![BYG20J BYG20J](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/4B/29/F0/00/0/1020596_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new_render3d.png&wat_scale=100p&ci_sign=95fb1307848c7a84854f58d819bc5554dba82240)
BYG20J TAIWAN SEMICONDUCTOR
![BYG20J-R3G.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 11.26 грн |
40+ | 9.44 грн |
100+ | 8.28 грн |
115+ | 7.47 грн |
315+ | 7.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG20J TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 0.6kV, Load current: 1.5A, Max. load current: 5A, Reverse recovery time: 75ns, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching, Case: SMA, Max. forward voltage: 1.4V, Max. forward impulse current: 27A, Leakage current: 50µA, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 10 шт.
Інші пропозиції BYG20J за ціною від 3.06 грн до 32.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYG20J | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 465 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG20J | Виробник : Diotec Semiconductor | Rectifiers Ultrafast, SMA, 600V, 1.5A, 150C |
на замовлення 12530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BYG20J | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
на замовлення 6049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG20J | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1.5A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier |
на замовлення 11562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BYG20J | Виробник : MIC |
1.5A; 600V; packaging: reel; BYG20J diode rectifying DP BYG20J кількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 10412 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG20J | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Max. load current: 5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape |
на замовлення 21480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG20J | Виробник : Diotec Electronics | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 21480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG20J | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Max. load current: 5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 21480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG20J Код товару: 30931 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
BYG20J | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
BYG20J | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BYG20J | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
BYG20J | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
BYG20J | Виробник : Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.5A,600V,75NS SF AVALANCHE SMD |
товар відсутній |