IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 16.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: CONSUMER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TO252-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPD50R800CEAUMA1 за ціною від 17.42 грн до 55.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD50R800CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: CONSUMERPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD50R800CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD50R800CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD50R800CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: CONSUMER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V |
на замовлення 5199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD50R800CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD50R800CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |