Продукція > VISHAY SILICONIX > SIDR870ADP-T1-RE3
SIDR870ADP-T1-RE3

SIDR870ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sidr870adp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+72.15 грн
6000+ 66.87 грн
9000+ 64.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIDR870ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Ta), 95A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIDR870ADP-T1-RE3 за ціною від 68.63 грн до 160.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIDR870ADP-T1-RE3 SIDR870ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sidr870adp.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 21374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.29 грн
10+ 127.98 грн
100+ 101.87 грн
500+ 80.89 грн
1000+ 68.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR870ADP-T1-RE3 SIDR870ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay / Siliconix sidr870adp.pdf MOSFETs SOT669 100V 95A N-CH MOSFET
товар відсутній