IAUZ30N10S5L240ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 32.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUZ30N10S5L240ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUZ30N10S5L240ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 45.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45.5, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: OptiMOS-5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IAUZ30N10S5L240ATMA1 за ціною від 30.59 грн до 100.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUZ30N10S5L240ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZ30N10S5L240ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 45.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 45.5 Bauform - Transistor: PG-TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: OptiMOS-5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUZ30N10S5L240ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 30009 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUZ30N10S5L240ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUZ30N10S5L240ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZ30N10S5L240ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 45.5W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUZ30N10S5L240ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N Channel Power MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IAUZ30N10S5L240ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 120A; 45.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 45.5W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUZ30N10S5L240ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 120A; 45.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 45.5W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
товар відсутній |