Продукція > VISHAY > BYG21M-E3/TR3
BYG21M-E3/TR3

BYG21M-E3/TR3 Vishay


byg21k.pdf Виробник: Vishay
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R
на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7500+6.41 грн
22500+ 6.08 грн
Мінімальне замовлення: 7500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYG21M-E3/TR3 Vishay

Description: VISHAY - BYG21M-E3/TR3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.6 V, 120 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.6V, Sperrverzögerungszeit: 120ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pins, Produktpalette: BYG21M, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BYG21M-E3/TR3 за ціною від 6.23 грн до 34.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BYG21M-E3/TR3 BYG21M-E3/TR3 Виробник : Vishay byg21k.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7500+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 7500
BYG21M-E3/TR3 BYG21M-E3/TR3 Виробник : Vishay byg21k.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7500+6.88 грн
22500+ 6.54 грн
Мінімальне замовлення: 7500
BYG21M-E3/TR3 BYG21M-E3/TR3 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg21k.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7500+7.48 грн
15000+ 6.48 грн
37500+ 6.38 грн
Мінімальне замовлення: 7500
BYG21M-E3/TR3 BYG21M-E3/TR3 Виробник : VISHAY byg21k.pdf Description: VISHAY - BYG21M-E3/TR3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.6 V, 120 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 120ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: BYG21M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.14 грн
500+ 12.23 грн
1000+ 10.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
BYG21M-E3/TR3 BYG21M-E3/TR3 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg21k.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 43045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29 грн
14+ 21.59 грн
100+ 12.96 грн
500+ 11.26 грн
1000+ 7.66 грн
2000+ 7.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
BYG21M-E3/TR3 BYG21M-E3/TR3 Виробник : Vishay General Semiconductor byg21k.pdf Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt
на замовлення 60307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.44 грн
16+ 22 грн
100+ 12.53 грн
500+ 11.66 грн
1000+ 7.25 грн
2500+ 6.67 грн
7500+ 6.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
BYG21M-E3/TR3 BYG21M-E3/TR3 Виробник : VISHAY byg21k.pdf Description: VISHAY - BYG21M-E3/TR3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.6 V, 120 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 120ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: BYG21M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+34.79 грн
31+ 26.5 грн
100+ 14.14 грн
500+ 12.23 грн
1000+ 10.38 грн
Мінімальне замовлення: 24
BYG21M-E3/TR3 BYG21M-E3/TR3 Виробник : Vishay byg21k.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R
товар відсутній
BYG21M-E3/TR3 BYG21M-E3/TR3 Виробник : VISHAY byg21k.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.6V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 120ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 7500 шт
товар відсутній
BYG21M-E3/TR3 BYG21M-E3/TR3 Виробник : VISHAY byg21k.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.6V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 120ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
товар відсутній