Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (10976) > Сторінка 156 з 183

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 180 183  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
Si3424BDV-T1-GE3 Si3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3424bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Si3424BDV-T1-GE3 Si3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3424bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.8 грн
10+ 34.84 грн
100+ 24.22 грн
500+ 17.75 грн
1000+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ3456BEV-T1_GE3 SQ3456BEV-T1_GE3 Vishay Siliconix 67934.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
товар відсутній
SQ3456BEV-T1_GE3 SQ3456BEV-T1_GE3 Vishay Siliconix 67934.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3425EV-T1_GE3 SQ3425EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3425ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
товар відсутній
SQ3425EV-T1_GE3 SQ3425EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3425ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.25 грн
10+ 46.46 грн
100+ 35.61 грн
500+ 26.42 грн
1000+ 21.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3457EV-T1_BE3 SQ3457EV-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3457EV-T1_BE3 SQ3457EV-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.8 грн
10+ 48.03 грн
100+ 36.84 грн
500+ 27.33 грн
1000+ 21.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQJ560EP-T1_GE3 SQJ560EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj560ep.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ560EP-T1_GE3 SQJ560EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj560ep.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.6 грн
10+ 78.6 грн
100+ 61.14 грн
500+ 48.63 грн
1000+ 39.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQ3469EV-T1_GE3 SQ3469EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3469ev.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товар відсутній
SQ3469EV-T1_GE3 SQ3469EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3469ev.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.69 грн
10+ 39.04 грн
100+ 27.04 грн
500+ 21.21 грн
1000+ 18.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQM30010EL_GE3 SQM30010EL_GE3 Vishay Siliconix sqm30010el.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263
товар відсутній
SQM30010EL_GE3 SQM30010EL_GE3 Vishay Siliconix sqm30010el.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIZF916DT-T1-GE3 SIZF916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf916dt.pdf Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товар відсутній
SIZF916DT-T1-GE3 SIZF916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf916dt.pdf Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.61 грн
10+ 109.7 грн
100+ 85.5 грн
500+ 66.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHG24N80AEF-GE3 SIHG24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix sihg24n80aef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.51 грн
10+ 258.59 грн
100+ 185.71 грн
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix sihp24n80aef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.98 грн
10+ 156.23 грн
100+ 126.36 грн
500+ 115.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB5N80AE-GE3 SIHB5N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihb5n80ae.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.27 грн
50+ 85.98 грн
100+ 68.13 грн
500+ 54.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA5N80AE-GE3 SIHA5N80AE-GE3 Vishay Siliconix siha5n80ae.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.71 грн
50+ 73.82 грн
100+ 58.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ128ELP-T1_GE3 SQJ128ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V
товар відсутній
SQJ128ELP-T1_GE3 SQJ128ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ4182EY-T1_BE3 SQ4182EY-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
товар відсутній
SQ4182EY-T1_BE3 SQ4182EY-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ4182EY-T1_GE3 SQ4182EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4182ey.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
товар відсутній
SQ4182EY-T1_GE3 SQ4182EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4182ey.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
товар відсутній
SIC534CD-T1-GE3 SIC534CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic534.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 35A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товар відсутній
SIC534CD-T1-GE3 SIC534CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic534.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 35A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.3 грн
10+ 150.84 грн
25+ 142.34 грн
100+ 113.8 грн
250+ 106.85 грн
500+ 93.5 грн
1000+ 76.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIJH800E-T1-GE3 SIJH800E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh800e.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V
товар відсутній
SIJH800E-T1-GE3 SIJH800E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh800e.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.26 грн
10+ 274.32 грн
100+ 221.93 грн
500+ 185.13 грн
1000+ 158.52 грн
SQS484EN-T1_BE3 SQS484EN-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQS484EN-T1_BE3 SQS484EN-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V
на замовлення 5497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.81 грн
10+ 60.69 грн
100+ 47.3 грн
500+ 36.67 грн
1000+ 28.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
SUP90330E-GE3 SUP90330E-GE3 Vishay Siliconix sup90330e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.38 грн
10+ 89.77 грн
100+ 69.84 грн
500+ 55.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4010DY-T1-GE3 SI4010DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4010dy.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4010DY-T1-GE3 SI4010DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4010dy.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
товар відсутній
SQA446CEJW-T1_GE3 SQA446CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa446cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQA446CEJW-T1_GE3 SQA446CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa446cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.57 грн
13+ 24.2 грн
100+ 16.84 грн
500+ 12.34 грн
1000+ 10.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
SIA4371EDJ-T1-GE3 SIA4371EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia4371edj.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIA4371EDJ-T1-GE3 SIA4371EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia4371edj.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 5510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.35 грн
11+ 27.72 грн
100+ 16.64 грн
500+ 14.46 грн
1000+ 9.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj211elp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj211elp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.62 грн
10+ 91.57 грн
100+ 62.12 грн
500+ 46.43 грн
1000+ 42.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIRA20BDP-T1-GE3 SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira20bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.96 грн
6000+ 46.73 грн
9000+ 44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQA410CEJW-T1_GE3 SQA410CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa410cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQA410CEJW-T1_GE3 SQA410CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa410cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 10 V
на замовлення 9003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.46 грн
11+ 27.8 грн
100+ 20.75 грн
500+ 15.3 грн
1000+ 11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQA401CEJW-T1_GE3 SQA401CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa401cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQA401CEJW-T1_GE3 SQA401CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa401cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.12 грн
12+ 25.4 грн
100+ 17.63 грн
500+ 12.92 грн
1000+ 10.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ2361AEES-T1_BE3 SQ2361AEES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2361aees.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.69 грн
10+ 38.44 грн
100+ 26.75 грн
500+ 19.6 грн
1000+ 15.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3425EV-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP
товар відсутній
SQ3425EV-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.13 грн
10+ 44.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF840LCPBF-BE3 IRF840LCPBF-BE3 Vishay Siliconix 91067.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товар відсутній
SIHD14N60ET1-GE3 SIHD14N60ET1-GE3 Vishay Siliconix sihd14n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHD14N60ET1-GE3 SIHD14N60ET1-GE3 Vishay Siliconix sihd14n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.96 грн
10+ 126.41 грн
100+ 100.6 грн
500+ 79.89 грн
1000+ 67.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD14N60ET4-GE3 SIHD14N60ET4-GE3 Vishay Siliconix sihd14n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHD14N60ET4-GE3 SIHD14N60ET4-GE3 Vishay Siliconix sihd14n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.96 грн
10+ 126.41 грн
100+ 100.6 грн
500+ 79.89 грн
1000+ 67.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD14N60ET5-GE3 SIHD14N60ET5-GE3 Vishay Siliconix sihd14n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHD14N60ET5-GE3 SIHD14N60ET5-GE3 Vishay Siliconix sihd14n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.96 грн
10+ 126.41 грн
100+ 100.6 грн
500+ 79.89 грн
1000+ 67.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJ886EP-T1_GE3 SQJ886EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj886ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQJ444EP-T1_GE3 SQJ444EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj444ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ444EP-T1_GE3 SQJ444EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj444ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.04 грн
10+ 71.48 грн
100+ 55.61 грн
500+ 44.23 грн
1000+ 36.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR188LDP-T1-RE3 SIR188LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir188ldp.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V
товар відсутній
Si3424BDV-T1-GE3 si3424bd.pdf
Si3424BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Si3424BDV-T1-GE3 si3424bd.pdf
Si3424BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.8 грн
10+ 34.84 грн
100+ 24.22 грн
500+ 17.75 грн
1000+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ3456BEV-T1_GE3 67934.pdf
SQ3456BEV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
товар відсутній
SQ3456BEV-T1_GE3 67934.pdf
SQ3456BEV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3425EV-T1_GE3 sq3425ev.pdf
SQ3425EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
товар відсутній
SQ3425EV-T1_GE3 sq3425ev.pdf
SQ3425EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.25 грн
10+ 46.46 грн
100+ 35.61 грн
500+ 26.42 грн
1000+ 21.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3457EV-T1_BE3
SQ3457EV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3457EV-T1_BE3
SQ3457EV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.8 грн
10+ 48.03 грн
100+ 36.84 грн
500+ 27.33 грн
1000+ 21.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQJ560EP-T1_GE3 sqj560ep.pdf
SQJ560EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+41.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ560EP-T1_GE3 sqj560ep.pdf
SQJ560EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.6 грн
10+ 78.6 грн
100+ 61.14 грн
500+ 48.63 грн
1000+ 39.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQ3469EV-T1_GE3 sq3469ev.pdf
SQ3469EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товар відсутній
SQ3469EV-T1_GE3 sq3469ev.pdf
SQ3469EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.69 грн
10+ 39.04 грн
100+ 27.04 грн
500+ 21.21 грн
1000+ 18.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQM30010EL_GE3 sqm30010el.pdf
SQM30010EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263
товар відсутній
SQM30010EL_GE3 sqm30010el.pdf
SQM30010EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIZF916DT-T1-GE3 sizf916dt.pdf
SIZF916DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товар відсутній
SIZF916DT-T1-GE3 sizf916dt.pdf
SIZF916DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.61 грн
10+ 109.7 грн
100+ 85.5 грн
500+ 66.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHG24N80AEF-GE3 sihg24n80aef.pdf
SIHG24N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+401.51 грн
10+ 258.59 грн
100+ 185.71 грн
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.98 грн
10+ 156.23 грн
100+ 126.36 грн
500+ 115.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB5N80AE-GE3 sihb5n80ae.pdf
SIHB5N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.27 грн
50+ 85.98 грн
100+ 68.13 грн
500+ 54.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA5N80AE-GE3 siha5n80ae.pdf
SIHA5N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.71 грн
50+ 73.82 грн
100+ 58.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ128ELP-T1_GE3
SQJ128ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V
товар відсутній
SQJ128ELP-T1_GE3
SQJ128ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ4182EY-T1_BE3
SQ4182EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
товар відсутній
SQ4182EY-T1_BE3
SQ4182EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ4182EY-T1_GE3 sq4182ey.pdf
SQ4182EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
товар відсутній
SQ4182EY-T1_GE3 sq4182ey.pdf
SQ4182EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
товар відсутній
SIC534CD-T1-GE3 sic534.pdf
SIC534CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 35A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товар відсутній
SIC534CD-T1-GE3 sic534.pdf
SIC534CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 35A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+174.3 грн
10+ 150.84 грн
25+ 142.34 грн
100+ 113.8 грн
250+ 106.85 грн
500+ 93.5 грн
1000+ 76.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIJH800E-T1-GE3 sijh800e.pdf
SIJH800E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V
товар відсутній
SIJH800E-T1-GE3 sijh800e.pdf
SIJH800E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+339.26 грн
10+ 274.32 грн
100+ 221.93 грн
500+ 185.13 грн
1000+ 158.52 грн
SQS484EN-T1_BE3
SQS484EN-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+29.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQS484EN-T1_BE3
SQS484EN-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V
на замовлення 5497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.81 грн
10+ 60.69 грн
100+ 47.3 грн
500+ 36.67 грн
1000+ 28.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
SUP90330E-GE3 sup90330e.pdf
SUP90330E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.38 грн
10+ 89.77 грн
100+ 69.84 грн
500+ 55.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4010DY-T1-GE3 si4010dy.pdf
SI4010DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4010DY-T1-GE3 si4010dy.pdf
SI4010DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
товар відсутній
SQA446CEJW-T1_GE3 sqa446cejw.pdf
SQA446CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQA446CEJW-T1_GE3 sqa446cejw.pdf
SQA446CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.57 грн
13+ 24.2 грн
100+ 16.84 грн
500+ 12.34 грн
1000+ 10.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
SIA4371EDJ-T1-GE3 sia4371edj.pdf
SIA4371EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIA4371EDJ-T1-GE3 sia4371edj.pdf
SIA4371EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 5510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.35 грн
11+ 27.72 грн
100+ 16.64 грн
500+ 14.46 грн
1000+ 9.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQJ211ELP-T1_GE3 sqj211elp.pdf
SQJ211ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ211ELP-T1_GE3 sqj211elp.pdf
SQJ211ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.62 грн
10+ 91.57 грн
100+ 62.12 грн
500+ 46.43 грн
1000+ 42.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIRA20BDP-T1-GE3 sira20bdp.pdf
SIRA20BDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+50.96 грн
6000+ 46.73 грн
9000+ 44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQA410CEJW-T1_GE3 sqa410cejw.pdf
SQA410CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQA410CEJW-T1_GE3 sqa410cejw.pdf
SQA410CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 10 V
на замовлення 9003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.46 грн
11+ 27.8 грн
100+ 20.75 грн
500+ 15.3 грн
1000+ 11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQA401CEJW-T1_GE3 sqa401cejw.pdf
SQA401CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQA401CEJW-T1_GE3 sqa401cejw.pdf
SQA401CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.12 грн
12+ 25.4 грн
100+ 17.63 грн
500+ 12.92 грн
1000+ 10.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ2361AEES-T1_BE3 sq2361aees.pdf
SQ2361AEES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.69 грн
10+ 38.44 грн
100+ 26.75 грн
500+ 19.6 грн
1000+ 15.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3425EV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP
товар відсутній
SQ3425EV-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.13 грн
10+ 44.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF840LCPBF-BE3 91067.pdf
IRF840LCPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товар відсутній
SIHD14N60ET1-GE3 sihd14n60e.pdf
SIHD14N60ET1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHD14N60ET1-GE3 sihd14n60e.pdf
SIHD14N60ET1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.96 грн
10+ 126.41 грн
100+ 100.6 грн
500+ 79.89 грн
1000+ 67.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD14N60ET4-GE3 sihd14n60e.pdf
SIHD14N60ET4-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHD14N60ET4-GE3 sihd14n60e.pdf
SIHD14N60ET4-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.96 грн
10+ 126.41 грн
100+ 100.6 грн
500+ 79.89 грн
1000+ 67.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD14N60ET5-GE3 sihd14n60e.pdf
SIHD14N60ET5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHD14N60ET5-GE3 sihd14n60e.pdf
SIHD14N60ET5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.96 грн
10+ 126.41 грн
100+ 100.6 грн
500+ 79.89 грн
1000+ 67.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJ886EP-T1_GE3 sqj886ep.pdf
SQJ886EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQJ444EP-T1_GE3 sqj444ep.pdf
SQJ444EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ444EP-T1_GE3 sqj444ep.pdf
SQJ444EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.04 грн
10+ 71.48 грн
100+ 55.61 грн
500+ 44.23 грн
1000+ 36.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR188LDP-T1-RE3 sir188ldp.pdf
SIR188LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 180 183  [ Наступна Сторінка >> ]