Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (136447) > Сторінка 412 з 2275

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 227 407 408 409 410 411 412 413 414 415 416 417 454 681 908 1135 1362 1589 1816 2043 2270 2275  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TDB6HK124N16RRBOSA1 TDB6HK124N16RRBOSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0005253096-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SCR MODULE 1.6KV 70A MODULE
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDB6HK240N16PBOSA1 TDB6HK240N16PBOSA1 Infineon Technologies Infineon-TDB6HK240N16P-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124ee1179a75223 Description: THYRISTOR MODULE VDRM 1600V 70A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15160.15 грн
TDB6HK180N16RRB21BOSA1 Infineon Technologies Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_cn.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3f12e4330c Description: 1600VBRIDGE MODULE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9922.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
TDB6HK95N16LOFHOSA1 TDB6HK95N16LOFHOSA1 Infineon Technologies Description: SCR MODULE 1.6KV 75A MODULE
товар відсутній
TDB6HK165N16LOFHOSA1 Infineon Technologies Description: SCR MODULE VDRM 1600V 70A
Packaging: Tray
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
TDB6HK360N16P Infineon Technologies Infineon-TDB6HK360N16P-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124ee13511f5228 Description: TDBXHK360 - BRIDGE RECTIFIER & A
товар відсутній
IPB034N03LGATMA1 IPB034N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP034N03L-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113d3c9730503e7 Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SPS03N60C3AKMA1 SPS03N60C3AKMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 666
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD03N60RF-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d3978350068 Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.62 грн
10+ 51.51 грн
100+ 40.05 грн
500+ 31.86 грн
1000+ 25.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
ILB03N60 ILB03N60 Infineon Technologies INFNS07533-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 4.5A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
ILP03N60 ILP03N60 Infineon Technologies INFNS07428-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 4.5A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 10V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/100ns
Switching Energy: 12µJ (on), 20µJ (off)
Test Condition: 400V, 0.8A, 60Ohm, 10V
Gate Charge: 8.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 5.5 A
Power - Max: 27 W
товар відсутній
SPD03N60C3 SPD03N60C3 Infineon Technologies Infineon-SPD03N60C3-DS-v02_06-NA.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товар відсутній
IDL04G65C5XUMA2 IDL04G65C5XUMA2 Infineon Technologies Infineon-IDL04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0143000fb94c146a Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A VSON-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+110.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IDL04G65C5XUMA2 IDL04G65C5XUMA2 Infineon Technologies Infineon-IDL04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0143000fb94c146a Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A VSON-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 3668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.65 грн
10+ 184.72 грн
100+ 148.47 грн
500+ 114.48 грн
1000+ 99.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IM818SCCXKMA1 IM818SCCXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IM818-SCC-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0165f9e925ca2ea1 Description: CIPOS MAXI 1200V 8A 24PWRDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current: 8 A
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2478.37 грн
14+ 2120.79 грн
112+ 1854.89 грн
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF100P219-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d52df4b86 Description: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.34 грн
25+ 397.72 грн
100+ 355.88 грн
IRF100P218AKMA1 IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF100P218-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d3eca4b83 Description: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 412 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 50 V
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.54 грн
25+ 451.98 грн
100+ 404.41 грн
FP150R07N3E4 Infineon Technologies INFNS28449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FP150R07 - IGBT MODULE
товар відсутній
FP150R07N3E4_B11 Infineon Technologies INFNS28450-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FP150R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+13240.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
ESD201-B2-03LRHE6327 Infineon Technologies INFN-S-A0000325460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.1V (Typ), 10.2V (Typ)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 534811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5189+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 5189
STT1400N18P55XPSA1 Infineon Technologies Infineon-STT1400N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99a9775672 Description: THYR / DIODE MODULE DK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65DN06B02ELEMXPSA1 65DN06B02ELEMXPSA1 Infineon Technologies Infineon-65DN06B02-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175079ef4d40391 Description: DIODE GP 600V 15130A D-ELEM-1
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AC, K-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15130A
Supplier Device Package: BG-D-ELEM-1
Operating Temperature - Junction: 180°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 600 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+47067.58 грн
STT1900N18P55XPSA1 Infineon Technologies Infineon-STT1900N18P55-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc999c30566f Description: THYR / DIODE MODULE DK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
T700N22TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T700N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b084825402e Description: T700N22 - PHASE CONTROL THYRISTO
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
T300N14TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T300N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128a5a8d27c0053 Description: SCR MODULE 1800V 400A DO200AA
товар відсутній
T300N16TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T300N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128a5a8d27c0053 Description: SCR MODULE 1800V 400A DO200AA
товар відсутній
T430N16TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T430N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd801286374f6a45325 Description: SCR MODULE 1800V 700A DO200AA
товар відсутній
T660N22TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T660N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afaeacd3fe7 Description: SCR MODULE 2600V 1500A DO200AB
товар відсутній
T660N26TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T660N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afaeacd3fe7 Description: SCR MODULE 2600V 1500A DO200AB
товар відсутній
41040324AWLXPSA1 Infineon Technologies Description: DIODE THYRISTOR
товар відсутній
BSO330N02KG Infineon Technologies INFNS27921-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1422+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 1422
IPP042N03LG IPP042N03LG Infineon Technologies INFNS16316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
на замовлення 71180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC042N03LSG BSC042N03LSG Infineon Technologies INFNS27447-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSC042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
IPP120N10S403AKSA1 IPP120N10S403AKSA1 Infineon Technologies IPP_B_I120N10S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480c5c81580b3a Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+199.23 грн
Мінімальне замовлення: 108
IAUZ30N10S5L240ATMA1 IAUZ30N10S5L240ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ30N10S5L240-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62a9610dd8 Description: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.99 грн
10+ 68.41 грн
100+ 53.2 грн
500+ 42.32 грн
1000+ 34.47 грн
2000+ 32.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
FP50R07U1E4BPSA1 FP50R07U1E4BPSA1 Infineon Technologies FP50R07U1E4.pdf Description: IGBT MODULE 650V 75A 230W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 230 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+3775.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
FF150R17ME3GBOSA1 FF150R17ME3GBOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF150R17ME3G-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431441fb5d0114502cbb65039c Description: IGBT MOD 1700V 240A 1050W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10680.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FD150R12RT4HOSA1 FD150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies Infineon-FD150R12RT4-DS-v02_03-en_de.pdf?fileId=db3a3043271faefd01279a5e45e041b2 Description: FD150R12 - IGBT MODULE
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+3885.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
DF150R12RT4HOSA1 DF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies Infineon-DF150R12RT4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304327b89750012805d5d8646118 Description: IGBT MOD 1200V 150A 790W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 790 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+4187.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
FS50R12KT4B11BOSA1 FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS50R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49630da90121 Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+5081.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
DF650R17IE4BOSA1 DF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-DF650R17IE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f1e5a664bbc Description: IGBT MOD 1700V 930A 4150W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 930 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28840.75 грн
FS50R07N2E4B11BOSA1 FS50R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies FS50R07N2E4_B11.pdf Description: IGBT MODULE 650V 70A 190W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 190 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+3813.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
FP50R12KT4B16BOSA1 FP50R12KT4B16BOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 100A 280W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12658.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
FF1000R17IE4DB2S4BOSA2 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1700V 1390A AGPRIME3-1
товар відсутній
BSZ033NE2LS5ATMA1 BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ033NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f1820c4931820 Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
товар відсутній
BSZ033NE2LS5ATMA1 BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ033NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f1820c4931820 Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.14 грн
10+ 82.88 грн
100+ 64.65 грн
500+ 50.11 грн
1000+ 39.56 грн
2000+ 36.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
CYBLE-222005-EVAL CYBLE-222005-EVAL Infineon Technologies Infineon-CYBLE-222005-EVAL_EZ-BLE_PROC_EVALUATION_BOARD-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efab8ef10a2&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: DEVELOPMENT KIT CYBLE-222005
Packaging: Box
For Use With/Related Products: CYBLE-222005-00
Frequency: 2.4GHz
Type: Transceiver; Bluetooth® Smart 4.x Low Energy (BLE)
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+629.51 грн
PSB 50510 E V1.3-G Infineon Technologies Description: IC TELECOM INTERFACE 256-LBGA
товар відсутній
IPD50R800CEAUMA1 IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50R800CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d424706c02c2 Description: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50R800CEAUMA1 IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50R800CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d424706c02c2 Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.89 грн
10+ 43.28 грн
100+ 29.97 грн
500+ 23.5 грн
1000+ 20 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD50R2K0CE IPD50R2K0CE Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPD50R800CE IPD50R800CE Infineon Technologies INFN-S-A0002220638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN
товар відсутній
IPD50R500CE IPD50R500CE Infineon Technologies INFN-S-A0001300081-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD50R500 - 500V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
на замовлення 116541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
792+27.5 грн
Мінімальне замовлення: 792
TLE4935LHALA1 TLE4935LHALA1 Infineon Technologies Infineon-TLE49X5L-DataSheet-v01_05-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee80117549ac8b206b1 Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SSO-3-2
Packaging: Tape & Box (TB)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: 3-SSIP, SSO-3-02
Output Type: Open Collector
Polarization: South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.8V ~ 24V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 20mT Trip, -20mT Release
Current - Output (Max): 100mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-2
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
TLE4935LHALA1 TLE4935LHALA1 Infineon Technologies Infineon-TLE49X5L-DataSheet-v01_05-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee80117549ac8b206b1 Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SSO-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: 3-SSIP, SSO-3-02
Output Type: Open Collector
Polarization: South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.8V ~ 24V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 20mT Trip, -20mT Release
Current - Output (Max): 100mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-2
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8 Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.67 грн
5000+ 32.71 грн
12500+ 31.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8 Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+ 67.97 грн
100+ 52.84 грн
500+ 42.03 грн
1000+ 34.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
TLI49655MXTSA1 TLI49655MXTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLI4965-5M-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac4015287edf0c127d3 Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Unipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 10.4mT Trip, 2.8mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 2.5mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.63 грн
11+ 27.04 грн
25+ 23.31 грн
50+ 21.1 грн
100+ 17.97 грн
500+ 15.63 грн
1000+ 13.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF5804 IRF5804 Infineon Technologies irf5804.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товар відсутній
BGM15HA12E6327XTSA1 BGM15HA12E6327XTSA1 Infineon Technologies BGM15HA12.pdf Description: IC AMP LTE 2.3GHZ-2.7GHZ 12ATSLP
товар відсутній
TDB6HK124N16RRBOSA1 INFN-S-A0005253096-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TDB6HK124N16RRBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV 70A MODULE
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDB6HK240N16PBOSA1 Infineon-TDB6HK240N16P-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124ee1179a75223
TDB6HK240N16PBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: THYRISTOR MODULE VDRM 1600V 70A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+15160.15 грн
TDB6HK180N16RRB21BOSA1 Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_cn.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3f12e4330c
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1600VBRIDGE MODULE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+9922.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
TDB6HK95N16LOFHOSA1
TDB6HK95N16LOFHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV 75A MODULE
товар відсутній
TDB6HK165N16LOFHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE VDRM 1600V 70A
Packaging: Tray
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
TDB6HK360N16P Infineon-TDB6HK360N16P-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124ee13511f5228
Виробник: Infineon Technologies
Description: TDBXHK360 - BRIDGE RECTIFIER & A
товар відсутній
IPB034N03LGATMA1 Infineon-IPP034N03L-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113d3c9730503e7
IPB034N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SPS03N60C3AKMA1
SPS03N60C3AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
666+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 666
IKD03N60RFATMA1 Infineon-IKD03N60RF-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d3978350068
IKD03N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.62 грн
10+ 51.51 грн
100+ 40.05 грн
500+ 31.86 грн
1000+ 25.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
ILB03N60 INFNS07533-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ILB03N60
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT, 4.5A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
ILP03N60 INFNS07428-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ILP03N60
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT, 4.5A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 10V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/100ns
Switching Energy: 12µJ (on), 20µJ (off)
Test Condition: 400V, 0.8A, 60Ohm, 10V
Gate Charge: 8.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 5.5 A
Power - Max: 27 W
товар відсутній
SPD03N60C3 Infineon-SPD03N60C3-DS-v02_06-NA.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b
SPD03N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товар відсутній
IDL04G65C5XUMA2 Infineon-IDL04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0143000fb94c146a
IDL04G65C5XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A VSON-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+110.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IDL04G65C5XUMA2 Infineon-IDL04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0143000fb94c146a
IDL04G65C5XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A VSON-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 3668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.65 грн
10+ 184.72 грн
100+ 148.47 грн
500+ 114.48 грн
1000+ 99.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IM818SCCXKMA1 Infineon-IM818-SCC-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0165f9e925ca2ea1
IM818SCCXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CIPOS MAXI 1200V 8A 24PWRDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current: 8 A
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2478.37 грн
14+ 2120.79 грн
112+ 1854.89 грн
IRF100P219AKMA1 Infineon-IRF100P219-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d52df4b86
IRF100P219AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+517.34 грн
25+ 397.72 грн
100+ 355.88 грн
IRF100P218AKMA1 Infineon-IRF100P218-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d3eca4b83
IRF100P218AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 412 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 50 V
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+587.54 грн
25+ 451.98 грн
100+ 404.41 грн
FP150R07N3E4 INFNS28449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: FP150R07 - IGBT MODULE
товар відсутній
FP150R07N3E4_B11 INFNS28450-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: FP150R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+13240.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
ESD201-B2-03LRHE6327 INFN-S-A0000325460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.1V (Typ), 10.2V (Typ)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 534811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5189+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 5189
STT1400N18P55XPSA1 Infineon-STT1400N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99a9775672
Виробник: Infineon Technologies
Description: THYR / DIODE MODULE DK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65DN06B02ELEMXPSA1 Infineon-65DN06B02-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175079ef4d40391
65DN06B02ELEMXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 600V 15130A D-ELEM-1
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AC, K-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15130A
Supplier Device Package: BG-D-ELEM-1
Operating Temperature - Junction: 180°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 600 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+47067.58 грн
STT1900N18P55XPSA1 Infineon-STT1900N18P55-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc999c30566f
Виробник: Infineon Technologies
Description: THYR / DIODE MODULE DK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
T700N22TOFXPSA1 Infineon-T700N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b084825402e
Виробник: Infineon Technologies
Description: T700N22 - PHASE CONTROL THYRISTO
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
T300N14TOFXPSA1 Infineon-T300N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128a5a8d27c0053
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1800V 400A DO200AA
товар відсутній
T300N16TOFXPSA1 Infineon-T300N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128a5a8d27c0053
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1800V 400A DO200AA
товар відсутній
T430N16TOFXPSA1 Infineon-T430N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd801286374f6a45325
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1800V 700A DO200AA
товар відсутній
T660N22TOFXPSA1 Infineon-T660N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afaeacd3fe7
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2600V 1500A DO200AB
товар відсутній
T660N26TOFXPSA1 Infineon-T660N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afaeacd3fe7
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2600V 1500A DO200AB
товар відсутній
41040324AWLXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE THYRISTOR
товар відсутній
BSO330N02KG INFNS27921-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1422+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 1422
IPP042N03LG INFNS16316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP042N03LG
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
на замовлення 71180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC042N03LSG INFNS27447-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC042N03LSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSC042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
IPP120N10S403AKSA1 IPP_B_I120N10S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480c5c81580b3a
IPP120N10S403AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
108+199.23 грн
Мінімальне замовлення: 108
IAUZ30N10S5L240ATMA1 Infineon-IAUZ30N10S5L240-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62a9610dd8
IAUZ30N10S5L240ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.99 грн
10+ 68.41 грн
100+ 53.2 грн
500+ 42.32 грн
1000+ 34.47 грн
2000+ 32.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
FP50R07U1E4BPSA1 FP50R07U1E4.pdf
FP50R07U1E4BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 75A 230W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 230 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+3775.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
FF150R17ME3GBOSA1 Infineon-FF150R17ME3G-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431441fb5d0114502cbb65039c
FF150R17ME3GBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 240A 1050W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+10680.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FD150R12RT4HOSA1 Infineon-FD150R12RT4-DS-v02_03-en_de.pdf?fileId=db3a3043271faefd01279a5e45e041b2
FD150R12RT4HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: FD150R12 - IGBT MODULE
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+3885.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
DF150R12RT4HOSA1 Infineon-DF150R12RT4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304327b89750012805d5d8646118
DF150R12RT4HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 150A 790W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 790 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+4187.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon-FS50R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49630da90121
FS50R12KT4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+5081.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
DF650R17IE4BOSA1 Infineon-DF650R17IE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f1e5a664bbc
DF650R17IE4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 930A 4150W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 930 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+28840.75 грн
FS50R07N2E4B11BOSA1 FS50R07N2E4_B11.pdf
FS50R07N2E4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 70A 190W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 190 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+3813.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
FP50R12KT4B16BOSA1
FP50R12KT4B16BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A 280W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+12658.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
FF1000R17IE4DB2S4BOSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 1390A AGPRIME3-1
товар відсутній
BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ033NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f1820c4931820
BSZ033NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
товар відсутній
BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ033NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f1820c4931820
BSZ033NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.14 грн
10+ 82.88 грн
100+ 64.65 грн
500+ 50.11 грн
1000+ 39.56 грн
2000+ 36.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
CYBLE-222005-EVAL Infineon-CYBLE-222005-EVAL_EZ-BLE_PROC_EVALUATION_BOARD-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efab8ef10a2&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CYBLE-222005-EVAL
Виробник: Infineon Technologies
Description: DEVELOPMENT KIT CYBLE-222005
Packaging: Box
For Use With/Related Products: CYBLE-222005-00
Frequency: 2.4GHz
Type: Transceiver; Bluetooth® Smart 4.x Low Energy (BLE)
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+629.51 грн
PSB 50510 E V1.3-G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE 256-LBGA
товар відсутній
IPD50R800CEAUMA1 Infineon-IPD50R800CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d424706c02c2
IPD50R800CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50R800CEAUMA1 Infineon-IPD50R800CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d424706c02c2
IPD50R800CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.89 грн
10+ 43.28 грн
100+ 29.97 грн
500+ 23.5 грн
1000+ 20 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD50R2K0CE Part_Number_Guide_Web.pdf
IPD50R2K0CE
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPD50R800CE INFN-S-A0002220638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50R800CE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN
товар відсутній
IPD50R500CE INFN-S-A0001300081-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50R500CE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD50R500 - 500V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
на замовлення 116541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
792+27.5 грн
Мінімальне замовлення: 792
TLE4935LHALA1 Infineon-TLE49X5L-DataSheet-v01_05-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee80117549ac8b206b1
TLE4935LHALA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SSO-3-2
Packaging: Tape & Box (TB)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: 3-SSIP, SSO-3-02
Output Type: Open Collector
Polarization: South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.8V ~ 24V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 20mT Trip, -20mT Release
Current - Output (Max): 100mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-2
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
TLE4935LHALA1 Infineon-TLE49X5L-DataSheet-v01_05-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee80117549ac8b206b1
TLE4935LHALA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SSO-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: 3-SSIP, SSO-3-02
Output Type: Open Collector
Polarization: South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.8V ~ 24V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 20mT Trip, -20mT Release
Current - Output (Max): 100mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-2
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.67 грн
5000+ 32.71 грн
12500+ 31.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.22 грн
10+ 67.97 грн
100+ 52.84 грн
500+ 42.03 грн
1000+ 34.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
TLI49655MXTSA1 Infineon-TLI4965-5M-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac4015287edf0c127d3
TLI49655MXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Unipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 10.4mT Trip, 2.8mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 2.5mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.63 грн
11+ 27.04 грн
25+ 23.31 грн
50+ 21.1 грн
100+ 17.97 грн
500+ 15.63 грн
1000+ 13.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF5804 irf5804.pdf
IRF5804
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товар відсутній
BGM15HA12E6327XTSA1 BGM15HA12.pdf
BGM15HA12E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LTE 2.3GHZ-2.7GHZ 12ATSLP
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 227 407 408 409 410 411 412 413 414 415 416 417 454 681 908 1135 1362 1589 1816 2043 2270 2275  [ Наступна Сторінка >> ]