BYG22B-M3/TR Vishay General Semiconductor
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 38.87 грн |
10+ | 32.65 грн |
100+ | 19.75 грн |
500+ | 15.39 грн |
1000+ | 12.58 грн |
1800+ | 12.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG22B-M3/TR Vishay General Semiconductor
Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V.
Інші пропозиції BYG22B-M3/TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYG22B-M3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
BYG22B-M3/TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
BYG22B-M3/TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V |
товар відсутній |