![BYG10YHE3_A/I BYG10YHE3_A/I](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/26/112;DO214AC,SMA;;2.jpg)
BYG10YHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![byg10.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 29.65 грн |
13+ | 24.01 грн |
100+ | 16.69 грн |
500+ | 12.23 грн |
1000+ | 9.94 грн |
2000+ | 8.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG10YHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BYG10YHE3_A/I за ціною від 8.01 грн до 32.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYG10YHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG10YHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BYG10YHE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BYG10YHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |