IDL04G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A VSON-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 67.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDL04G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDL04G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, VSON, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: VSON, Kapazitive Gesamtladung: 7nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IDL04G65C5XUMA2 за ціною від 58.93 грн до 149.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDL04G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDL04G65C5XUMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDL04G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, VSON tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDL04G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDL04G65C5XUMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDL04G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, VSON tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDL04G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDL04G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A VSON-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V |
на замовлення 3390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IDL04G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin VSON EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IDL04G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin VSON EP T/R |
товар відсутній |