | на замовлення 14150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 435 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 14150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J Код товару: 30931 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYG20J | Diotec Semiconductor | Rectifiers Ultrafast, SMA, 600V, 1.5A, 150C | на замовлення 12185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J | MIC | 1.5A; 600V; packaging: reel; BYG20J diode rectifying DP BYG20J кількість в упаковці: 5000 шт | на замовлення 312 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J | Diotec Semiconductor | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | на замовлення 7380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. load current: 5A Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 14150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J | Diotec Semiconductor | Diode, Ultrasast, SMA, 600V, 1.5A, 75ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | на замовлення 8761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J | MIC | 1.5A; 600V; packaging: reel; BYG20J diode rectifying DP BYG20J кількість в упаковці: 5000 шт | на замовлення 10000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.5A,600V,75NS SF AVALANCHE SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J | Diotec Semiconductor | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J | MIC | 1.5A; 600V; packaging: reel; BYG20J diode rectifying DP BYG20J кількість в упаковці: 5000 шт | на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J E2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 600V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J E2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 600V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J E3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 4A, 50V-1000V Glass Pass Brdg Rect | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J E3 | Taiwan Semiconductor | 1.5 AMPS High Efficient Surface Mount Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J E3 | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J E3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 600V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J F2 | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J F2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 600V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J F2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J F3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5 AMPS, 600V High Efficient | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J F3 | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J F3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J M2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 4A, 50V-1000V Glass Pass Brdg Rect | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1.5A 600V High Eff Recovery Rect | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J R2 | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J R2 | Taiwan Semiconductor | 1.5 AMPS High Efficient Surface Mount Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J R2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J R2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J R2G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J R3 | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J R3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J R3G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J R3G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J SMA LGE | LGE | 1,5A; 600V; packaging: reel; BYG20J SMA LGE DP BYG20J LGE кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 4400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J SMA T&R | KINGTRONICS | 1.5A; 600V; packaging: reel; BYG20J diode rectifying DP BYG20J Kt кількість в упаковці: 5000 шт | на замовлення 4800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-7001HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J-AE3/TR3 | Vishay | 1.5A,600V,75nS SF Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J-E3-TR | VISHAY | 05+06+ | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | на замовлення 171671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 138600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 74882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 138600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG20J-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.4 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.4V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG20 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 64580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 73800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 2693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | Vishay | 1,5A; 600V; SMD; packaging: tape&reel; BYG20J-E3/TR VISHAY DP BYG20J-E3/TR VISHAY кількість в упаковці: 1800 шт | на замовлення 1800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 6315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 6315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG20J-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.4 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.4V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG20 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 64580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 2693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 73800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt | на замовлення 129380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.4V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape | на замовлення 5737 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.4V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5737 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 8372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | на замовлення 4108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt | на замовлення 13345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR3 | VISHAY | Description: VISHAY - BYG20J-E3/TR3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.4 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.4V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 6707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR3 | STMicroelectronics | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR3 Код товару: 92145 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR3 | VISHAY | Description: VISHAY - BYG20J-E3/TR3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.4 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.4V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 6707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20J-M3/TR | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J-M3/TR | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J-M3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,600V,75nS SF Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,600V,75nS SF Avalanche SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J-TR | VISHAY | 02+ SMA | на замовлення 630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG20J-TR | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20J/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: ULTRFAST SMA 600V 1.5A 75NS 150C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1.5A, 600V, HIGH EFFICIENT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20JH | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1.5A Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1.5A, 600V, HIGH EFFICIENT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20JHE3/TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.5A 600 Volt 75ns | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG20JHE3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHE3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHE3/TR3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.5A 600 Volt 75ns | на замовлення 6385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG20JHE3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHE3/TR3 | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 133200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20JHE3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20JHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20JHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20JHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 133200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20JHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,600V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified | на замовлення 8405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20JHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20JHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20JHE3_A/I | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,600V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified | на замовлення 7475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20JHE3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG20JHM2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1.5A 600V High Eff Recovery Rect | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHM2G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHM3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHM3/TR | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHM3/TR3 | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHM3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHM3_A/H | Vishay | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,600V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHM3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,600V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG20JHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1.5A 600V High Eff Recovery Rect | на замовлення 3456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG20SJE-HDI-G4-08 | Vishay | BYG20SJE-HDI-G4-08 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21K | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.5A,800V,120NS,FS,AVALANCH,SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21K-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 800 Volt | на замовлення 14175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21K-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21K-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | на замовлення 6392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21K-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21K-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21K-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21K-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG21K-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21K-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21K-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | на замовлення 3156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21K-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 800 Volt | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21K-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21K-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21K-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21K-M3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,800V,120nS Fast Avalanche,SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21K-M3/TR3 | Vishay | Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21K-M3/TR3 | Vishay | Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21K-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21K-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,800V,120nS Fast Avalanche,SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHE3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHE3/TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.5A 800 Volt 75ns | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG21KHE3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 120ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHE3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 120ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHE3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,800V,120NS,AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHE3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 120ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHE3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 120ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,800V,120NS,AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHM3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHM3/TR | Vishay | Diode Switching 1KV 1.5A Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHM3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,800V,120nS AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHM3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21KHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,800V,120nS AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.5A,1000V,120NS,FS,AVALANCH,SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; SMA; Ufmax: 1.6V; Ifsm: 50A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 120ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 13pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 50A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 120ns, 1.5A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | на замовлення 15000 шт: термін постачання 106-115 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; SMA; Ufmax: 1.6V; Ifsm: 50A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 120ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 13pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 50A Kind of package: reel; tape | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 13311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M | VISHAY | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYG21M F2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5A, 1000V Fast avalanche Surface Mount Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M F2 | Taiwan Semiconductor | BYG21M F2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M F2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 120ns, 1.5A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M F3 | Taiwan Semiconductor | BYG21M F3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M F3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5A, 1000V Fast avalanche Surface Mount Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M F3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 120ns, 1.5A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M F4G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 120ns, 1.5A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 120ns 1.5A 1000V Fas t Recovery Rectifie | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M M2G | Taiwan Semiconductor | 1.5A, 1000V Fast avalanche Surface Mount Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M R2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5A, 1000V Fast avalanche Surface Mount Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M R2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 120ns, 1.5A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M R3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5A, 1000V Fast avalanche Surface Mount Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 120ns, 1.5A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M R3G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG21M R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M R3G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG21M R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M-E3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.5A,1000V,120NS,FS,AVALANCH,SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 104400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG21M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.6 V, 120 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 120ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYG21 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 71165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.6V Mounting: SMD Case: DO214AC; SMA Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.6V Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 120ns Max. forward impulse current: 30A Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated | на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt | на замовлення 17868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 536400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR Код товару: 83778 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay | 1,5A; 1000V; SMD; packaging: tape&reel; BYG21M-E3/TR VISHAY DP BYG21M-E3/TR VISHAY кількість в упаковці: 1800 шт | на замовлення 1745 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 536400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 5793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 106539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG21M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.6 V, 120 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 120ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYG21 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 71165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 3828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 3828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.6V Mounting: SMD Case: DO214AC; SMA Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.6V Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 120ns Max. forward impulse current: 30A Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1471 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 5793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR3 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.6V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 120ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 7500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR3 | VISHAY | Description: VISHAY - BYG21M-E3/TR3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.6 V, 120 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 120ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: BYG21M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR3 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.6V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 120ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR3 | VISHAY | Description: VISHAY - BYG21M-E3/TR3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.6 V, 120 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 120ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: BYG21M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 3345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt | на замовлення 60307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 43045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 10278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-M3/TR | Vishay | Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M-M3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,1000V,120nS Fast Avalanche,SMD | на замовлення 11421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21M-M3/TR | Vishay | Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,1000V,120nS Fast Avalanche,SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M-TR | на замовлення 32080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYG21M/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21M/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MH | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1.5A Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 120ns, 1.5A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHE3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHE3/TR | Vishay | Diode Switching 1KV 1.5A Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHE3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHE3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHE3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,1000V,120NS AEC-Q101 Qualified | на замовлення 8990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21MHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21MHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 1KV 1.5A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21MHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 1KV 1.5A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHE3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHE3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,1000V,120NS AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHF2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5A, 1000V Fast avalanche Surface Mount Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHF2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 120ns, 1.5A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHF3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5A, 1000V Fast avalanche Surface Mount Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHF3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 120ns, 1.5A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHM2G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHM2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 120ns 1.5A 1000V Fas t Recovery Rectifie | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHM3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHM3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,1000V,120NS AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHM3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,1000V,120NS AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHR2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1.5A, 1000V Fast avalanche Surface Mount Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHR2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 120ns, 1.5A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHR2G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1.5A Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHR3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 120ns, 1.5A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 120ns, 1.5A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG21MHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 1703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG21MTR | VISHAY | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYG22A-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2.0 Amp 50 Volt | на замовлення 12099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22A-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22A-E3/TR | Vishay | Diode Switching 50V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22A-E3/TR | Vishay | Diode Switching 50V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22A-E3/TR | Vishay | Diode Switching 50V 2A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22A-E3/TR | Vishay | Diode Switching 50V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22A-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V | на замовлення 4775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22A-E3/TR | Vishay | Diode Switching 50V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22A-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22A-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22A-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22A-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22A-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2.0 Amp 50 Volt | на замовлення 7804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22A-M3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2A,50V,25nS UF Fast Avalanche,SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22A-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22A-M3/TR | Vishay | Diode Switching 50V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22A-M3/TR | Vishay | Diode Switching 50V 2A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22A-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22A-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2A,50V,25nS UF Fast Avalanche, SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22A-TR | VISHAY | на замовлення 5536 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYG22AHE3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22AHE3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22AHE3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 2A 25ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22AHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2.0A,50V,25NS, AVAL AEC-Q101 Qualified | на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22AHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22AHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22AHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22AHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2.0A,50V,25NS, AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22AHM3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22AHM3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22AHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2A,50V,25nS AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22AHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22AHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2A,50V,25nS AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22AHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22B | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0A,100V,25NS,UF AVALANCHE,SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG22B-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 25 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG22B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR Код товару: 162079 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | на замовлення 50400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.1V Case: DO214AC; SMA Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Max. forward impulse current: 35A Max. off-state voltage: 100V Load current: 2A Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 5032 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt | на замовлення 11306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG22B-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 25 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG22B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.1V Case: DO214AC; SMA Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Max. forward impulse current: 35A Max. off-state voltage: 100V Load current: 2A Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5032 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | на замовлення 52990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | на замовлення 6799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22B-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt | на замовлення 3006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22B-M3/TR | Vishay | Diode Switching 100V 2A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22B-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22B-M3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2A,100V,25nS UF Fast Avalanche,SMD | на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22B-M3/TR | Vishay | Diode Switching 100V 2A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22B-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22B-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2A,100V,25nS UF Fast Avalanche,SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22BHE3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22BHE3/TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0A 100 Volt 25ns | на замовлення 3335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG22BHE3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22BHE3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2.0A,100V,25NS, AVAL AEC-Q101 Qualified | на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22BHE3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 2A 25ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2.0A,100V,25NS, AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22BHM3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22BHM3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22BHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2A,100V,25nS AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22BHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22BHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2A,100V,25nS AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22BHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22D | VISHAY | DO214AC | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG22D | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0A,200V,25NS,UF AVALANCHE,SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22D-E3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 68400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG22D-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 25 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG22 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 43685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | Vishay Semiconductor | Випрямний лавинний діод SMD; Io, A = 2; Uзвор, В = 200; Uf (max), В = 1,1; If, А = 2; trr, нс = 25 мс; Тексп, °C = -55...+150; Темп.опір,°C/Вт = 25; Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 500 мс; I, мкА @ Ur, В = 1 @ 200; SMA | на замовлення 3576 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt 14 | на замовлення 23360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 486000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG22D-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 25 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG22 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 43305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR Код товару: 73603 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 69364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 486000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 25ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 35A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1644 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 25ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 35A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape | на замовлення 1644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 487775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR VISHAY | Vishay | 2A; 200V; SMD; packaging: tape&reel; BYG22D-E3/TR VISHAY DP BYG22D-E3/TR VISHAY кількість в упаковці: 1800 шт | на замовлення 1800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR3 | VISHAY | Description: VISHAY - BYG22D-E3/TR3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 25 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 18339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR3 | VISHAY | Description: VISHAY - BYG22D-E3/TR3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 25 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 18299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 8220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt | на замовлення 50147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-E3/TR3 | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 10687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-M3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD | на замовлення 4002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22D-M3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22D-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22D-M3/TR3 | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22D-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22D-M3/TR3 | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22D-M3TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22D-M3TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22D-TR | VISHAY | DO214AC | на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG22D-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22D-TR | VISHAY | DO214 | на замовлення 112 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG22DHE3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHE3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHE3/TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0A 200 Volt 25ns | на замовлення 4776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG22DHE3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHE3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHE3/TR3 | VISHAY | 09+ LL34 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG22DHE3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2.0A,200V,25NS, AVAL AEC-Q101 Qualified | на замовлення 8372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22DHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22DHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHE3_A/H | VISHAY | Description: VISHAY - BYG22DHE3_A/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 25 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG22D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 28942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22DHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHE3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22DHE3_A/H | VISHAY | Description: VISHAY - BYG22DHE3_A/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 25 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG22D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 28942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22DHE3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2.0A,200V,25NS, AVAL AEC-Q101 Qualified | на замовлення 14976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22DHM3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHM3/TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHM3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2A,200V,25nS AVAL AEC-Q101 Qualified | на замовлення 857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG22DHM3_A/H | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHM3_A/H | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2A,200V,25nS AVAL AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHM3_A/I | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG22DHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 65ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 6375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 10727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 65ns, 1.5A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | на замовлення 16124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 6375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M E2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 65ns, 1.5A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M E2 | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 65ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M E2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 65ns, 1.5A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M E3 | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 65ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M E3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 65ns 1.5A 1000V HIGH EFFICIENT RECT | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M E3 | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M E3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 65ns, 1.5A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M E3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 65ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 65ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 65ns 1.5A 1000V HE Recov Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M R2 | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 65ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M R2 | Taiwan Semiconductor | Taiwan Semiconductor 65ns, 1.5A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 65ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 65ns 1.5A 1000V HE Recov Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 361800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 127800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG23M-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Durchbruch, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 17291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR Код товару: 51448 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 94017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 127800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers RECOMMENDED ALT BYG23M-E3/TR3 | на замовлення 45374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 61200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.35V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.35V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 61200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 362302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYG23M-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Durchbruch, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 17696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.35V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.35V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR /VISHAY | VIAHAY | 08+; | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR3 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape | на замовлення 4402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 142500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR3 | VISHAY | Description: VISHAY - BYG23M-E3/TR3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 8548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 5792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 153214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 5792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR3 | VISHAY | Description: VISHAY - BYG23M-E3/TR3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 8548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR3 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4402 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt | на замовлення 32595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-M3/TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M-M3/TR | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,1000V,75nS Fast Avalanche,SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5A,1000V,75nS Fast Avalanche,SMD | на замовлення 17618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYG23M-M3/TR3 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYG23M-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 11510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|