![BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/1/7/4/14/920/vsh_/manual/85893-pt-medium.jpg)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1800+ | 5.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG10D-E3/TR Vishay
Description: VISHAY - BYG10D-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Durchbruch, 200 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 4µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BYG10, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BYG10D-E3/TR за ціною від 5.23 грн до 32.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 12600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYG10D-E3/TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1.5A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYG10D-E3/TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1.5A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 804 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYG10D-E3/TR | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYG10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 5624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 13310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 5624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYG10D-E3/TR | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYG10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
BYG10D-E3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |