![BYG20G BYG20G](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/03/32/01/00/0/1057584_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=15d59cbaf8f08c51bc360db63c1f7787481a4c7e)
BYG20G DIOTEC SEMICONDUCTOR
![byg20d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Max. load current: 5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 27A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
80+ | 5.39 грн |
90+ | 4.23 грн |
250+ | 3.73 грн |
260+ | 3.33 грн |
700+ | 3.15 грн |
2500+ | 3.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG20G DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 0.4kV, Load current: 1.5A, Max. load current: 5A, Reverse recovery time: 75ns, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching, Case: SMA, Max. forward voltage: 1.4V, Max. forward impulse current: 27A, Leakage current: 50µA, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 10 шт.
Інші пропозиції BYG20G за ціною від 3.75 грн до 30.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYG20G | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1.5A Max. load current: 5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BYG20G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG20G | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG20G | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 14912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BYG20G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BYG20G | Виробник : Diotec Electronics |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG20G | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BYG20G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
BYG20G | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BYG20G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
BYG20G | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() ![]() ![]() |
товар відсутній |