Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (10977) > Сторінка 158 з 183

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 180 183  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SIDR638DP-T1-RE3 SIDR638DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr638dp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.9 грн
10+ 111.11 грн
100+ 79.76 грн
500+ 61.84 грн
1000+ 57.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF9Z24STRR-GE3 SIHF9Z24STRR-GE3 Vishay Siliconix sihf9z24.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHF9Z24STRR-GE3 SIHF9Z24STRR-GE3 Vishay Siliconix sihf9z24.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.82 грн
10+ 58.4 грн
100+ 40.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
DG444DY DG444DY Vishay Siliconix DG444%2C445.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 140ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
DG444DJ DG444DJ Vishay Siliconix DG444%2C445.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 140ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
DG444BDJ DG444BDJ Vishay Siliconix DG444%2C445B.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 80OHM 16DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
SIHA6N65E-GE3 SIHA6N65E-GE3 Vishay Siliconix siha6n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA6N65E-GE3 SIHA6N65E-GE3 Vishay Siliconix siha6n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.69 грн
10+ 104.98 грн
100+ 75.07 грн
500+ 58.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA15N60E-GE3 SIHA15N60E-GE3 Vishay Siliconix siha15n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+84.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA15N60E-GE3 SIHA15N60E-GE3 Vishay Siliconix siha15n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR402DP-T1-RE3 SIDR402DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr402dp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR402DP-T1-RE3 SIDR402DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr402dp.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
на замовлення 13455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.04 грн
10+ 115.4 грн
100+ 83.01 грн
500+ 64.45 грн
1000+ 60.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQD40061EL-T4_GE3 SQD40061EL-T4_GE3 Vishay Siliconix sqd40061el.pdf Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SQD40061EL-T4_GE3 SQD40061EL-T4_GE3 Vishay Siliconix sqd40061el.pdf Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.52 грн
10+ 130.93 грн
100+ 104.22 грн
500+ 82.77 грн
1000+ 70.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFR420PBF-BE3 IRFR420PBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr420.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
SQ3410EV-T1_BE3 SQ3410EV-T1_BE3 Vishay Siliconix sq3410ev.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3410EV-T1_BE3 SQ3410EV-T1_BE3 Vishay Siliconix sq3410ev.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
на замовлення 8263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.44 грн
10+ 43.17 грн
100+ 29.93 грн
500+ 23.46 грн
1000+ 19.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3469EV-T1_BE3 SQ3469EV-T1_BE3 Vishay Siliconix sq3469ev.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3469EV-T1_BE3 SQ3469EV-T1_BE3 Vishay Siliconix sq3469ev.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 8606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.94 грн
12+ 24.91 грн
100+ 17.21 грн
500+ 13.5 грн
1000+ 12.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI3442BDV-T1-BE3 SI3442BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3442bd.pdf Description: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
товару немає в наявності
SI3442BDV-T1-BE3 SI3442BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3442bd.pdf Description: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.3 грн
10+ 38.44 грн
100+ 29.46 грн
500+ 21.85 грн
1000+ 17.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI3424CDV-T1-BE3 SI3424CDV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3424cdv.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
товару немає в наявності
SI3424CDV-T1-BE3 SI3424CDV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3424cdv.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
14+ 21.51 грн
100+ 14.56 грн
500+ 10.67 грн
1000+ 9.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI3460BDV-T1-BE3 SI3460BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3460bd.pdf Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
товару немає в наявності
SI3460BDV-T1-BE3 SI3460BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3460bd.pdf Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.42 грн
10+ 51.53 грн
100+ 35.69 грн
500+ 27.98 грн
1000+ 23.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI3464DV-T1-BE3 SI3464DV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3464dv.pdf Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3464DV-T1-BE3 SI3464DV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3464dv.pdf Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V
на замовлення 5643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.83 грн
10+ 29.87 грн
100+ 20.39 грн
500+ 15.08 грн
1000+ 13.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQJ850EP-T2_GE3 SQJ850EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj850ep.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ850EP-T2_GE3 SQJ850EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj850ep.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.87 грн
10+ 80.8 грн
100+ 62.82 грн
500+ 49.97 грн
1000+ 40.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDR570EP-T1-RE3 SIDR570EP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr570ep.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), 90.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR570EP-T1-RE3 SIDR570EP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr570ep.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), 90.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR392DP-T1-RE3 SIDR392DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr392dp.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR392DP-T1-RE3 SIDR392DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr392dp.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.78 грн
10+ 151.7 грн
100+ 110.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR140DP-T1-RE3 SIDR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr140dp.pdf Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR140DP-T1-RE3 SIDR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr140dp.pdf Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 11998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.7 грн
10+ 127.38 грн
100+ 91.99 грн
500+ 71.69 грн
1000+ 67.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR610DP-T1-RE3 SIDR610DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr610dp.pdf Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товару немає в наявності
SIDR610DP-T1-RE3 SIDR610DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr610dp.pdf Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товару немає в наявності
SIDR510EP-T1-RE3 SIDR510EP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr510ep.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR510EP-T1-RE3 SIDR510EP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr510ep.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 5894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.89 грн
10+ 140.61 грн
100+ 102.07 грн
500+ 79.86 грн
1000+ 76.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR622DP-T1-RE3 SIDR622DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr622dp.pdf Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR622DP-T1-RE3 SIDR622DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr622dp.pdf Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
на замовлення 8909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.72 грн
10+ 120.58 грн
100+ 86.87 грн
500+ 67.57 грн
1000+ 63.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR626DP-T1-RE3 SIDR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr626dp.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR626DP-T1-RE3 SIDR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr626dp.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 8143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.34 грн
10+ 146.23 грн
100+ 106.32 грн
500+ 83.3 грн
1000+ 80.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR870ADP-T1-RE3 SIDR870ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr870adp.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR870ADP-T1-RE3 SIDR870ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr870adp.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 21374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.04 грн
10+ 115.4 грн
100+ 83.01 грн
500+ 64.45 грн
1000+ 60.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR668DP-T1-RE3 SIDR668DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr668dp.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+91.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR668DP-T1-RE3 SIDR668DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr668dp.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR500EP-T1-RE3 SIDR500EP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr500ep.pdf Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Ta), 421A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR500EP-T1-RE3 SIDR500EP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr500ep.pdf Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Ta), 421A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 6205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.49 грн
10+ 172.77 грн
100+ 126.5 грн
500+ 99.65 грн
1000+ 98.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR220DP-T1-RE3 SIDR220DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr220dp.pdf Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR220DP-T1-RE3 SIDR220DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr220dp.pdf Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.3 грн
10+ 130.19 грн
100+ 94.16 грн
500+ 73.44 грн
1000+ 69.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR680DP-T1-RE3 SIDR680DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr680dp.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR680DP-T1-RE3 SIDR680DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr680dp.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 5814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.41 грн
10+ 147.93 грн
100+ 107.61 грн
500+ 84.36 грн
1000+ 81.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
DG1411EEQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SWITCH SPST-NC X 4 1.8OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.8Ohm
-3db Bandwidth: 210MHz
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -20pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 80mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 24pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
SIHD5N80AE-GE3 SIHD5N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihd5n80ae.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.47 грн
10+ 58.33 грн
100+ 45.4 грн
500+ 36.11 грн
1000+ 29.42 грн
3000+ 27.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQM100N04-2m7_GE3 SQM100N04-2m7_GE3 Vishay Siliconix sqm100n04-2m7.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
товару немає в наявності
SQJ951EP-T1_BE3 SQJ951EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj951ep.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ951EP-T1_BE3 SQJ951EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj951ep.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.78 грн
10+ 86.2 грн
100+ 67.02 грн
500+ 53.31 грн
1000+ 43.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4116dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
товару немає в наявності
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4116dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDR638DP-T1-RE3 sidr638dp.pdf
SIDR638DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.9 грн
10+ 111.11 грн
100+ 79.76 грн
500+ 61.84 грн
1000+ 57.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF9Z24STRR-GE3 sihf9z24.pdf
SIHF9Z24STRR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHF9Z24STRR-GE3 sihf9z24.pdf
SIHF9Z24STRR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.82 грн
10+ 58.4 грн
100+ 40.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
DG444DY DG444%2C445.pdf
DG444DY
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 140ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
DG444DJ DG444%2C445.pdf
DG444DJ
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 140ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
DG444BDJ DG444%2C445B.pdf
DG444BDJ
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 80OHM 16DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
SIHA6N65E-GE3 siha6n65e.pdf
SIHA6N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+59.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA6N65E-GE3 siha6n65e.pdf
SIHA6N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.69 грн
10+ 104.98 грн
100+ 75.07 грн
500+ 58.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA15N60E-GE3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+84.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA15N60E-GE3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR402DP-T1-RE3 sidr402dp.pdf
SIDR402DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR402DP-T1-RE3 sidr402dp.pdf
SIDR402DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
на замовлення 13455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.04 грн
10+ 115.4 грн
100+ 83.01 грн
500+ 64.45 грн
1000+ 60.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQD40061EL-T4_GE3 sqd40061el.pdf
SQD40061EL-T4_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+73.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SQD40061EL-T4_GE3 sqd40061el.pdf
SQD40061EL-T4_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.52 грн
10+ 130.93 грн
100+ 104.22 грн
500+ 82.77 грн
1000+ 70.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFR420PBF-BE3 sihfr420.pdf
IRFR420PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
SQ3410EV-T1_BE3 sq3410ev.pdf
SQ3410EV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3410EV-T1_BE3 sq3410ev.pdf
SQ3410EV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
на замовлення 8263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.44 грн
10+ 43.17 грн
100+ 29.93 грн
500+ 23.46 грн
1000+ 19.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3469EV-T1_BE3 sq3469ev.pdf
SQ3469EV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3469EV-T1_BE3 sq3469ev.pdf
SQ3469EV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 8606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.94 грн
12+ 24.91 грн
100+ 17.21 грн
500+ 13.5 грн
1000+ 12.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI3442BDV-T1-BE3 si3442bd.pdf
SI3442BDV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
товару немає в наявності
SI3442BDV-T1-BE3 si3442bd.pdf
SI3442BDV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.3 грн
10+ 38.44 грн
100+ 29.46 грн
500+ 21.85 грн
1000+ 17.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI3424CDV-T1-BE3 si3424cdv.pdf
SI3424CDV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
товару немає в наявності
SI3424CDV-T1-BE3 si3424cdv.pdf
SI3424CDV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.78 грн
14+ 21.51 грн
100+ 14.56 грн
500+ 10.67 грн
1000+ 9.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI3460BDV-T1-BE3 si3460bd.pdf
SI3460BDV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
товару немає в наявності
SI3460BDV-T1-BE3 si3460bd.pdf
SI3460BDV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.42 грн
10+ 51.53 грн
100+ 35.69 грн
500+ 27.98 грн
1000+ 23.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI3464DV-T1-BE3 si3464dv.pdf
SI3464DV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3464DV-T1-BE3 si3464dv.pdf
SI3464DV-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V
на замовлення 5643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.83 грн
10+ 29.87 грн
100+ 20.39 грн
500+ 15.08 грн
1000+ 13.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQJ850EP-T2_GE3 sqj850ep.pdf
SQJ850EP-T2_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ850EP-T2_GE3 sqj850ep.pdf
SQJ850EP-T2_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.87 грн
10+ 80.8 грн
100+ 62.82 грн
500+ 49.97 грн
1000+ 40.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDR570EP-T1-RE3 sidr570ep.pdf
SIDR570EP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), 90.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+93.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR570EP-T1-RE3 sidr570ep.pdf
SIDR570EP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), 90.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+229.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR392DP-T1-RE3 sidr392dp.pdf
SIDR392DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+92.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR392DP-T1-RE3 sidr392dp.pdf
SIDR392DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+228.78 грн
10+ 151.7 грн
100+ 110.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR140DP-T1-RE3 sidr140dp.pdf
SIDR140DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+74.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR140DP-T1-RE3 sidr140dp.pdf
SIDR140DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 11998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.7 грн
10+ 127.38 грн
100+ 91.99 грн
500+ 71.69 грн
1000+ 67.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR610DP-T1-RE3 sidr610dp.pdf
SIDR610DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товару немає в наявності
SIDR610DP-T1-RE3 sidr610dp.pdf
SIDR610DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товару немає в наявності
SIDR510EP-T1-RE3 sidr510ep.pdf
SIDR510EP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+84.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR510EP-T1-RE3 sidr510ep.pdf
SIDR510EP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 5894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.89 грн
10+ 140.61 грн
100+ 102.07 грн
500+ 79.86 грн
1000+ 76.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR622DP-T1-RE3 sidr622dp.pdf
SIDR622DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+69.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR622DP-T1-RE3 sidr622dp.pdf
SIDR622DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
на замовлення 8909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.72 грн
10+ 120.58 грн
100+ 86.87 грн
500+ 67.57 грн
1000+ 63.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR626DP-T1-RE3 sidr626dp.pdf
SIDR626DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+88.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR626DP-T1-RE3 sidr626dp.pdf
SIDR626DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 8143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.34 грн
10+ 146.23 грн
100+ 106.32 грн
500+ 83.3 грн
1000+ 80.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR870ADP-T1-RE3 sidr870adp.pdf
SIDR870ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR870ADP-T1-RE3 sidr870adp.pdf
SIDR870ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 21374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.04 грн
10+ 115.4 грн
100+ 83.01 грн
500+ 64.45 грн
1000+ 60.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR668DP-T1-RE3 sidr668dp.pdf
SIDR668DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+91.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR668DP-T1-RE3 sidr668dp.pdf
SIDR668DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+225.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR500EP-T1-RE3 sidr500ep.pdf
SIDR500EP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Ta), 421A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+108.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR500EP-T1-RE3 sidr500ep.pdf
SIDR500EP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Ta), 421A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 6205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+259.49 грн
10+ 172.77 грн
100+ 126.5 грн
500+ 99.65 грн
1000+ 98.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR220DP-T1-RE3 sidr220dp.pdf
SIDR220DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR220DP-T1-RE3 sidr220dp.pdf
SIDR220DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.3 грн
10+ 130.19 грн
100+ 94.16 грн
500+ 73.44 грн
1000+ 69.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR680DP-T1-RE3 sidr680dp.pdf
SIDR680DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR680DP-T1-RE3 sidr680dp.pdf
SIDR680DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 5814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.41 грн
10+ 147.93 грн
100+ 107.61 грн
500+ 84.36 грн
1000+ 81.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
DG1411EEQ-T1-GE3 dg1411e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NC X 4 1.8OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.8Ohm
-3db Bandwidth: 210MHz
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -20pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 80mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 24pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
SIHD5N80AE-GE3 sihd5n80ae.pdf
SIHD5N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.47 грн
10+ 58.33 грн
100+ 45.4 грн
500+ 36.11 грн
1000+ 29.42 грн
3000+ 27.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQM100N04-2m7_GE3 sqm100n04-2m7.pdf
SQM100N04-2m7_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
товару немає в наявності
SQJ951EP-T1_BE3 sqj951ep.pdf
SQJ951EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ951EP-T1_BE3 sqj951ep.pdf
SQJ951EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.78 грн
10+ 86.2 грн
100+ 67.02 грн
500+ 53.31 грн
1000+ 43.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4116DY-T1-E3 si4116dy.pdf
SI4116DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
товару немає в наявності
SI4116DY-T1-E3 si4116dy.pdf
SI4116DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 180 183  [ Наступна Сторінка >> ]