YJL2301D Yangjie Technology
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.53 грн |
| 15000+ | 2.37 грн |
| 30000+ | 2.22 грн |
| 60000+ | 1.94 грн |
| 120000+ | 1.73 грн |
| 300000+ | 1.6 грн |
| 600000+ | 1.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJL2301D Yangjie Technology
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -15V, Drain current: -3A, Pulsed drain current: -15A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 87mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції YJL2301D за ціною від 1.8 грн до 2.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
YJL2301D | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -15V Drain current: -3A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 87mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| YJL2301D | Виробник : Yangjie Electronic Technology | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
на замовлення 999000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|