![SI3460BDV-T1-BE3 SI3460BDV-T1-BE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2942/MFG_TSOP-6.jpg)
SI3460BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix
![si3460bd.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 60.82 грн |
10+ | 51.03 грн |
100+ | 35.34 грн |
500+ | 27.71 грн |
1000+ | 23.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3460BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI3460BDV-T1-BE3 за ціною від 22.56 грн до 66.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI3460BDV-T1-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 13694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI3460BDV-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V |
товар відсутній |